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Transistors (3592)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
RGW50TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW50TS65GC11 4.7400
RFQ
 ECAD 8799 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 156 W À 247n télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 450 400V, 25A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 50 a 100 A 1,9 V @ 15V, 25A 390 µJ (ON), 430µJ (OFF) 73 NC 35ns / 102ns
RGW50TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW50TK65GVC11 5.5100
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-3pfm, sc-93-3 Standard 67 W À 3pfm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 450 400V, 25A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 30 A 100 A 1,9 V @ 15V, 25A 390 µJ (ON), 430µJ (OFF) 73 NC 35ns / 102ns
2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR554PHZGT100 0,6900
RFQ
 ECAD 175 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa 500 MW SOT-89 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 1 000 80 V 1,5 A 1µA (ICBO) NPN 300 mV à 25mA, 500mA 120 @ 100mA, 3V 300 MHz
EMB52T2R Rohm Semiconductor EMB52T2R 0,3900
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 EMB52 150mw EMT6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 8 000 50v 100 mA 500NA 2 PNP Pré-biaisé (Double) 150 mV à 500 µA, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250 MHz 47 kohms 47 kohms
DTA124ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA124ECAHZGT116 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA124 200 MW SST3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 56 @ 5mA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
DTC123JCAHZGT116 Rohm Semiconductor Dtc123jcahzgt116 0,3700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW SST3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2,2 kohms 47 kohms
QH8KB6TCR Rohm Semiconductor QH8KB6TCR 1.1100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat QH8KB6 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.1W (TA) Tsmt8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 40V 8a (ta) 17.7MOHM @ 8A, 10V 2,5 V @ 1MA 10.6nc @ 10v 530pf @ 20v -
RGSX5TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65HRC11 8.9300
RFQ
 ECAD 395 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Rgsx5ts65 Standard 404 W À 247n télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RGSX5TS65HRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 114 A 225 A 2.15V @ 15V, 75A 3,32MJ (on), 1,9mJ (off) 79 NC 43ns / 113ns
2SCR563F3TR Rohm Semiconductor 2SCR563F3TR 0,9000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 3-UDFN 1 W HUML2020L3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 3 000 50 V 6 A 1µA (ICBO) NPN 350 MV @ 150mA, 3A 180 @ 500mA, 3V 200 MHz
RGSX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65EHRC11 11.7500
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Rgsx5ts65 Standard 404 W À 247n télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RGSX5TS65EHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10OHM, 15V 116 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 114 A 225 A 2.15V @ 15V, 75A 3 44MJ (ON), 1,9MJ (off) 79 NC 43ns / 113ns
RRS090P03HZGTB Rohm Semiconductor RRS090P03HZGTB 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) RRS090 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 9a (ta) 4V, 10V 15.4MOHM @ 9A, 10V 2,5 V @ 1MA 30 NC @ 5 V ± 20V 3000 pf @ 10 V - 2W (ta)
SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor Sct2280kehrc11 15.1500
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm Automobile, AEC-Q101 Tube Actif 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 SCT2280 Sicfet (carbure de silicium) À 247n télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-SCT2280KRC11 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 14A (TC) 18V 364MOHM @ 4A, 18V 4V @ 1,4mA 36 NC @ 400 V + 22V, -6V 667 PF @ 800 V - 108W (TC)
RGW80TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65HRC11 6.9900
RFQ
 ECAD 5388 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 RGW80 Standard 214 W À 247n télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RGW80TS65HRC11 EAR99 8541.29.0095 450 400V, 20A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 80 A 160 A 1,9 V @ 15V, 40A 110 NC 42ns / 148ns
RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor RQ3G110ATTB 1.6100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn RQ3G110 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-HSMT (3.2x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 40 V 11A (TA), 35A (TC) 4,5 V, 10V 12.4MOHM @ 11A, 10V 2,5 V @ 1MA 46 NC @ 10 V ± 20V 2750 pf @ 20 V - 2W (ta)
R6511KND3TL1 Rohm Semiconductor R6511knd3tl1 2.2900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 R6511 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 650 V 11a (TC) 10V 400mohm @ 3,8a, 10v 5V à 320µA 22 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 25 V - 124W (TC)
R6520ENXC7G Rohm Semiconductor R6520NXC7G 5.3400
RFQ
 ECAD 987 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET R6520 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-R6520Enxc7g EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 20A (TA) 10V 205MOHM @ 9.5A, 10V 4V à 630µA 61 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 68W (TC)
R6020KNXC7G Rohm Semiconductor R6020knxc7g 4.9000
RFQ
 ECAD 775 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET R6020 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-R6020KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 20A (TA) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20V 1550 pf @ 25 V - 68W (TC)
R6524KNXC7G Rohm Semiconductor R6524knxc7g 5.5800
RFQ
 ECAD 990 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET R6524 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-R6524KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 24a (TA) 10V 185MOHM @ 11.3A, 10V 5V @ 750µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 25 V - 74W (TC)
R6002ENHTB1 Rohm Semiconductor R6002enhtb1 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) R6002 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 1.7A (TA) 10V 3,4 ohm @ 500mA, 10V 4V @ 1MA 6,5 NC @ 10 V ± 20V 65 PF @ 25 V - 2W (ta)
BSS138BKT116 Rohm Semiconductor BSS138BKT116 0,4200
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 60 V 400mA (TA) 2,5 V, 10V 680MOHM @ 400mA, 10V 2V @ 10µA ± 20V 47 PF @ 30 V - 200MW (TA)
RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor RS3E130ATTB1 2.0500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Rs3e MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 13a (ta) 4,5 V, 10V 8,5 mohm @ 13a, 10v 2,5 V @ 2MA 83 NC @ 10 V ± 20V 3730 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
RGS00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65EHRC11 9.6400
RFQ
 ECAD 7821 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 RGS00 Standard 326 W À 247n télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RGS00TS65EHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 50A, 10OHM, 15V 113 NS Arête du Champ de Tranché 650 V 88 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A - 58 NC 36ns / 115ns
RQ3E100BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB1 1.0700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn RQ3E100 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-HSMT (3.2x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 10A (TA), 21A (TC) 4,5 V, 10V 10,4MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 15 V - 2W (TA), 15W (TC)
RXL035N03TCR Rohm Semiconductor Rxl035n03tcr 0,7800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 6 mm, plombes plombes Rxl035 MOSFET (Oxyde Métallique) Tumt6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 3.5A (TA) 4V, 10V 50 mohm @ 3,5a, 10v 2,5 V @ 1MA 3,3 NC @ 5 V ± 20V 180 pf @ 10 V - 910mw (TA)
RQ3E070BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB1 0,9300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn RQ3E070 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-HSMT (3.2x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 7a (Ta), 15A (TC) 4,5 V, 10V 27MOHM @ 7A, 10V 2,5 V @ 1MA 8,9 NC @ 10 V ± 20V 410 PF @ 15 V - 2W (TA), 13W (TC)
RGW40TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW40TK65GVC11 5.4100
RFQ
 ECAD 1287 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-3pfm, sc-93-3 RGW40 Standard 61 W À 3pfm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RGW40TK65GVC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 27 A 80 A 1,9 V @ 15V, 20A 330 µJ (ON), 300µJ (OFF) 59 NC 33ns / 76ns
RGTH60TS65GC13 Rohm Semiconductor RGTH60TS65GC13 5.2100
RFQ
 ECAD 8180 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 RGTH60 Standard 194 W À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RGTH60TS65GC13 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 58 A 120 A 2.1V @ 15V, 30A - 58 NC 27NS / 105NS
RGW40TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW40TK65DGVC11 6.3500
RFQ
 ECAD 3728 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-3pfm, sc-93-3 RGW40 Standard 61 W À 3pfm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RGW40TK65DGVC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10OHM, 15V 92 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 27 A 80 A 1,9 V @ 15V, 20A - 59 NC 33ns / 76ns
RXH090N03TB1 Rohm Semiconductor RXH090N03TB1 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) RXH090 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 9a (ta) 4V, 10V 17MOHM @ 9A, 10V 2,5 V @ 1MA 6,8 NC @ 5 V ± 20V 440 pf @ 10 V - 2W (ta)
RXH100N03TB1 Rohm Semiconductor RXH100N03TB1 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) RXH100 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 10A (TA) 4V, 10V 13MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 1MA 11 NC @ 5 V ± 20V 800 pf @ 10 V - 2W (ta)
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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