SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
APT26M100JCU3 Microchip Technology APT26M100JCU3 38.3300
RFQ
ECAD 6973 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 8 ™ En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc APT26M100 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1000 V 26A (TC) 10V 396MOHM @ 18A, 10V 5V @ 2,5mA 305 NC @ 10 V ± 30V 7868 PF @ 25 V - 543W (TC)
JAN2N6678T1 Microchip Technology Jan2N6678T1 -
RFQ
ECAD 3839 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif 200 ° C (TJ) Par le trou À 254-3, à 254aa (Tête Droite) À 254 - Rohs non conforme Atteindre non affecté 0000.00.0000 1 400 V 15 A - NPN - - -
JANS2N2369AUBC/TR Microchip Technology Jans2n2369aubc / tr 252.5510
RFQ
ECAD 6525 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 360 MW UBC - Atteindre non affecté 150-Jans2n2369aubc / tr EAR99 8541.21.0095 50 15 V 400NA NPN 450 MV @ 10mA, 100mA 20 @ 100mA, 1V -
JANS2N3735 Microchip Technology Jans2n3735 136.9008
RFQ
ECAD 4544 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/395 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 1 W To-39 (to-205ad) - Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 40 V 1,5 A 10µA (ICBO) NPN 900 MV à 100MA, 1A 20 @ 1A, 1,5 V -
APT8020LFLLG Microchip Technology Apt8020lfllg 42.8100
RFQ
ECAD 1779 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Apt8020 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 [l] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 800 V 38A (TC) 10V 220mohm @ 19a, 10v 5V @ 2,5mA 195 NC @ 10 V ± 30V 5200 pf @ 25 V - 694W (TC)
JANTX2N2219 Microchip Technology Jantx2N2219 -
RFQ
ECAD 3328 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/251 En gros Abandonné à sic -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 2N2219 800 MW To-39 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 30 V 800 mA 10na NPN 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
JANS2N2907AUB Microchip Technology Jans2n2907aub 18.6702
RFQ
ECAD 7139 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/291 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 4-md, pas d'Avance 2N2907 500 MW Ub télécharger Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 50na Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
JANTXV2N2814 Microchip Technology Jantxv2n2814 -
RFQ
ECAD 7302 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif 200 ° C (TJ) Soutien À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon To-61 - Rohs non conforme Atteindre non affecté 0000.00.0000 1 80 V 10 a - NPN - - -
JANTXV2N5796U Microchip Technology Jantxv2n5796u 149.0904
RFQ
ECAD 6840 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/496 En gros Actif -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 6 MD, Pas de plomb 2N5796 600mw 6 mm - Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60V 600mA 10µA (ICBO) 2 pnp (double) 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
2N2920 Microchip Technology 2N2920 36.1893
RFQ
ECAD 2464 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif 200 ° C (TJ) Par le trou To-78-6 Metal Can 2N292 350mw To-78-6 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60V 30m 10µA (ICBO) 2 npn (double) 300 mV à 100 µA, 1MA 300 @ 1MA, 5V -
JAN2N2604 Microchip Technology Jan2n2604 109.5654
RFQ
ECAD 7759 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/354 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206ab, to-46-3 Métal peut 2N2604 400 MW To-46 (to-206ab) - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60 V 30 mA 10na Pnp 300 mV à 500 µA, 10mA 60 @ 500µA, 5V -
APT58F50J Microchip Technology APT58F50J 33.5100
RFQ
ECAD 8532 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 8 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Apt58f50 MOSFET (Oxyde Métallique) Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 58A (TC) 10V 65MOHM @ 42A, 10V 5V @ 2,5mA 340 NC @ 10 V ± 30V 13500 pf @ 25 V - 540W (TC)
2N5885 Microchip Technology 2N5885 63.9597
RFQ
ECAD 4521 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif 2N5885 - Rohs non conforme Atteindre non affecté 2N5885ms EAR99 8541.29.0095 1
JANTXV2N6648 Microchip Technology Jantxv2n6648 132.2286
RFQ
ECAD 3766 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/527 En gros Actif -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 5 W To-204aa (to-3) - Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 40 V 10 a 1MA (ICBO) PNP - Darlington 3V @ 100mA, 10A 1000 @ 5A, 3V -
90024-06TX Microchip Technology 90024-06TX -
RFQ
ECAD 9141 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif - Par le trou To-204aa, to-3 To-3 - Rohs non conforme Atteindre non affecté 0000.00.0000 1 - - - - -
APT27GA90BD15 Microchip Technology Apt27ga90bd15 6.3900
RFQ
ECAD 60 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Apt27ga90 Standard 223 W À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 600v, 14a, 10 ohms, 15v Pt 900 V 48 A 79 A 3.1V @ 15V, 14A 413 µJ (ON), 287µJ (OFF) 62 NC 9NS / 98NS
2N6377 Microchip Technology 2N6377 115.3110
RFQ
ECAD 9001 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif 2N6377 - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
JANTXV2N5672 Microchip Technology Jantxv2n5672 -
RFQ
ECAD 2655 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/488 En gros Abandonné à sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 2N5672 6 W To-3 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 120 V 30 A 10m NPN 5V @ 6A, 30A 20 @ 20A, 5V -
MSC017SMA120S Microchip Technology MSC017SMA120 43.9203
RFQ
ECAD 5012 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa MSC017SMA Sicfet (carbure de silicium) D3pak télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-MSC017SMA120 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 100A (TC) 20V 22MOHM @ 40A, 20V 2,7 V @ 4,5mA (TYP) 249 NC @ 20 V + 22V, -10V 5280 pf @ 1000 V - 357W (TC)
APTGF50H60T1G Microchip Technology Aptgf50h60t1g -
RFQ
ECAD 6281 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Obsolète - Soutenir de châssis SP1 250 W Standard SP1 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 ONDULEUR DE PONT ACHET NPT 600 V 65 A 2 45 V @ 15V, 50A 250 µA Oui 2,2 nf @ 25 V
JANTXV2N1717S Microchip Technology Jantxv2n1717s -
RFQ
ECAD 3463 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif 175 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut To-39 (to-205ad) - Rohs non conforme Atteindre non affecté 0000.00.0000 1 100 V 750 mA - NPN - - -
APTC80AM75SCG Microchip Technology APTC80AM75SCG 261.7400
RFQ
ECAD 7659 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP6 Aptc80 MOSFET (Oxyde Métallique) 568W SP6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 N-Canal (Demi-pont) 800 V 56a 75MOHM @ 28A, 10V 3,9 V @ 4MA 364nc @ 10v 9015pf @ 25v -
APT10M11JVRU3 Microchip Technology Apt10m11jvru3 31.4600
RFQ
ECAD 4082 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Apt10m11 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 142a (TC) 10V 11MOHM @ 71A, 10V 4V @ 2,5mA 300 NC @ 10 V ± 30V 8600 pf @ 25 V - 450W (TC)
2N4033UA Microchip Technology 2N4033UA 18.7397
RFQ
ECAD 3773 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 4-md, pas d'Avance 2N4033 500 MW Ua télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 80 V 1 a 10µA (ICBO) Pnp 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V -
APT10050LVR Microchip Technology APT10050LVR -
RFQ
ECAD 7914 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS V® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 (l) - 150-APT10050LVR 1 Canal n 1000 V 21A (TC) 10V 500 MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 1MA 500 NC @ 10 V ± 30V 7900 pf @ 25 V - 520W (TC)
MSCSM70VR1M10CTPAG Microchip Technology Mscsm70vr1m10ctpag 801.0200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM70 Carbure de silicium (sic) 674W (TC) - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM70VR1M10CTPAG EAR99 8541.29.0095 1 6 Canaux N (phase Jambe de) 700 V 238A (TC) 9.5MOHM @ 80A, 20V 2,4 V @ 8mA 430nc @ 20v 9000pf @ 700v -
2N6383 Microchip Technology 2N6383 63.2016
RFQ
ECAD 9957 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 2N6383 6 W To-204aa (to-3) télécharger Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 40 V 10 a 1 mA Npn - darlington 3V @ 100mA, 10A 1000 @ 5A, 3V -
JANS2N5154L Microchip Technology Jans2n5154l 67.8904
RFQ
ECAD 9041 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/544 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 1 W To-5 - Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 80 V 1 mA 1 mA NPN 1,5 V @ 500mA, 5A 70 @ 2,5a, 5v -
JANS2N4150 Microchip Technology Jans2n4150 -
RFQ
ECAD 4413 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/394 En gros Abandonné à sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 1 W To-5 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 70 V 10 a 10 µA NPN 2,5 V @ 1A, 10A 40 @ 5A, 5V -
2N5954 Microchip Technology 2N5954 44.9673
RFQ
ECAD 8710 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif 2N5954 - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock