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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jantx2n5794a	120.3406	RFQ	8492	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/495	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N5794				600mw		To-78-6	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				40V	600mA							10µA (ICBO)			2 npn (double)	900 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Apt20m22lvrg	19.9300	RFQ	2263	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt20m22			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						200 V	100A (TC)	10V	22MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 2,5mA	435 NC @ 10 V	± 30V	10200 pf @ 25 V	-	520W (TC)
Apt6030bvrg	12.5200	RFQ	2048	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Par le trou	À 247-3	Apt6030			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						600 V	21A (TC)		300mohm @ 10.5a, 10v	4V @ 1MA	150 NC @ 10 V		3750 pf @ 25 V	-
Jantx2N3762L	-	RFQ	4245	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/396	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					1 W		To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				40 V	1,5 A							100 µA (ICBO)			Pnp	900 MV à 100MA, 1A	40 @ 500mA, 1V	-
2N6280	92.0892	RFQ	7010	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N6280							-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Apt5015bvrg	12.9000	RFQ	9390	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Par le trou	À 247-3	Apt5015			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						500 V	32A (TC)		150 MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 1MA	300 NC @ 10 V		5280 pf @ 25 V	-
Apt30m19jvr	74.5100	RFQ	5489	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT30M19			MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						300 V	130a (TC)	10V	19MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 5mA	975 NC @ 10 V	± 30V	21600 pf @ 25 V	-	700W (TC)
Jan2N5680	24.0198	RFQ	3395	Technologie des micropuces	Mil-prf-19500/582	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N5680				1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				120 V	1 a							10 µA			Pnp	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 250mA, 2V	-
Jansd2n2219al	114.6304	RFQ	6790	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/251	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					800 MW		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n2219al			1																				50 V	800 mA							10na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Mic94050bm4 tr	-	RFQ	5267	Technologie des micropuces	Symfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 253-4, à 253aa	Mic94050			MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-143	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p						6 V	1.8A (TA)	1,8 V, 4,5 V	160MOHM @ 100mA, 4,5 V	1,2 V à 250µA		6V	600 pf @ 5,5 V	-	568mw (TA)
Jankcbm2n3440	-	RFQ	7364	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					800 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCBM2N3440			100																				250 V	1 a							2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
2N4150	10.1745	RFQ	7141	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N4150				1 W		To-5aa	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				70 V	10 a							10 µA			NPN	2,5 V @ 1A, 10A	50 @ 1A, 5V	-
APTC60HM35T3G	144.4600	RFQ	9096	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptc60			MOSFET (Oxyde Métallique)	416W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal (Demi-pont)							600 V	72a		35MOHM @ 72A, 10V	3,9 V @ 5,4mA	518nc @ 10v		14000pf @ 25v	-
Jan2N7370	-	RFQ	8615	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/624	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)	2N7370				100 W		À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				100 V	12 A							1 mA			Npn - darlington	3V @ 120mA, 12A	1000 @ 6A, 3V	-
APT50GT120B2RDQ2G	17.8400	RFQ	6478	Technologie des micropuces	Thunderbolt igbt®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt50gt120	Standard			625 W			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1				800V, 50A, 4,7 ohms, 15v															NPT	1200 V	94 A	150 a	3,7 V @ 15V, 50A	2330 µJ (off)	340 NC	24 ns / 230ns
MSCSM120AM08T3AG	395.6500	RFQ	6291	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120			Carbure de silicium (sic)	1.409KW (TC)		-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120AM08T3AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)							1200V (1,2 kV)	337a (TC)		7,8MOHM @ 160A, 20V	2,8 V @ 12mA	928nc @ 20v		12100pf @ 1000v	-
Jantx2N5661	-	RFQ	8381	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/454	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N5661				2 W		To-66 (à 213aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Q9584396	EAR99	8541.29.0095	1																				300 V	2 A							200na			NPN	800mV @ 400mA, 2A	25 @ 500mA, 5V	-
2N3789	79.2900	RFQ	7858	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	To-204aa, to-3					150 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n3789	EAR99	8541.29.0095	1																				60 V	10 a							-			Pnp	-	-	-
Aptgt50dda60t3g	62.9200	RFQ	5083	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptgt50				176 W	Standard	SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Double Chopper Boost																		Arête du Champ de Tranché	600 V	80 A		1,9 V @ 15V, 50A					250 µA	Oui	3,15 nf @ 25 V
MSCSM120AM042CT6LIAG	924.8800	RFQ	2365	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120			Carbure de silicium (sic)	2.031KW (TC)		Sp6c Li	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120AM042CT6LIAG	EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)							1200V (1,2 kV)	495A (TC)		5,2MOHM @ 240A, 20V	2,8 V @ 6mA	1392nc @ 20v		18100pf @ 1kV	-
Jansl2n3700ub / tr	40.3302	RFQ	6654	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N3700				500 MW		Ub	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jansl2n3700UB / TR	EAR99	8541.21.0095	1																				80 V	1 a							10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
MSCSM120SKM31CTBL1NG	118.9300	RFQ	27	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120			Sicfet (carbure de silicium)			-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120SKM31CTBL1NG	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						1200 V	79a	20V	31MOHM @ 40A, 20V	2,8 V @ 1MA	232 NC @ 20 V	+ 25V, -10V	3020 pf @ 1000 V	-	310W
Apt84m50b2	18.6700	RFQ	2548	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	APT84M50			MOSFET (Oxyde Métallique)			T-MAX ™ [B2]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						500 V	84a (TC)	10V	65MOHM @ 42A, 10V	5V @ 2,5mA	340 NC @ 10 V	± 30V	13500 pf @ 25 V	-	1135W (TC)
Jantxv2n3999p	158.6158	RFQ	9841	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/374	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 210aa, à 59-4, Étalon					2 W		To-59	-			Atteindre non affecté	150-Jantxv2n3999p			1																				80 V	10 a							10 µA			NPN	2V @ 500mA, 5A	80 @ 1A, 2V	-
APTGT200A120D3G	264.8800	RFQ	9479	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module d-3	APTGT200				1040 W	Standard	D3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont																		Arête du Champ de Tranché	1200 V	300 A		2.1V @ 15V, 200A					6 mA	Non	14 nf @ 25 V
0912GN-500LV	-	RFQ	5939	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	150 V		Support de surface	55 kilomés			960 MHz ~ 1 215 GHz	Ourlet			55 kilomés	télécharger			Atteindre non affecté	150-0912GN-500LV	EAR99	8541.29.0095	1			-		100 mA	550W	16,5 dB											-									50 V
JanHCC2N5151	34.1677	RFQ	5292	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/545	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Janhcc2n5151	EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	2 A							50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
Jans2n3700ub	38.6602	RFQ	6395	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N3700				500 MW		Ub	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2266-Jans2n3700UB	EAR99	8541.21.0095	1																				80 V	1 a							10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	50 @ 500mA, 10V	-
Jansl2n3499	41.5800	RFQ	4966	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n3499			1																				100 V	500 mA							10µA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantx2N5154	-	RFQ	8911	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	2 A							50 µA			NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-

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