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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGW50TS65DGC11 | 5.6600 | ![]() | 446 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 156 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 25A, 10OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 50 a | 100 A | 1,9 V @ 15V, 25A | 390 µJ (ON), 430µJ (OFF) | 73 NC | 35ns / 102ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR293PHZGT100 | 0,5600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 500 MW | SOT-89 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 30 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 350 mV @ 25mA, 500mA | 270 @ 100mA, 2V | 320 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMH52T2R | 0,3900 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | EMH52 | 150mw | EMT6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 000 | 50v | 100 mA | 500NA | 2 npn - Pré-biaisé (double) | 150 mV à 500 µA, 5mA | 80 @ 5mA, 10V | 250 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6535KNX3C16 | 6.8600 | ![]() | 165 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | R6535 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-R6535KNX3C16 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 35A (TC) | 10V | 115MOHM @ 18.1A, 10V | 5V @ 1,3mA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 370W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | BSS138BWAHZGT106 | 0,4000 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BSS138 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 380mA (TA) | 2,5 V, 10V | 680mohm @ 380mA, 10V | 2V @ 10µA | ± 20V | 47 PF @ 30 V | - | 200 MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGW00TS65CHRC11 | 13.7800 | ![]() | 6826 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGW00 | Standard | 254 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGW00TS65CHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 10OHM, 15V | 33 ns | - | 650 V | 96 A | 200 A | 1,9 V @ 15V, 50A | 180 µJ (ON), 420µJ (OFF) | 141 NC | 49NS / 180NS | |||||||||||||||||||||
![]() | Rgsx5ts65egc11 | 9.7900 | ![]() | 438 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Rgsx5ts65 | Standard | 404 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGSX5TS65EGC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75A, 10OHM, 15V | 116 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 114 A | 225 A | 2.15V @ 15V, 75A | 3 44MJ (ON), 1,9MJ (off) | 79 NC | 43ns / 113ns | |||||||||||||||||||||
![]() | R6509end3tl1 | 2.2700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | R6509 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 650 V | 9A (TC) | 10V | 585mohm @ 2,8a, 10v | 4V à 230 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 430 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | UT6KB5TCR | 0,9200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-Powerudfn | UT6KB5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W (ta) | HUML2020L8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 5A (TA) | 48MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 3.5nc @ 10v | 150pf @ 20v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR544PHZGT100 | 0,6700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 500 MW | SOT-89 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-2SCR544PHZGT100CT | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 30 V | 2 A | 1µA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 50mA, 1A | 120 @ 100mA, 3V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UT6K3TCR1 | 1 0000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-Powerudfn | UT6K3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W (ta) | HUML2020L8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5.5A (TA) | 42MOHM @ 5A, 4,5 V | 1,5 V @ 1MA | 4nc @ 4,5 V | 450pf @ 15v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TK65EGVC11 | 7.3400 | ![]() | 450 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-3pfm, sc-93-3 | RGW80 | Standard | 81 W | À 3pfm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGW80TK65EGVC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10 ohms, 15v | 102 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 39 A | 160 A | 1,9 V @ 15V, 40A | 760µJ (ON), 720µJ (OFF) | 110 NC | 44ns / 143ns | |||||||||||||||||||||
![]() | Rgwx5ts65dgc11 | 8.1700 | ![]() | 1971 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Rgwx5ts65 | Standard | 348 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGWX5TS65DGC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75A, 10OHM, 15V | 101 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 132 A | 300 A | 1,9 V @ 15V, 75A | 2 39mJ (on), 1 68mJ (off) | 213 NC | 64NS / 229NS | |||||||||||||||||||||
SP8M24HZGTB | 2.1000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SP8M24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.4W (TA) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-SP8M24HZGTBCT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 45v | 4.5A (TA), 3.5A (TA) | 46MOHM @ 4.5A, 10V, 63MOHM @ 3,5A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 9.6nc @ 5v, 18.2nc @ 5v | 550pf @ 10v, 1700pf @ 10v | - | ||||||||||||||||||||||||
RV5A040APTCR1 | 0,9200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-POWERWFDFN | RV5A040 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DFN1616-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 4a (ta) | 1,5 V, 4,5 V | 62MOHM @ 4A, 4,5 V | 1v @ 1MA | 16 NC @ 4,5 V | -8v, 0v | 2000 pf @ 6 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | EM6M2T2CR | - | ![]() | 5034 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | EM6M2 | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-EM6M2T2CRTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 8 000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH50TS65DGC13 | 5.6800 | ![]() | 9147 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGTH50 | Standard | 174 W | À 247g | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGTH50TS65DGC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V, 25A, 10OHM, 15V | 58 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 50 a | 100 A | 2.1V @ 15V, 25A | - | 49 NC | 27NS / 94NS | |||||||||||||||||||||
![]() | R6535enz4c13 | 7.5100 | ![]() | 571 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | R6535 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247g | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-R6535enz4c13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 35A (TC) | 10V | 115MOHM @ 18.1A, 10V | 4V @ 1,21MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 379W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RGTH40TS65DGC13 | 5.3500 | ![]() | 2611 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGTH40 | Standard | 144 W | À 247g | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGTH40TS65DGC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V, 20A, 10OHM, 15V | 58 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 40 A | 80 A | 2.1V @ 15V, 20A | - | 40 NC | 22NS / 73NS | |||||||||||||||||||||
![]() | RGT60TS65DGC13 | 10.5100 | ![]() | 8559 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGT60 | Standard | 194 W | À 247g | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGT60TS65DGC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400 V, 30A, 10OHM, 15V | 58 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 55 A | 90 A | 2.1V @ 15V, 30A | - | 58 NC | 29ns / 100ns | |||||||||||||||||||||
![]() | R6524KNX3C16 | 4.5500 | ![]() | 388 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | R6524 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185MOHM @ 11.3A, 10V | 5V @ 750µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 25 V | - | 253W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RX3G18BGNC16 | 6.5900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | RX3G18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 180a (TC) | 4,5 V, 10V | 1 64MOHM @ 90A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 168 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 20 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGW00TS65DHRC11 | 8.2600 | ![]() | 425 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGW00 | Standard | 254 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGW00TS65DHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 25A, 10OHM, 15V | 90 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 96 A | 200 A | 1,9 V @ 15V, 50A | 141 NC | 48ns / 186ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6035VNXC7G | 5.8200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6035 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-R6035VNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 17A (TC) | 10v, 15v | 114MOHM @ 8A, 15V | 6,5 V @ 1.1mA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 2400 PF @ 100 V | - | 81W (TC) | |||||||||||||||||||||
SCT2080KEGC11 | 26.0100 | ![]() | 7091 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | SCT2080 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-SCT2080KEGC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | Canal n | 1200 V | 40A (TC) | 18V | 117MOHM @ 10A, 18V | 4V @ 4,4mA | 106 NC @ 18 V | + 22V, -6V | 2080 PF @ 800 V | - | 262W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6524knjtl | 6.6500 | ![]() | 5561 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | R6524 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185MOHM @ 11.3A, 10V | 5V @ 750µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 25 V | - | 245W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6509knjtl | 3.4100 | ![]() | 94 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | R6509 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 9A (TC) | 10V | 585mohm @ 2,8a, 10v | 5V à 230 µA | 16,5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3080KRC14 | 17.1400 | ![]() | 708 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-4 | SCT3080 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247-4L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 31A (TC) | 18V | 104MOHM @ 10A, 18V | 5.6V @ 5mA | 60 NC @ 18 V | + 22V, -4V | 785 PF @ 800 V | - | 165W | ||||||||||||||||||||||
![]() | Umh1ntn | 0,0992 | ![]() | 1662 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMH1 | 150mw | Umt6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50v | 100 mA | 500NA | 2 npn - Pré-biaisé (double) | 300 mV à 500 µA, 10mA | 56 @ 5mA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RSQ015N06TR | 0,2100 | ![]() | 9373 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | RSQ015 | MOSFET (Oxyde Métallique) | TSMT6 (SC-95) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 1.5A (TA) | 4V, 10V | 290MOHM @ 1,5A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 2 nc @ 5 V | ± 20V | 110 pf @ 10 V | - | 950MW (TA) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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