SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
JANTXV2N3737 Microchip Technology Jantxv2n3737 -
RFQ
ECAD 1049 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/395 En gros Abandonné à sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206ab, to-46-3 Métal peut 500 MW To-46-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 40 V 1,5 A 10µA (ICBO) NPN 900 MV à 100MA, 1A 20 @ 1A, 1,5 V -
2N5416UA/TR Microchip Technology 2N5416UA / TR 47.1751
RFQ
ECAD 6076 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 4-md, pas d'Avance 2N5416 Ua télécharger Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 100 300 V 1 a 50 µA Pnp 2v @ 5mA, 50mA 30 @ 50mA, 10V -
TP0606N3-G-P002 Microchip Technology TP0606N3-G-P002 0,9100
RFQ
ECAD 5491 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) TP0606 MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 60 V 320mA (TJ) 5v, 10v 3,5 ohm @ 750mA, 10V 2,4 V @ 1MA ± 20V 150 pf @ 25 V - 1W (TC)
ARF461AG Microchip Technology Arf461ag 59.2200
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif 1000 V À 247-3 ARF461 65 MHz Mosfet À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 25 µA 150W 15 dB - 50 V
VRF141G Microchip Technology VRF141G 172.8110
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ECAD 3165 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif 80 V SOT-540A VRF141 175 MHz Mosfet - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 Canal n 40a 500 mA 300W 14 dB - 28 V
CC1202 Microchip Technology CC1202 -
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ECAD 1556 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif - - MOSFET (Oxyde Métallique) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 800 V - - - - -
JANSD2N3636UB/TR Microchip Technology Jansd2n3636ub / tr -
RFQ
ECAD 6422 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/357 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 4-md, pas d'Avance 1,5 w Ub - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 175 V 10 µA 10 µA Pnp 600 MV à 5MA, 50mA 50 @ 50mA, 10V -
MSCSM120VR1M11CT6AG Microchip Technology Mscsm120vr1m11ct6ag 569.8500
RFQ
ECAD 4927 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM120 Carbure de silicium (sic) 1.042KW (TC) - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM120VR1M11CT6AG EAR99 8541.29.0095 1 2 n canal (phase de la jambe de) 1200V (1,2 kV) 251a (TC) 10.4MOHM @ 120A, 20V 2,8 V @ 9m 696nc @ 20v 9000pf @ 1000v -
APTGLQ40DDA120CT3G Microchip Technology APTGLQ40DDA120CT3G 106.1000
RFQ
ECAD 6216 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou SP6 AptGlq40 250 W Standard SP6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Double Chopper Boost Arête du Champ de Tranché 1200 V 75 A 2,4 V @ 15V, 40A 100 µA Oui 2.3 NF @ 25 V
2N5796A Microchip Technology 2N5796A 71.0700
RFQ
ECAD 9625 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-78-6 Metal Can 2N5796 600mw To-78-6 - Atteindre non affecté 150-2n5796a EAR99 8541.21.0095 1 60V 600mA 10µA (ICBO) 2 pnp (double) 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
SG2824J Microchip Technology SG2824J -
RFQ
ECAD 2224 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Par le trou 18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2824 - 18-CERDIP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2824J EAR99 8541.29.0095 21 95V 500mA - 8 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA - -
JANSF2N3810 Microchip Technology Jansf2n3810 206.9304
RFQ
ECAD 7765 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/336 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-78-6 Metal Can 2N3810 350mw To-78-6 - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60V 50m 10µA (ICBO) 2 pnp (double) 250 mV à 100 µA, 1MA 150 @ 1MA, 5V -
MSCSM70DUM10T3AG Microchip Technology MSCSM70DUM10T3AG 206.3200
RFQ
ECAD 9713 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM70 Carbure de silicium (sic) 690W (TC) SP3F - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM70DUM10T3AG EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) couronne source 700 V 241a (TC) 9.5MOHM @ 80A, 20V 2,4 V @ 8mA 430nc @ 20v 9000pf @ 700v -
2729GN-300VP Microchip Technology 2729GN-300VP -
RFQ
ECAD 1735 0,00000000 Technologie des micropuces Vice-président En gros Actif 125 V Support de surface 55-qp 2,7 GHz ~ 2,9 GHz Ourlet 55-qp télécharger Atteindre non affecté 150-2729GN-300VP EAR99 8541.29.0095 5 - 75 Ma 335W 15,3 dB - 50 V
JANS2N2904A Microchip Technology Jans2n2904a 68.5204
RFQ
ECAD 3025 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/290 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 800 MW To-39 (to-205ad) - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60 V 1 µA 1 µA Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
APT24M80B Microchip Technology APT24M80B 10.6400
RFQ
ECAD 7481 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 8 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 APT24M80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 800 V 25a (TC) 10V 390MOHM @ 12A, 10V 5V @ 1MA 150 NC @ 10 V ± 30V 4595 PF @ 25 V - 625W (TC)
JAN2N3440U4 Microchip Technology Jan2N3440U4 -
RFQ
ECAD 6993 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/368 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 800 MW U4 - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 250 V 2 µA 2µA NPN 500 mV @ 4ma, 50mA 40 @ 20mA, 10V -
APT37M100L Microchip Technology APT37M100L 21.9200
RFQ
ECAD 8501 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa APT37M100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1000 V 37a (TC) 10V 330MOHM @ 18A, 10V 5V @ 2,5mA 305 NC @ 10 V ± 30V 9835 PF @ 25 V - 1135W (TC)
MSC040SMA120J Microchip Technology MSC040SMA120J 40.7400
RFQ
ECAD 6398 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc MSC040 Sicfet (carbure de silicium) SOT-227 (ISOTOP®) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 691-MSC040SMA120J EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1200 V 53A (TC) 20V 50mohm @ 40A, 20V 2,8 V @ 1MA 137 NC @ 20 V + 25V, -10V 1990 PF @ 1000 V - 208W (TC)
JANKCCP2N5151 Microchip Technology Jankccp2n5151 -
RFQ
ECAD 7967 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/545 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 1 W To-39 (to-205ad) - Atteindre non affecté 150-JANKCCP2N5151 100 80 V 2 A 50 µA Pnp 1,5 V @ 500mA, 5A 30 @ 2,5a, 5v -
APTGT50TL60T3G Microchip Technology Aptgt50tl60t3g 77,9000
RFQ
ECAD 4348 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP3 Aptgt50 176 W Standard SP3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Onduleur à trois niveaux Arête du Champ de Tranché 600 V 80 A 1,9 V @ 15V, 50A 250 µA Oui 3,15 nf @ 25 V
2C3767 Microchip Technology 2C3767 10.9500
RFQ
ECAD 8510 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif - Atteindre non affecté 150-2c3767 1
VN0104N3-G Microchip Technology VN0104N3-G 0,7800
RFQ
ECAD 8318 0,00000000 Technologie des micropuces - Sac Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) VN0104 MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 40 V 350mA (TJ) 5v, 10v 3OHM @ 1A, 10V 2,4 V @ 1MA ± 20V 65 PF @ 25 V - 1W (TC)
JANSL2N2906AUA Microchip Technology Jansl2n2906aua 152.8908
RFQ
ECAD 7881 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/291 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C Support de surface 4-md, pas d'Avance 500 MW Ua - Atteindre non affecté 150-Jansl2n2906aua 1 60 V 600 mA 50na Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
2N4033UB/TR Microchip Technology 2N4033UB / TR 16.5718
RFQ
ECAD 4105 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 500 MW Ub - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-2n4033UB / TR EAR99 8541.21.0095 1 80 V 1 a 10µA (ICBO) Pnp 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V -
2N3250A Microchip Technology 2N3250A 11.5976
RFQ
ECAD 9596 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 2N3250 360 MW To-39 (to-205ad) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60 V 200 mA 10µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 5mA, 50mA 50 @ 10mA, 1V -
2N3420 Microchip Technology 2N3420 18.3939
RFQ
ECAD 3642 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 2N3420 1 W To-5 télécharger Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 60 V 3 A 5µA NPN 500 MV @ 200mA, 2A 40 @ 1A, 2V -
JANSM2N2222AL Microchip Technology Jansm2n2222al 98.5102
RFQ
ECAD 7719 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/255 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 500 MW À 18 (à 206aa) - Atteindre non affecté 150-Jansm2n2222al 1 50 V 800 mA 50na NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
JANTXV2N3442 Microchip Technology Jantxv2n3442 502.1016
RFQ
ECAD 4184 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/370 En gros Actif -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 2N3442 6 W To-3 (to-204aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 140 V 10 a - NPN 1V @ 300mA, 3A 20 @ 3A, 4V -
JANSR2N2905AL Microchip Technology Jansr2n2905al 99.0906
RFQ
ECAD 5773 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/290 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 600 MW To-5aa - Atteindre non affecté 150-Jansr2n2905al 1 60 V 600 mA 1 µA Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock