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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 6N138F | - | ![]() | 4239 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | 6N138 | Dc | 1 | Darlington Avec la base | 8 plombs | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60m | - | 18V | 1,65 V | 20 mA | 2500 VRM | 300% @ 1,6mA | - | 1 µs, 4µs | - | ||||||||
TLP104 (E) | 1.5100 | ![]() | 9716 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP104 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4,5 V ~ 30V | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8 mA | 1Mbps | - | 1,61 V | 25m | 3750 VRM | 1/0 | 15kV / µs | 550ns, 400ns | ||||||||
![]() | TLP291 (Gr, E) | - | ![]() | 7147 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP291 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50m | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 7µs, 7µs | 300 mV | |||||||
![]() | TLP731 (D4-BL-LF2, F | - | ![]() | 4488 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP731 | - | 1 (illimité) | 264-TLP731 (D4-BL-LF2F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP559 (F) | - | ![]() | 8414 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP559 | Dc | 1 | Transistor | 8 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 15V | 1,65 V | 25 mA | 2500 VRM | 20% @ 16mA | - | 200ns, 300ns | - | |||||||
TLP292-4 (LA-TR, E | 1.8100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% à 500 µA | 600% à 500 µA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||
![]() | TLP785F (GR-TP7, F | - | ![]() | 3565 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (GR-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||
TLP291-4 (GB-TP, E) | 1.4600 | ![]() | 4285 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP291 | Dc | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,2 V | 50 mA | 2500 VRM | 100% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||
![]() | TLP632 (F) | - | ![]() | 9713 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP632 | Dc | 1 | Transistor | 6 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP632F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50m | 2 µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||
![]() | TLP781 (BL, F) | - | ![]() | 4864 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP781BLF | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV |
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