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Diodes (421)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Courant - Max | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CLS01, LFJFQ (O | - |  | 1100 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | Support de surface | L-Flat ™ | CLS01 | Schottky | L-Flat ™ (4x5,5) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 470 MV @ 10 A | 1 ma @ 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 10A | 530pf @ 10v, 1MHz | ||||||||||||||||||
 | 1SS424 (TPL3, F) | 0 2200 | | 62 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 1SS424 | Schottky | Échap | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 20 V | 500 mV @ 200 mA | 50 µA @ 20 V | 125 ° C (max) | 200m | 20pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
 | CMH05A (TE12L, Q, M) | - | | 6271 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SOD-128 | CMH05A | Standard | M-flat (2.4x3.8) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,8 V @ 1 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||
| CRG04A, LQ (M | - | | 4458 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Boîte | Actif | Support de surface | Sod-123f | Standard | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||
 | CUS15S30, H3F | 0,3500 | | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-76, SOD-323 | CUS15S30 | Schottky | USC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 400 mV @ 1 a | 500 µA @ 30 V | 125 ° C (max) | 1.5a | 200pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
 | 1SS315TPH3F | 0,0600 | | 6355 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 125 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | 1SS315 | USC | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 30 mA | 0,6 PF à 0,2 V, 1 MHz | Schottky - Célibataire | 5V | - | ||||||||||||||||||||
 | HN2S03FE (TE85L, F) | - | | 8154 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | HN2S03 | Schottky | ES6 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 4 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 3 indépendant | 20 V | 50m | 550 mV @ 50 mA | 500 na @ 20 V | 125 ° C (max) | ||||||||||||||||||
 | 1SS370te85lf | - | | 2146 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 1SS370 | Standard | SC-70 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 200 V | 1,2 V @ 100 mA | 60 ns | 1 µA @ 200 V | 125 ° C (max) | 100 mm | 3pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||
 | 1SS361CT (TPL3) | 0,3400 | | 242 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-101, SOT-883 | 1SS361 | Standard | CST3 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 100 mm | 1,2 V @ 100 mA | 1,6 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||
 | 1SS321, LF | 0,3200 | | 41 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS321 | Schottky | S-mini | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 10 V | 1 V @ 50 Ma | 500 na @ 10 V | 125 ° C (max) | 50m | 3.2pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
| 1SV314 (TPL3, F) | 0,3800 | | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 1SV314 | Échap | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 000 | 3,4pf à 2,5 V, 1 MHz | Célibataire | 10 V | 2.5 | C0.5 / C2.5 | - | ||||||||||||||||||
| CES388, L3F | 0,2000 | | 52 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523 | CES388 | Schottky | Échap | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 600 mV à 100 mA | 5 µA @ 40 V | 125 ° C (max) | 100 mm | 25pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
| CRG03 (TE85L, Q, M) | - | | 5772 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | Sod-123f | CRG03 | Standard | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | CRG03 (TE85L, Q) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||
| CRS20I40A (TE85L, QM | 0,5000 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | CRS20I40 | Schottky | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 600 mV @ 2 A | 60 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | 2A | 35pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||||
| 1SS398TE85LF | 0,5000 | | 71 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS398 | Standard | S-mini | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | Connexion de la Séririe 1 paire | 400 V | 100 mm | 1,3 V @ 100 mA | 500 ns | 100 na @ 400 V | 125 ° C (max) | ||||||||||||||||
| 1SS397te85lf | 0,4100 | | 8305 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 1SS397 | Standard | SC-70 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 400 V | 1,3 V @ 100 mA | 500 ns | 1 µA @ 400 V | 125 ° C (max) | 100 mm | 5pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||
| CUS15S40, H3F | 0,3900 | | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-76, SOD-323 | CUS15S40 | Schottky | USC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 450 mV @ 1 a | 200 µA @ 40 V | 125 ° C (max) | 1.5a | 170pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
 | CBS10S40, L3F | 0,4300 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2-md, pas d'Avance | CBS10S40 | Schottky | CST2B | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 550 mV @ 1 a | 150 µA @ 40 V | 125 ° C (max) | 1A | 120pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
 | 1SS404, H3F | 0,2000 | | 55 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 1SS404 | Schottky | USC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 450 MV à 300 mA | 50 µA @ 20 V | 125 ° C (max) | 300mA | 46pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
| CUS10S30, H3F | 0,3500 | | 195 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-76, SOD-323 | CUS10S30 | Schottky | USC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 230 mv @ 100 mA | 500 µA @ 30 V | 125 ° C (max) | 1A | 135pf @ 0v, 1MHz | |||||||||||||||||
 | TRS20N65FB, S1F (S | - | | 1932 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | TRS20N65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247 | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TRS20N65FBS1F (S | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 10A (DC) | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 90 µA à 650 V | 175 ° C (max) | |||||||||||||||
| CRS10I40B (TE85L, QM | 0 4700 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | CRS10I40 | Schottky | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 450 mV @ 1 a | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | 1A | 62pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||||
 | CTS05S30, L3F | 0,3400 | | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-882 | CTS05S30 | Schottky | CST2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 340 MV @ 100 mA | 150 µA @ 10 V | 125 ° C (max) | 500mA | 55pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||
| CRS08 (TE85L, Q, M) | 0,5200 | | 29 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | CRS08 | Schottky | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 360 MV @ 1,5 A | 1 ma @ 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 1.5a | 90pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||||
| TRS20N65D, S1F | - | | 9963 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 247-3 | TRS20N | Schottky | À 247 | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 10A (DC) | 1,7 V @ 10 A | 90 µA à 650 V | 175 ° C (max) | |||||||||||||||||
| CMZ36 (TE12L, Q, M) | 0,5800 | | 2937 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-128 | 2 W | M-flat (2.4x3.8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 28,8 V | 36 V | 30 ohms | |||||||||||||||||||
| TRS6E65H, S1Q | 2.3200 | | 400 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220-2L | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 264-TRS6E65H, S1Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,35 V @ 6 A | 0 ns | 70 µA à 650 V | 175 ° C | 6A | 392pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||
| TRS16N65D, S1F | - | | 6491 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 247-3 | TRS16N | Schottky | À 247 | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 8A (DC) | 1,7 V @ 8 A | 90 µA à 650 V | 175 ° C (max) | |||||||||||||||||
| CRS15I30B (TE85L, QM | 0.1292 | | 7231 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | CRS15I30 | Schottky | S-Flat (1.6x3.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 400 mV @ 1,5 A | 100 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 1.5a | 82pf @ 10v, 1MHz | |||||||||||||||||
| CMS20I30A (TE12L, QM | 0,5800 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | CMS20 | Schottky | M-flat (2.4x3.8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 450 MV @ 2 A | 100 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 2A | 82pf @ 10v, 1MHz |
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