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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Power - Max | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration de la sortie | Méthode de réception | Taille de Pixel | RÉASE DE PIXELS ACTIF | Cadres par seconde | Longueur d'Onde | Orientation | Angle de vision | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Distance de rétesction | Temps de Réponse | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Courant - Sombre (id) (max) | Type de diode | Couleur - Améliorée | PLAGE Spectrale | Réactivité @ nm | Courant - Dark (Typ) | Zone active |
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![]() | QVL21653 | - | ![]() | 3778 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | Module, broches pc, type de machine à sume | Non amplifié | QVL216 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | QVL21653-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | Phototransistor | À Travers Le Faisseau | 50 mA | 0,787 "(20 mm) | - | 30 V | 20 mA | ||||||||||||||||||||
![]() | Kai-2020-aba-cr-ba | - | ![]() | 4149 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Abandonné à sic | -50 ° C ~ 70 ° C (TA) | Module 32-CDIP | CCRC | Kai-2020 | 14,5V ~ 15,5 V | 32-CDIP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 7,4 µm x 7,4 µm | 1600h x 1200v | 35 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MT9D131C12STC-TP | - | ![]() | 8458 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 70 ° C | 48-CLCC | CMOS AVEC Processeur | MT9D131 | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-CLCC (14.22x14.22) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2832-MT9D131C12STC-TPTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 850 | 2,8 µm x 2,8 µm | 1600h x 1200v | 15 | ||||||||||||||||||||||
Ar0136at3c00xuea0-drbr | 32.7300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | onsemi | - | Plateau | Actif | - | 63 LBGA | CMOS | AR0136 | - | 63-ibga (9x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 2 600 | 3,75 µm x 3 75 µm | 1280h x 960v | 60 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | QSC114C | - | ![]() | 6336 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Obsolète | - | Par le trou | Radial, 3 mm de dia (T-1) | QSC114 | 100 MW | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.7080 | 250 | 880 nm | Vue de Haut Niveau | 8 ° | 30 V | 100 Na | |||||||||||||||||||||||
H21A1 | - | ![]() | 4306 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | À Travers Le Trou, La Bride | Épingle à fentes, broche PC | Non amplifié | H21A | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.9500 | 50 | Phototransistor | À Travers Le Faisseau | 50 mA | 0,118 "(3 mm) | 8 µs, 150 µs | 30 V | 20 mA | ||||||||||||||||||||||
![]() | QSE973 | - | ![]() | 5984 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | À 226-2, à 92-2 (à 226AC) | QSE973 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | QSE973-NDR | EAR99 | 8541.49.1050 | 1 000 | 930 nm | 90 ° | 50ns | 32 V | Épingle | - | - | - | 30na | - | ||||||||||||||||||
![]() | KDT00030ATR | 0,8100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 2 md, j-lead | Kdt00030 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.7080 | 3 000 | 630 nm | Vue de Haut Niveau | - | 6 V | 1,1 mA | 40 NA | ||||||||||||||||||||||
QSB363YR | 0,3131 | ![]() | 5803 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 2 Mous, Galet de Joug | QSB363 | 75 MW | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.7080 | 1 000 | 940 nm | Vue de Haut Niveau | 24 ° | 30 V | 100 Na | |||||||||||||||||||||||
![]() | QRC1113 | - | ![]() | 6229 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | Prise en charge de PCB | QRC111 | Phototransistor | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | QRC1113-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | Réfléchissant | 50 mA | 0,150 "(3,81 mm) | 8 µs, 8 µs | 30 V | 20 mA | |||||||||||||||||||||
![]() | Kai-02050-fba-jb-b2-t | - | ![]() | 5721 | 0,00000000 | onsemi | - | Plateau | Obsolète | -50 ° C ~ 70 ° C (TA) | 68-BPGA | CCRC | KAI-02050 | 14,5V ~ 15,5 V | 68-PGA (33x20) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 192 | 5,5 µm x 5,5 µm | 1600h x 1200v | 68 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Kai-04022-cba-cd-ba | - | ![]() | 1620 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Obsolète | -50 ° C ~ 70 ° C (TA) | Module 34 CDIP | CCRC | KAI-04022 | 14,5V ~ 15,5 V | 34-CDIP | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-kai-04022-cba-cd-ba-on | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 7,4 µm x 7,4 µm | 2048h x 2048v | 16 | |||||||||||||||||||||||
Mt9v034c12stm-dp1 | 25.2000 | ![]() | 5082 | 0,00000000 | onsemi | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 70 ° C | 48-PLCC | CMOS | Mt9v034 | 3V ~ 3,6 V | 48-PLCC (11.43x11.43) | télécharger | Rohs3 conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 152 | 6 µm x 6µm | 752h x 480v | 60 | ||||||||||||||||||||||||
Microfj-30035-TSV-TR-TR | 25.6200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | onsemi | Sipm de la Série J | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 8-WBGA | Microfj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.1050 | 3 000 | 420 nm | - | 110ps | 24.7 V | Avalanche | - | 200 nm ~ 900 nm | - | 1,9 µA | 9,43 mm² |
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