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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jantxv2n3498u4 / tr	-	RFQ	6539	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W		U4	-			Atteindre non affecté	150-jantxv2n3498u4 / tr			50														100 V	500 mA		50NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jans2n5794uc	349.2324	RFQ	9545	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/495	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N5794		600mw		UC	-			Atteindre non affecté	150-Jans2n5794UC			1														40V	600mA		10µA (ICBO)			2 npn (double)	900 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5629	74.1300	RFQ	1195	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-204aa, to-3			200 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n5629	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	16 A		-			Pnp	-	-	-
Nsc1167	-	RFQ	2978	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif									-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-NSC1167			1
2N5632	74.1300	RFQ	5749	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-204aa, to-3			150 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n5632	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	10 a		-			NPN	-	-	-
Jankcch2n3500	-	RFQ	5346	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCCH2N3500			100														150 V	300 mA		10µA (ICBO)			NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N2221AUB / TR	8.8800	RFQ	2770	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-2n2221AUB / TR	EAR99	8541.21.0095	107														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n6058	89.8548	RFQ	2956	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/502	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-3	2N6058		150 W		To-3 (to-204aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	12 A		1 mA			Npn - darlington	3V @ 120mA, 12A	1000 @ 6A, 3V	-
Apt10m19bvr	-	RFQ	1749	Technologie des micropuces	Power MOS V®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247-3	-				150-APT10M19BVR	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Canal n	100 V	75A (TC)	10V	190mohm @ 37,5a, 10v	4V @ 1MA	300 NC @ 10 V	± 30V	6120 pf @ 25 V	-	370W (TC)
Jansl2n3635	129.5906	RFQ	6759	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														140 V	10 µA		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
Jansl2n2369aub	252.5510	RFQ	6221	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	3 mm, pas de plomb			400 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n2369aub			1														20 V			400NA			NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	40 @ 10mA, 1v	-
90025-01TX	-	RFQ	9949	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	À 213aa, à 66-2					To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																	-			-	-	-	-
Mnskcb2n2907a	-	RFQ	9033	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-MNSKCB2N2907A			100														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Apt5010lfllg	17.3900	RFQ	31	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt5010	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	46A (TC)	10V	100MOHM @ 23A, 10V	5V @ 2,5mA	95 NC @ 10 V	± 30V	4360 PF @ 25 V	-	520W (TC)
Jansf2n2907al	102.0806	RFQ	2917	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jansf2n2907al			1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantx2n5416ua	187.6763	RFQ	6924	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/485	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N5416		750 MW		Ua	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														300 V	1 a		1 mA			Pnp	2v @ 5mA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	-
APT100GT60JRDQ4	-	RFQ	3354	Technologie des micropuces	Thunderbolt igbt®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Isotop	APT100		500 W	Standard	Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												NPT	600 V	148 A	2,5 V @ 15V, 100A	50 µA	Non	5.15 NF @ 25 V
Apt10050jvfr	41.5700	RFQ	8299	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT10050	MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	19A (TC)		500 MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 2,5mA	500 NC @ 10 V		7900 pf @ 25 V	-
2C3767-MSCL	10.9500	RFQ	2120	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2c3767-mscl			1
Jankccr2n3498	-	RFQ	3919	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-JANKCCR2N3498	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	500 mA		10µA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N2907AUA	-	RFQ	9572	Technologie des micropuces	-	En gros	Abandonné à sic	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2907		500 MW		Ua	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2N2907AUAMS	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jansf2n2222aub	146.8306	RFQ	6705	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n3879	41.0039	RFQ	8641	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/526	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N3879		35 W		To-66 (à 213aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														75 V	7 A		25mA (ICBO)			NPN	1,2 V @ 400mA, 4A	20 @ 4a, 5v	-
Jantx2n5663	-	RFQ	4895	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/454	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N5663		1 W		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														300 V	2 A		200na			NPN	800mV @ 400mA, 2A	25 @ 500mA, 5V	-
Jansr2n3439u4	444.0800	RFQ	9897	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			800 MW		U4	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														350 V	2 µA		2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
Jantxv2n3762u4	-	RFQ	3703	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					U4	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1														40 V	1,5 A		-			Pnp	-	-	-
MSC035SMA170S	41,5000	RFQ	8695	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa		Sicfet (carbure de silicium)			D3pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSC035SMA170	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n	1700 V	59a (TC)	20V	45MOHM @ 30A, 20V	3,25 V @ 2,5mA (TYP)	178 NC @ 20 V	+ 23v, -10V	3300 pf @ 1000 V	-	278W (TC)
APTM50DAM17G	230.1100	RFQ	5005	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM50	MOSFET (Oxyde Métallique)			SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	180a (TC)	10V	20MOHM @ 90A, 10V	5V @ 10mA	560 NC @ 10 V	± 30V	28000 pf @ 25 V	-	1250W (TC)
Apt8043bfllg	19.3300	RFQ	6784	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	Apt8043	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	800 V	20A (TC)		430MOHM @ 10A, 10V	5V @ 1MA	85 NC @ 10 V		2500 pf @ 25 V	-
AptGl120TA120TPG	294.8500	RFQ	7669	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	Aptgl120		517 W	Standard	SP6-P	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Triphasé												Arête du Champ de Tranché	1200 V	140 a	2.15 V @ 15V, 100A	250 µA	Oui	6.2 NF @ 25 V

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