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Diodes (421)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Courant - Max | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JDH2S02FSTPL3 | 0 4600 |  | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 125 ° C (TJ) | 2 mm, plomb plat | JDH2S02 | FSC | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | 10 mA | 0,3pf à 0,2 V, 1 MHz | Schottky - Célibataire | 10V | - | ||||||||||||||||||||
 | CRG05 (TE85L, Q, M) | 0 4600 | | 6290 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | CRG05 | Standard | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,2 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||
| JDH2S01FSTPL3 | - | | 7312 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 125 ° C (TJ) | 2 mm, plomb plat | JDH2S01 | FSC | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | 25 mA | 0,6 PF à 0,2 V, 1 MHz | Schottky - Célibataire | 4V | - | ||||||||||||||||||||
 | 1sv229tph3f | 0,3800 | | 9260 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 1sv229 | USC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | 6.5pf @ 10v, 1MHz | Célibataire | 15 V | 2.5 | C2 / C10 | - | ||||||||||||||||||
| Jdv2s07fstpl3 | 0,0718 | | 6225 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | 2 mm, plomb plat | JDV2S07 | FSC | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | 4.9pf @ 1v, 1MHz | Norme - Célibataire | 10V | - | |||||||||||||||||||||
| CMS30I40A (TE12L, QM | 0,6100 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | CMS30 | Schottky | M-flat (2.4x3.8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 550 mV @ 3 a | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | 3A | 62pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||||
 | JDH3D01STE85LF | - | | 3604 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 ° C (TJ) | SC-75, SOT-416 | JDH3D01 | SSM | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 25 mA | 0,6 PF à 0,2 V, 1 MHz | Schottky | 4V | - | ||||||||||||||||||||
 | CLS03 (TE16L, PCD, Q) | - | | 5355 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | Support de surface | L-Flat ™ | CLS03 | Schottky | L-Flat ™ (4x5,5) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 580 MV @ 10 A | 1 ma @ 60 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 10A | 345pf @ 10v, 1MHz | ||||||||||||||||||
 | CES520, L3F | 0,1800 | | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523 | CES520 | Schottky | Échap | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 600 mV @ 200 mA | 5 µA @ 30 V | 125 ° C (max) | 200m | 17pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
| CRS15I30A (TE85L, QM | 0 4500 | | 4972 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | CRS15I30 | Schottky | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 460 MV @ 1,5 A | 60 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 1.5a | 50pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||||
| CMF02 (TE12L, Q, M) | - | | 3945 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SOD-128 | CMF02 | Standard | M-flat (2.4x3.8) | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | CMF02 (TE12LQM) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2 V @ 1 A | 50 µA à 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||
| 1sv271tph3f | - | | 8514 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 125 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | 1Sv271 | USC | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | 50 mA | 0,4pf @ 50v, 1 MHz | Broche - simple | 50v | 4,5 ohm @ 10mA, 100mhz | ||||||||||||||||||||
 | 1Sv308 (Th3, F) | - | | 8277 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | 125 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | 1sv308 | Échap | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | 50 mA | 0,5pf @ 1v, 1MHz | Broche - simple | 30V | 1,5 ohm @ 10mA, 100mhz | |||||||||||||||||||||
| Cry75 (TE85L, Q, M) | - | | 7359 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | Sod-123f | Cry75 | 700 MW | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA à 4,5 V | 7,5 V | 30 ohms | |||||||||||||||||||
| Bav70, LM | 0,2100 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV70 | Standard | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 215mA | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 200 na @ 80 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||
| CMF04 (TE12L, Q, M) | 0,5300 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | CMF04 | Standard | M-flat (2.4x3.8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 2,5 V @ 500 mA | 100 ns | 50 µA à 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 500mA | - | ||||||||||||||||
| CRS08 (TE85L) | - | | 9469 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | Sod-123f | CRS08 | Schottky | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 360 MV @ 1,5 A | 1 ma @ 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 1.5a | - | |||||||||||||||||
 | JDH2S02SL, L3F | 0,4200 | | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2-md, pas d'Avance | JDH2S02 | Schottky | SL2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 10 V | 25 µA à 500 mV | 125 ° C (max) | 10m | 0,25pf à 200 mV, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| CLH06 (TE16L, Q) | - | | 9941 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | Support de surface | L-Flat ™ | CLH06 | Standard | L-Flat ™ (4x5,5) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 35 ns | - | 5A | - | |||||||||||||||||||
| CMZ20 (TE12L, Q, M) | 0,5400 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-128 | Cmz20 | 2 W | M-flat (2.4x3.8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 14 V | 20 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||
 | TBAT54, LM | 0,2100 | | 545 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TBAT54 | Schottky | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 580 mV @ 100 mA | 1,5 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C (max) | 140m | - | ||||||||||||||||
| CRS30I30A (TE85L, QM | 0,5000 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | CRS30I30 | Schottky | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 490 MV @ 3 A | 100 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 3A | 82pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||||
| CUS05F40, H3F | 0,3000 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-76, SOD-323 | CUS05F40 | Schottky | USC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 810 MV @ 500 mA | 15 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | 500mA | 28pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
 | TRS12N65FB, S1Q | 4.9600 | | 55 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | TRS12N65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247 | - | 1 (illimité) | 264-TRS12N65FBS1Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 6A (DC) | 1,6 V @ 6 A | 0 ns | 30 µA à 650 V | 175 ° C | ||||||||||||||||
| 1SS389, L3F | 0,2000 | | 3437 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 1SS389 | Schottky | Échap | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 10 V | 500 mV à 100 mA | 20 µA @ 10 V | 125 ° C (max) | 100 mA | 40pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
 | CCS15F40, L3F | 0,4800 | | 49 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2-md, pas d'Avance | CCS15F40 | Schottky | CST2C | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 640 MV @ 1,5 A | 25 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | 1.5a | 130pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
| CRS04 (TE85L, Q, M) | 0 4600 | | 112 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | CRS04 | Schottky | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 510 MV @ 1 A | 100 µA @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | 47pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||||
| CMZ18 (TE12L, Q, M) | 0,5400 | | 1725 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-128 | CMZ18 | 2 W | M-flat (2.4x3.8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 13 V | 18 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||
| CRZ12 (TE85L, Q, M) | 0.4900 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | CRZ12 | 700 MW | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA @ 8 V | 12 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||
 | CUHS20S30, H3F | 0,3700 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | CUHS20 | Schottky | US2H | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 410 MV @ 2 A | 500 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 2A | 390pf @ 0v, 1MHz |
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