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Isolators (2050)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP292-4(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (GB, E 1.7900
RFQ
 ECAD 2865 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP291(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GR-TP, SE 0,6000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP291 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP126(ASAHID,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (Asahid, F) -
RFQ
 ECAD 4731 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP126 - 1 (illimité) 264-TLP126 (Asahidf) EAR99 8541.49.8000 150
TLP281-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP281-4 (GB-TP, J, F -
RFQ
 ECAD 7222 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 16-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TLP281 Dc 4 Transistor 16-SOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2409(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2409 (TP, F) -
RFQ
 ECAD 1678 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2409 Dc 1 Transistor 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 16MA - 20V 1,57 V 25 mA 3750 VRM 20% @ 16mA - 800ns, 800ns (max) -
TLP121(GRL-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (Grl-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 2000 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP121 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP121 (GRL-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP732(D4-GR-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (d4-gr-lf2, f -
RFQ
 ECAD 8903 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP732 Dc 1 Transistor 6 plombs - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 4000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2761(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (TP, E) 1.1800
RFQ
 ECAD 4378 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2761 AC, DC 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 5000vrms 1/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP570(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570 (MBS, F) -
RFQ
 ECAD 7499 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP570 - 1 (illimité) 264-TLP570 (MBSF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP185(GR-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPL, SE 0,6100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP385(D4GH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GH-TL, E 0,5400
RFQ
 ECAD 4173 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP124(TPL-PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPL-PP, F) -
RFQ
 ECAD 5763 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP124 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP124 (TPL-PPF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 3750 VRM 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP2631(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631 (F) -
RFQ
 ECAD 9538 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP2631 Dc 2 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 5,5 V 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 16 MA 10mbd 30ns, 30ns 1,65 V 20 mA 2500 VRM 2/0 1kV / µs 75ns, 75ns
TLP291(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (SE 0,5900
RFQ
 ECAD 8438 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP291 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TLP291 (SE (T EAR99 8541.49.8000 175 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP734F(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4 Go, M, F) -
RFQ
 ECAD 8900 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP734 - 1 (illimité) 264-TLP734F (D4 GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2168(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168 (TP, F) -
RFQ
 ECAD 2972 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2168 Dc 2 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,57 V 25m 2500 VRM 2/0 15kV / µs 60ns, 60ns
TLP632(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 5172 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP632 Dc 1 Transistor 6 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785(GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GRL, F 0,6600
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger Rohs conforme Non applicable TLP785 (GRLF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP292-4(LGBTP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LGBTP, E 1.7900
RFQ
 ECAD 5371 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 500µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP292-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (GB-TP, E 1.8100
RFQ
 ECAD 8927 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP184(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (TPR, SE 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP715F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F (F) -
RFQ
 ECAD 4992 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP715 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 sdip télécharger 264-TLP715F (F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,6 V 20 mA 5000vrms 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP260JTPRPF Toshiba Semiconductor and Storage Tlp260jtprpf -
RFQ
 ECAD 5567 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP260 Ur 1 Triac 4-SOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,15 V 50 mA 3000vrms 600 V 70 mA 1MA (TYP) Non 500 V / µs (TYP) 10m 30 µs
TLP2200F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200F -
RFQ
 ECAD 2215 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP2200 Dc 1 Trois états 4,5 V ~ 20V 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2200 (F) EAR99 8541.49.8000 50 25 mA 2,5 MBD 35ns, 20ns 1,55 V 10m 2500 VRM 1/0 1kV / µs 400ns, 400ns
TLP121(V4-GR-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (v4-gr-tpl, f -
RFQ
 ECAD 1783 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP121 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP121 (V4-GR-TPLF EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP3924(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3924 (TP15, F) 4.0800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4 mm, plombes plombes TLP3924 Dc 1 Photovoltaïque 4-SSOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 4µA - 30V 1,3 V 30 mA 1500 VRM - - - -
TLP781F(D4-GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Grh, F) -
RFQ
 ECAD 3436 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4-Grhf) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP571(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP571 (F) -
RFQ
 ECAD 4067 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP571 - 1 (illimité) 264-TLP571 (F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP120(GR-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GR-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 8321 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP120 AC, DC 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP120 (GR-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP291(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (TP, E) -
RFQ
 ECAD 1575 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP291 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 4µs, 7µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 400% @ 5mA 7µs, 7µs 300 mV
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    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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