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Isolators (2050)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Courant - Sortie Maximale Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) Tension - alimentation de sortie Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP121(TA-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (Ta-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 4831 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP121 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP121 (TA-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP5702H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (LF4, E 1.8500
RFQ
 ECAD 6302 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5702 Dc 1 Push-pull, pôle totem 10V ~ 30V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1,65 V 20 mA 5000vrms 1/0 50kV / µs 200ns, 200ns
TLP5772H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (E 2.4900
RFQ
 ECAD 2448 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5772 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger 1 (illimité) 264-TLP5772H (E EAR99 8541.49.8000 125 - 56ns, 25ns 1,4 V 8m 5000vrms 1/0 35kV / µs 150ns, 150ns
TLP292-4(V4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-TP, E 1.7900
RFQ
 ECAD 1944 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2766(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766 (F) -
RFQ
 ECAD 5844 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP2766 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP2766 (F) EAR99 8541.49.8000 1 10 mA 20MBD 15NS, 15NS 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 55ns, 55ns
TLP2304(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304 (TPL, E 1.4100
RFQ
 ECAD 4087 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2304 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 30V 6-So, 5 Avance télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 15 mA 1MBD - 1,55 V 25m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 550ns, 400ns
TLP2468(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468 (F) -
RFQ
 ECAD 5641 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2468 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2468F EAR99 8541.49.8000 100 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,57 V 25m 3750 VRM 1/0 15kV / µs 60ns, 60ns
TLP626(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (BV-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 9710 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger 264-TLP626 (BV-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP781F(D4GR-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GR-TP7, F -
RFQ
 ECAD 9870 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4GR-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2370(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (TPL, E 1.7700
RFQ
 ECAD 2071 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2370 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 10 mA 20 Mbps 3NS, 2NS 1,5 V 8m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
TLP160G(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (TPL, U, F) -
RFQ
 ECAD 5638 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP160G - 1 (illimité) 264-TLP160G (TPLUF) TR EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP2531(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 8249 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP2531 Dc 2 Base de transistor AVEC 8 mm télécharger 264-TLP2531 (TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200ns, 300ns -
TLP250HF(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF (D4-LF4, F) -
RFQ
 ECAD 2051 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP250 Dc 1 Push-pull, pôle totem 10V ~ 30V 8 mm télécharger 1 (illimité) 264-TLP250HF (D4-LF4F) EAR99 8541.49.8000 50 2 A - 50ns, 50ns 1,57 V 5ma 3750 VRM 1/0 40kV / µs 500ns, 500ns
TLP352(LF5,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (LF5, S) -
RFQ
 ECAD 6802 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète Tlp352 - 1 (illimité) 264-TLP352 (LF5S) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9104A(NCN-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (NCN-TL, F) -
RFQ
 ECAD 1211 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9104A (NCN-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP383(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp383 (gb-tpl, e -
RFQ
 ECAD 4079 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Boîte Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP121(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 7190 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP121 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP121 (TPRF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP121(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GR-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 2963 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP121 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP121 (GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4-C172, F) -
RFQ
 ECAD 4589 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP734 Dc 1 Transistor 6 plombs - Rohs conforme 1 (illimité) TLP734 (D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1 500 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 4000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP183(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (y, e 0,5100
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP183 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP183 (YE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2958(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (F) -
RFQ
 ECAD 3778 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 8 plombs télécharger 264-TLP2958 (F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 15NS, 10NS 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP2116(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116 (F) -
RFQ
 ECAD 6702 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2116 Dc 2 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2116F EAR99 8541.49.8000 100 10 mA 15MBD 15NS, 15NS 1,65 V 20 mA 2500 VRM 2/0 10kV / µs 75ns, 75ns
TLP2200(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 4746 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP2200 - 1 (illimité) 264-TLP2200 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP705F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705F (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 8857 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP705F Optique de couplage Tuv, ur 1 Aile de Goéland à 6 sdip - Rohs conforme 1 (illimité) TLP705F (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 500 - 450mA - - 5000vrms 10kV / µs 200ns, 200ns - 10V ~ 20V
TLP182(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (Gr, E 0,5700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP182 (GRE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP385(D4-GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4-grh, e 0,5400
RFQ
 ECAD 5312 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Tlp385 (d4-grhe EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2955(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955 (D4-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 6345 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 8 mm télécharger 264-TLP2955 (D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP624-2(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (LF5, F) -
RFQ
 ECAD 2717 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP624 - 1 (illimité) 264-TLP624-2 (LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5771(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771 (TP, E 2.3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5771 Optique de couplage CQC, Cur, Ur, VDE 1 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1,65 V 8 mA 5000vrms 35kV / µs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP266J(E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp266j (e 0,8800
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TLP Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP266 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 1,27 V 30 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 600µA (TYP) Oui 200 V / µs 10m 30 µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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