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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Aptgt50da120tg	83.4000	RFQ	5898	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	Aptgt50				277 W	Standard	SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire																		Arête du Champ de Tranché	1200 V	75 A		2.1V @ 15V, 50A					250 µA	Oui	3,6 nf @ 25 V
Jantx2N1483	214.3960	RFQ	7582	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/180	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 233aa, à 8-3					1,75 W		To-8	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				40 V	3 A							15 µA			NPN	1,20 V @ 75mA, 750A	20 @ 750mA, 4V	-
Jantx2n6051	57.8550	RFQ	7497	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/501	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	2N6051				150 W		To-204aa (to-3)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	12 A							1 mA			PNP - Darlington	3V @ 120mA, 12A	1000 @ 6A, 3V	-
Apt20m22jvr	32.6000	RFQ	7787	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Apt20m22			MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						200 V	97a (TC)		22MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 2,5mA	435 NC @ 10 V		10200 pf @ 25 V	-
Aptc60tam35pg	257.8900	RFQ	2803	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	Aptc60			MOSFET (Oxyde Métallique)	416W		SP6-P	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)							600 V	72a		35MOHM @ 72A, 10V	3,9 V @ 5,4mA	518nc @ 10v		14000pf @ 25v	-
Jantx2N3867	29.7388	RFQ	6507	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/350	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3867				1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				40 V	3 mA							100 µA (ICBO)			Pnp	1,5 V @ 250mA, 2,5A	40 @ 1.5a, 2v	-
Jan2N3740	32.7180	RFQ	3334	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/441	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N3740				25 W		To-66 (à 213aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				60 V	4 A							10 µA			Pnp	600 mV à 125mA, 1A	30 @ 250mA, 1V	-
Jantx2n5681	25.2301	RFQ	2524	Technologie des micropuces	Mil-prf-19500/583	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N5681				1 W		To-39	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				100 V	1 a							10 µA			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 250mA, 2V	-
Jansd2n5151u3	229.9812	RFQ	8710	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					1,16 W		U3	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n5151u3			1																				80 V	2 A							50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
Jans2n2222al	72.6750	RFQ	4272	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN					500 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				50 V	800 mA							50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n5664	-	RFQ	1373	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/455	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N5664				2,5 W		To-66 (à 213aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				200 V	5 a							200na			NPN	1V @ 1A, 5A	40 @ 1A, 5V	-
Jan2N3439UA	161.0896	RFQ	3803	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance					800 MW		Ua	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				350 V	2 µA							2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
Jantx2n3735	10.1346	RFQ	9976	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/395	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3735				1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				40 V	1,5 A							10 µA			NPN	900 MV à 100MA, 1A	20 @ 1A, 1,5 V	-
Jansd2n3635	129.5906	RFQ	2421	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				140 V	10 µA							10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
MSCSM120AM027D3AG	1 0000	RFQ	3843	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120			Carbure de silicium (sic)	2,97 kW (TC)		-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120AM027D3AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)							1200V (1,2 kV)	733a (TC)		3,5 mohm @ 360a, 20v	2,8 V @ 27mA	2088nc @ 20v		27000pf @ 1000v	-
2N3879A	24.3600	RFQ	3469	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2					35 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n3879a	EAR99	8541.29.0095	1																				75 V	7 A							25mA (ICBO)			NPN	1,2 V @ 400mA, 4A	20 @ 4a, 5v	-
Jans2n3810	88.5404	RFQ	6048	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810				350mw		To-78-6	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				60V	50m							10µA (ICBO)			2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
Jansl2n3019s	114.8808	RFQ	4168	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					800 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n3019s			1																				80 V	1 a							10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Apt25gp120bg	10.6800	RFQ	8	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt25gp120	Standard			417 W		À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1				600V, 25A, 5OHM, 15V															Pt	1200 V	69 A	90 A	3,9 V @ 15V, 25A	500 µJ (ON), 438µJ (OFF)	110 NC	12NS / 70NS
Arf461bg	59.2200	RFQ	8374	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	1000 V			À 247-3	ARF461		65 MHz	Mosfet			À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1	Canal n		25 µA			150W	15 dB											-									50 V
2N4036L	16.8000	RFQ	8451	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif												-			Atteindre non affecté	150-2n4036l			1
Jan2N3741	18.4870	RFQ	3257	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/441	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N3741				25 W		To-66 (à 213aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	4 A							10 µA			Pnp	600 mV à 125mA, 1A	30 @ 250mA, 1V	-
Jantx2N5416	11.0922	RFQ	3708	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/485	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N5416				750 MW		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				300 V	1 a							1 mA			Pnp	2v @ 5mA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	-
Jansd2n3501l	41.5800	RFQ	2805	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-jansd2n3501l			1																				150 V	300 mA							10µA (ICBO)			NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n3700ub	13.3000	RFQ	7866	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N3700				500 MW		3-UB (2.9x2.2)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				80 V	1 a							10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	50 @ 500mA, 10V	-
MDSGN-750ELMV	-	RFQ	3528	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	150 V		Support de surface	55 kilomés			1,03 GHz ~ 1,09 GHz	Ourlet			55 kilomés	télécharger			Atteindre non affecté	150-MDSGN-750ELMV	EAR99	8541.29.0095	5			-		100 mA	800W	19.1 dB											-									50 V
2N2218AL	9.0041	RFQ	3819	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N2218				800 MW		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				50 V	800 mA							10na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Apt8020jll	44.7300	RFQ	6228	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Apt8020			MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						800 V	33A (TC)	10V	200 mohm @ 16,5a, 10v	5V @ 2,5mA	195 NC @ 10 V	± 30V	5200 pf @ 25 V	-	520W (TC)
Apt1201r4sfllg	24.3800	RFQ	3815	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif			Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Apt1201			MOSFET (Oxyde Métallique)			D3 [s]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						1200 V	9A (TC)		1,4 ohm @ 4,5a, 10v	5V @ 1MA	120 NC @ 10 V		2500 pf @ 25 V	-
Arf465bg	61.8200	RFQ	3633	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	1200 V			À 247-3	ARF465		40,68 MHz	Mosfet			À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1	Canal n		6A			150W	15 dB											-									300 V

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Unité de produit standard
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