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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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Apt75m50b2 | 12.6000 | ![]() | 7606 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | Variante à 247-3 | APT75M50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | T-MAX ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 75A (TC) | 10V | 75MOHM @ 37A, 10V | 5V @ 2,5mA | 290 NC @ 10 V | ± 30V | 11600 pf @ 25 V | - | 1040W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jansm2n2907aua | 155.8004 | ![]() | 8780 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/291 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | 500 MW | Ua | - | Atteindre non affecté | 150-JANSM2N2907AUA | 1 | 60 V | 600 mA | 50na | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv2n930 | 10.9592 | ![]() | 8945 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/253 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | 2n930 | 300 MW | À 18 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 30 mA | 2NA | NPN | 1V @ 500µA, 10mA | 100 @ 10µA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5957 | 519.0900 | ![]() | 9089 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | En gros | Actif | - | Soutien | À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon | 175 W | To-61 | - | Atteindre non affecté | 150-2n5957 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 20 a | - | Pnp | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VN2460N3-G-P014 | 1.2200 | ![]() | 3733 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tape & Box (TB) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | VN2460 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 160mA (TJ) | 4,5 V, 10V | 20OHM @ 100mA, 10V | 4V @ 2MA | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5664 | - | ![]() | 9275 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 150-2c5664 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Aptgt75da60t1g | 44.8900 | ![]() | 7259 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP1 | Aptgt75 | 250 W | Standard | SP1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Célibataire | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 100 A | 1,9 V @ 15V, 75A | 250 µA | Oui | 4,62 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N6383 | 57.0836 | ![]() | 2621 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PF-19500/523 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-204aa, to-3 | 2N6383 | 6 W | To-204aa (to-3) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 10 a | 1 mA | Npn - darlington | 3V @ 100mA, 10A | 1000 @ 5A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MV2N4391 | 53.8650 | ![]() | 5552 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | * | En gros | Actif | MV2N4391 | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VN2410L-G-P013 | 0,9800 | ![]() | 3646 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tape & Box (TB) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | VN2410 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 240 V | 190mA (TJ) | 2,5 V, 10V | 10OHM @ 500mA, 10V | 2v @ 1MA | ± 20V | 125 PF @ 25 V | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
Apt75gp120b2g | 25.5200 | ![]() | 4868 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | Power MOS 7® | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | Variante à 247-3 | Apt75gp120 | Standard | 1042 W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 75A, 5OHM, 15V | Pt | 1200 V | 100 A | 300 A | 3,9 V @ 15V, 75A | 1620µJ (ON), 2500 µJ (OFF) | 320 NC | 20ns / 163ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n6987 | 33.9150 | ![]() | 5484 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/558 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | 14-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | 2N6987 | 1,5 w | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60V | 600mA | 10µA (ICBO) | 4 pnp (quad) | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
Jankccr2n5153 | - | ![]() | 5534 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/545 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | 1 W | To-39 (to-205ad) | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 150-JANKCCR2N5153 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | Pnp | 1,5 V @ 500mA, 5A | 70 @ 2,5a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX2N5116UB | 86.9288 | ![]() | 3766 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | 500 MW | Ub | - | Atteindre non affecté | 150-MX2N5116UB | 1 | Canal p | 30 V | 27pf @ 15v | 30 V | 5 ma @ 15 V | 1 V @ 1 na | 175 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TP5335MF-G-VAO | - | ![]() | 6686 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-VDFN | TP5335 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DFN (2x2) | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 150-TP5335MF-G-VAOTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 350 V | 85mA (TJ) | 4,5 V, 10V | 30OHM @ 200mA, 10V | 2,4 V @ 1MA | ± 20V | 110 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt1204r7bfllg | 10.6700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | Power MOS 7® | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | APT1204 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 [b] | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 1200 V | 3.5a (TC) | 10V | 4,7 ohm @ 1,75a, 10v | 5V @ 1MA | 31 NC @ 10 V | ± 30V | 715 PF @ 25 V | - | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2945AUB / TR | 25.9483 | ![]() | 9012 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | 400 MW | Ub | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 150-2n2945aub / tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 V | 100 mA | 10µA (ICBO) | Pnp | - | 70 @ 1MA, 500 mV | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n2222aub | 7.1000 | ![]() | 2540 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/255 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | 2N2222 | 500 MW | Ub | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 mA | 50na | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2N1613L | 116.1888 | ![]() | 7998 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/181 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-205aa, to-5-3 Métal Peut | 800 MW | To-5 | - | Rohs non conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 V | 500 mA | 10µA (ICBO) | NPN | 1,5 V @ 15mA, 150mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptc60tam35pg | 257.8900 | ![]() | 2803 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP6 | Aptc60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 416W | SP6-P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 Canaux N (phases Pont 3) | 600 V | 72a | 35MOHM @ 72A, 10V | 3,9 V @ 5,4mA | 518nc @ 10v | 14000pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans2n3499ub | 85.3202 | ![]() | 6631 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/366 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | 1 W | Ub | - | Atteindre non affecté | 150-Jans2n3499UB | 1 | 100 V | 500 mA | 10µA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 30mA, 300mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jankcbp2n3439 | - | ![]() | 2720 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/368 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | 800 MW | To-39 (to-205ad) | - | Atteindre non affecté | 150-JANKCBP2N3439 | 100 | 350 V | 1 a | 2µA | NPN | 500 mV @ 4ma, 50mA | 40 @ 20mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL475A120D3G | 392.6425 | ![]() | 6737 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module d-3 | APTGL475 | 2080 W | Standard | D3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Demi-pont | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 610 A | 2.2 V @ 15V, 400A | 5 mA | Non | 24,6 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n2907aub / tr | 12.4355 | ![]() | 5865 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/291 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | 2N2907 | 500 MW | Ub | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 150-Jantxv2n2907AUB / TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50na | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx2n4405 | 216.4575 | ![]() | 1242 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | En gros | Actif | 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | 2N4405 | To-39 | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1487 | 58.8900 | ![]() | 2055 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-204aa, to-3 | 75 W | To-204Ad (to-3) | - | Atteindre non affecté | 150-2n1487 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 6 A | 25 µA (ICBO) | NPN | 3V @ 300mA, 1.5A | 15 @ 1,5a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
MSC360SMA120B | 6.2800 | ![]() | 237 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | MSC360 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 150-MSC360SMA120B | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5011U4 | 93.8250 | ![]() | 9864 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | 1 W | U4 | - | Atteindre non affecté | 150-2n5011u4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V | 200 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1,5 V @ 5mA, 25mA | 30 @ 25mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Apt64ga90b2d30 | 12.1700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | Power MOS 8 ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | Variante à 247-3 | Apt64ga90 | Standard | 500 W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 38A, 4,7 ohms, 15v | Pt | 900 V | 117 A | 193 a | 3.1V @ 15V, 38A | 1192 µJ (ON), 1088µJ (OFF) | 162 NC | 18NS / 131NS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jansr2n2906aub | 149.6008 | ![]() | 6881 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/291 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | 2N2906 | 500 MW | Ub | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50na | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 40 @ 150mA, 10V | - |
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