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Isolatheurs (172)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
PC81713NIP0X	-	RFQ	8422	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	10 mA	5000vrms				200% à 500 µA	500% à 500 µA	-	200 MV
PC3H7DJ0000F	-	RFQ	7703	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)		Dc		1	Transistor	4 minutes-plate	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	2500 VRM				120% @ 1mA	240% @ 1mA	-	200 MV
PC123X2YIP1B	-	RFQ	7215	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	6 000	50m	4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms				-	-	-	200 MV
PC365NJ0000F	1.1200	RFQ	39	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	PC365	Dc		1	Darlington	4 minutes-plate	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	80m	60 µs, 53 µs	35V	1,2 V	10 mA	3750 VRM				600% à 500 µA	-	-	1v
PC817X2NSZ1B	0.2029	RFQ	8358	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	PC817X2	Dc		1	Transistor	À 4 plombes	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	100	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	-				-	-	-	200 MV
PC123X2YFZ0F	-	RFQ	8142	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	100	50m	4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms				100% @ 5mA	250% @ 5mA	-	200 MV
PC817X7NIP1B	-	RFQ	7586	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	6 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	-				-	-	-	200 MV
PC367NJ0000F	1.1300	RFQ	1	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	PC367	Dc		1	Transistor	4 minutes-plate	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	10 mA	3750 VRM				100% @ 500µA	500% à 500 µA	-	200 MV
PC3H711NIP1H	-	RFQ	2267	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-	-	-		-			-	-	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	10 500	-	-	-	-		-				-	-	-	-
S2S3LY0F	-	RFQ	7871	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Obsolète	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 md	S2S3L		CSA, UR, VDE	1	Triac	4 md	télécharger		1 (illimité)	425-2419-5	EAR99	8541.49.8000	5 000				1,2 V	50 mA	3750 VRM	600 V	50 mA	3,5 mA					Non	100V / µs	5ma	100 µs (max)
PC851XNNIP1H	0,3872	RFQ	6126	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	PC851	Dc		1	Transistor	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 5 µs	350 V	1,2 V	50 mA	-				-	-	-	300 mV
PC123CJ0000F	-	RFQ	6886	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	100	50m	4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms				200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	200 MV
PC367N2J000F	1.0700	RFQ	27	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	PC367	Dc		1	Transistor	4 minutes-plate	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	10 mA	3750 VRM				200% à 500 µA	400% à 500 µA	-	200 MV
Pc725v0nszxf	-	RFQ	8068	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-25 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes		Dc		1	Darlington Avec la base	6 plombs	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	425-2161-5	EAR99	8541.49.8000	500	150m	100 µs, 20 µs	300 V	1,2 V	50 mA	5000vrms				1000% @ 1mA	15000% @ 1mA	-	1,2 V
PC817X1NSZ1B	0.1951	RFQ	1897	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	PC817X1	Dc		1	Transistor	À 4 plombes	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	100	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	-				-	-	-	200 MV
PC357NJ0000F	0,7900	RFQ	100	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	PC357	Dc		1	Transistor	4 minutes-plate	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	3750 VRM				50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
Pc817x3nip0f	-	RFQ	3752	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	5000vrms				200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	200 MV
Pc3sf21yvzaf	-	RFQ	4601	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes	PC3SF21		BSI, CSA, Demko, Fimko, Semko, Ur, VDE	1	Triac	6 plombs	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000vrms	600 V	100 mA	3,5 mA					Oui	1kV / µs	10m	50 µs (max)
Pc4sf11ytzbf	-	RFQ	7928	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes	PC4SF11		BSI, CSA, Demko, Fimko, Semko, Ur, VDE	1	Triac	6 plombs	télécharger	Rohs conforme	2 (1 AN)	425-2659-5	EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000vrms	800 V	100 mA	3,5 mA					Non	50v / µs	7m	100 µs (max)
PC817X3NSZ0F	-	RFQ	1462	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	5000vrms				200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	200 MV
Pc817xnnip0f	-	RFQ	1971	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	5000vrms				50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
Pc817xnnip1b	-	RFQ	6286	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	6 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	-				-	-	-	200 MV
S2S3LA0F	1.6400	RFQ	10	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 md	S2S3LA0		CSA, ur	1	Triac	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000				1,2 V	50 mA	3750 VRM	600 V	50 mA	3,5 mA					Non	100V / µs	5ma	100 µs (max)
PC123X1YFZ0F	-	RFQ	8462	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms				50% @ 5mA	150% @ 5mA	-	200 MV
Pc3sd11ytzah	-	RFQ	6527	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	PC3SD11		CSA, UR, VDE	1	Triac	À 4 plombes	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000vrms	600 V	100 mA	3,5 mA					Non	1kV / µs	10m	100 µs (max)
PC3SD11YTZCH	0,5796	RFQ	8681	Technologie Sharp / Socle	3SD11	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes	PC3SD11		-	1	Triac	6 plombs	télécharger				EAR99	8541.49.8000	3 000				1,2 V	50 mA	5000vrms	600 V	100 mA	3,5 mA					Non	1kV / µs	5ma	100 µs (max)
S2S5FA0F	0 2964	RFQ	7492	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	S2S5FA0		Ur	1	Triac	4 md	télécharger	Rohs conforme			EAR99	8541.49.8000	3 000				1,2 V	50 mA	3750 VRM	600 V	50 mA	3,5 mA					Non	500 V / µs	-	100 µs
Pc852xnnip1h	-	RFQ	8140	Technologie Sharp / Socle	PC852X	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	8 000	150m	100 µs, 20 µs	350 V	1,2 V	50 mA	5000vrms				1000% @ 1mA	15000% @ 1mA	-	1,2 V
Pc3sd11ntzch	0 5080	RFQ	7428	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes	PC3SD11		CSA, ur	1	Triac	6 plombs	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000vrms	600 V	100 mA	3,5 mA					Non	1kV / µs	5ma	100 µs (max)
PC81713NSZ0X	-	RFQ	7165	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	100	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	10 mA	5000vrms				200% à 500 µA	500% à 500 µA	-	200 MV

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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