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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Courant - Sortie Maximale | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) | Tension - alimentation de sortie | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
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![]() | TLP2403 (F) | - | ![]() | 3046 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TLP2403 | Dc | 1 | Darlington Avec la base | 8-so | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP2403F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 60m | - | 18V | 1,45 V | 20 mA | 3750 VRM | 500% @ 1,6mA | - | 300ns, 1 µs | - | |||||||||||||||||||
![]() | TLP3073 (TP1, F | 2.0100 | ![]() | 2537 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (5 pistes), Aile du Mouette | TLP3073 | CQC, Cur, Ur | 1 | Triac | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 1,15 V | 50 mA | 5000vrms | 800 V | 100 mA | 1MA (TYP) | Non | 2kV / µs (type) | 5ma | - | ||||||||||||||||||||
![]() | Tlp785f (d4-gr, f | - | ![]() | 1238 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (D4-GRF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP2531 (QCPL4532, F | - | ![]() | 4357 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP2531 | Dc | 2 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP2531 (QCPL4532F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 15V | 1,65 V | 25 mA | 2500 VRM | 19% @ 16mA | 30% @ 16mA | 200ns, 300ns | - | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP785 (d4-grh, f | - | ![]() | 7042 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (D4-Grhf | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP701F (D4-TP, F) | - | ![]() | 8871 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | TLP701 | Optique de couplage | - | 1 | Aile de Goéland à 6 sdip | télécharger | 264-TLP701F (D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 600mA | - | - | 5000vrms | 10kV / µs | 700ns, 700ns | - | 10V ~ 30V | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP188 (GB, E | 0,8300 | ![]() | 4747 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP188 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP781 (BLL-TP6, F) | - | ![]() | 7168 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (BLL-TP6F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP754 (MBI, F) | - | ![]() | 7757 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP754 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4,5 V ~ 30V | 8 plombs | télécharger | 264-TLP754 (MBIF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP781F (YH-TP7, F) | - | ![]() | 6978 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-tlp781f (yh-tp7f) tr | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
TLP285 (TP, F) | - | ![]() | 8700 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | TLP285 | Dc | 1 | Transistor | 4-SOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||||
TLP2770 (d4, e | 2.2400 | ![]() | 9458 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2770 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20MBD | 1,3ns, 1ns | 1,5 V | 8m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP250H (LF5, F) | - | ![]() | 2930 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | TLP250 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 10V ~ 30V | 8 mm | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP250H (LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2 A | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 VRM | 1/0 | 40kV / µs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||||||||
TLP2761 (TP4, E | - | ![]() | 7022 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2761 | AC, DC | 1 | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP2761 (TP4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 10 mA | 15MBD | 3NS, 3NS | 1,5 V | 10m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP620-2 (Gr, F) | - | ![]() | 6523 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8 plombs | télécharger | 264-TLP620-2 (GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50m | 2 µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 50 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP2768 (F) | - | ![]() | 8492 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | TLP2768 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 2,7 V ~ 5,5 V | Aile de Goéland à 6 sdip | télécharger | 264-TLP2768 (F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 20MBD | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||||||
![]() | Tlp385 (d4gr-tr, e | 0,5600 | ![]() | 3080 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||||||
TLP5701 (E | 1.2600 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5701 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 10V ~ 30V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 600 mA | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP2766F (F) | - | ![]() | 5909 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | TLP2766 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | Aile de Goéland à 6 sdip | télécharger | 264-TLP2766F (F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 20MBD | 15NS, 15NS | 1,55 V | 25m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4GRT6-SD, F | - | ![]() | 6920 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (D4GRT6-SDFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP785 (d4-gr, f | 0,6200 | ![]() | 85 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs conforme | Non applicable | TLP785 (D4-GRF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||||
TLP2745 (E | - | ![]() | 9400 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2745 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 30V | 6-SO | - | 1 (illimité) | 264-TLP2745 (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 mA | - | 3NS, 3NS | 1,55 V | 15m | 5000vrms | 1/0 | 30kV / µs | 120ns, 120ns | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP2662 (TP1, F) | 1.8800 | ![]() | 8329 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | TLP2662 | Dc | 2 | Collectionner OUVER | 2,7 V ~ 5,5 V | 8 mm | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 25 mA | 10mbd | 12nS, 3NS | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 2/0 | 20kV / µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP5702 (D4-LF4, E | 1 5500 | ![]() | 6558 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | TLP5702 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 15V ~ 30V | 6-SO | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP5702 (D4-LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP385 (GRH-TPR, E | 0,5400 | ![]() | 5721 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP750 (D4COS-TP5, F | - | ![]() | 2015 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP750 (D4COS-TP5F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 15V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 10% @ 16mA | - | 200 ns, 1 µs | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP669LF (D4, S, C, F) | - | ![]() | 8098 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | - | Par le trou | 6 DIP (0 400 ", 10,16 mm), 5 pistes | TLP669 | CSA, cul, ul, vde | 1 | Triac | 6 plombs | télécharger | 264-TLP669LF (D4SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 5000vrms | 800 V | 100 mA | - | Oui | - | 10m | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP759 (D4MBIMT1J, F | - | ![]() | 3454 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759 (D4MBIMT1JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP185 (BLL-TR, SE | 0,6000 | ![]() | 7102 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP185 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||||||
TLP5772 (D4, E | 2.4500 | ![]() | 4839 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5772 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 10V ~ 30V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP5772 (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 15ns, 8ns | 1,65 V | 8m | 5000vrms | 1/0 | 35kV / µs | 150ns, 150ns |
Volume de RFQ moyen quotidien
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