SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP627F-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627F-2 (D4, F) -
RFQ
ECAD 3173 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP627 - 1 (illimité) 264-TLP627F-2 (D4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP105(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (TPL, F) -
RFQ
ECAD 3574 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes TLP105 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP105 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP731(D4-BL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-BL-LF2, F -
RFQ
ECAD 4488 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP731 - 1 (illimité) 264-TLP731 (D4-BL-LF2F EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4YH-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4YH-TP7, F -
RFQ
ECAD 7445 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4YH-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP714F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 2411 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP714 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 30V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP714F (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 550ns, 400ns
TLP2770(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770 (E 2.2400
RFQ
ECAD 2675 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2770 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2770 (E (O EAR99 8541.49.8000 125 10 mA 20MBD 1,3ns, 1ns 1,5 V 8m 5000vrms 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
TLP293-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4-Gb, E 1.6300
RFQ
ECAD 4183 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP571(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP571 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 9065 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP571 - 1 (illimité) 264-TLP571 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9121A(PSDGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (PSDGBTL, F -
RFQ
ECAD 5767 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9121A (PSDGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP620-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (F) -
RFQ
ECAD 1216 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Acheter la Dernière -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP620 AC, DC 2 Transistor 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4-FUNBL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Funbl, F -
RFQ
ECAD 3976 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4-Funblf EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP385(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (tpl, e 0,5500
RFQ
ECAD 5885 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP9114B(AW-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (AW-TL, F) -
RFQ
ECAD 7292 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - EAR99 8541.49.8000 1
TLP2358(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2358 (TPR, E) 1.0200
RFQ
ECAD 2139 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2358 Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA - 15ns, 12ns 1,55 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP160G(TEE-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (Tee-Tpl, F) -
RFQ
ECAD 8847 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP160 - 1 (illimité) 264-TLP160G (TEE-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP184(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB, SE 0,5100
RFQ
ECAD 2065 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP631(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (BL, F) -
RFQ
ECAD 9685 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP631 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP291(GR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (Gr, E) -
RFQ
ECAD 7147 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP291 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 175 50m 4µs, 7µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 7µs, 7µs 300 mV
TLP754F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F (D4-TP4, F) -
RFQ
ECAD 8338 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP754 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 30V 8 mm télécharger 264-TLP754F (D4-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 550ns, 400ns
TLP127(PSION-TPR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (psion-tpr, f -
RFQ
ECAD 1151 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (psion-tprftr EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP265J(V4T7TR,E(T Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4T7TR, E (T -
RFQ
ECAD 9072 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP265 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6-SOP - 1 (illimité) 264-TLP265J (v4t7tre (TTR EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 50 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 1 mA Non 500 V / µs (TYP) 7m 100 µs
TLP9118(SND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (snd-tl, f) -
RFQ
ECAD 8041 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9118 (SND-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP785(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BL, F) 0,6400
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP184(GR-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GR-TPL, SE 0,5100
RFQ
ECAD 6509 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP292-4(V4LATPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4LATPE 1.7900
RFQ
ECAD 8491 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% à 500 µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP290(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (GR-TP, E) -
RFQ
ECAD 3608 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 4µs, 7µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 7µs, 7µs 300 mV
TLP2361(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (V4-TPL, E 1.0600
RFQ
ECAD 1208 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2361 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP183(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (BL, E 0,5100
RFQ
ECAD 4755 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP183 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP183 (BLE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP734F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-Gr, M, F) -
RFQ
ECAD 3504 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP734 - 1 (illimité) 264-TLP734F (d4-grmf) EAR99 8541.49.8000 50
TLP130GBF Toshiba Semiconductor and Storage TLP130GBF 0,7145
RFQ
ECAD 8142 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes TLP130 AC, DC 1 Base de transistor AVEC 6 MFSOP, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 150 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock