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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
2N5794	37.4794	RFQ	2843	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N579		600mw		To-78-6	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2N5794ms	EAR99	8541.21.0095	1														40V	600mA		10µA (ICBO)			2 npn (double)	900 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jansm2n2907aub	59.0304	RFQ	9005	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jansm2n2907aub			1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jansd2n2221aub / tr	150.3406	RFQ	5403	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n2221AUB / TR			50														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jan2N4449UA / TR	29.6058	RFQ	1003	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			500 MW		Ua	-			Atteindre non affecté	150-Jan2N4449UA / TR	EAR99	8541.21.0095	100														15 V			400NA			NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	40 @ 10mA, 1v	-
2N5331	660 6600	RFQ	5810	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 211 MO, à 63-4, Étalon			175 W		To-63	-			Atteindre non affecté	150-2n5331	EAR99	8541.29.0095	1														90 V	30 A		-			NPN	-	-	-
APTC60VDAM24T3G	129.7000	RFQ	1745	Technologie des micropuces	CoolMos ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptc60	MOSFET (Oxyde Métallique)	462W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)		600 V	95a		24MOHM @ 47,5A, 10V	3,9 V @ 5mA	300nc @ 10v		14400pf @ 25v	Super jonction
Jankcam2n3634	-	RFQ	1629	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCAM2N3634			100														140 V	1 a		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
Jantx2N5151	13.6192	RFQ	6991	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/545	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N5151		1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	2 A		50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
Jan2N6277	187.5566	RFQ	1933	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/514	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	2N6277		250 W		To-3 (to-204aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														150 V	50 a		50 µA			NPN	3V @ 10A, 50A	30 @ 20A, 4V	-
Jan2N1613	103.7400	RFQ	9912	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/181	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N1613		800 MW		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														30 V	500 mA		10µA (ICBO)			NPN	1,5 V @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jansl2n2219a	114.6304	RFQ	6052	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			800 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n2219a			1														50 V	800 mA		10na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
SG2823L	-	RFQ	2753	Technologie des micropuces	-	Plateau	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	20-CLCC	SG2823		-		20-CLCC (8.89x8.89)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-SG2823L	EAR99	8541.29.0095	50														95V	500mA		-			8 npn darlington	1,6 V @ 500µA, 350mA	-	-
2N4905	45.1535	RFQ	3128	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif				2N4905					-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
2C6189	24.3450	RFQ	6117	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2c6189			1
2N7377	324.9000	RFQ	3815	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa			58 W		À 254aa	-			Atteindre non affecté	150-2n7377	EAR99	8541.29.0095	1														300 V	5 a		-			Pnp	-	-	-
2C3440	9.0307	RFQ	5315	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif									-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2c3440			1
2N5406	26.8050	RFQ	8006	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			7 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-2n5406	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	5 a		-			Pnp	600 mV à 200µA, 2MA	-	-
Jansl2n3019	114.8808	RFQ	2384	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			800 MW		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n3019			1														80 V	1 a		10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n2920a	38.1577	RFQ	4051	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/355	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N2920		350mw		To-78-6	-			Atteindre non affecté	150-Jantxv2N2920A			1														60V	30m		10µA (ICBO)			2 npn (double)	300 mV à 100 µA, 1MA	300 @ 1MA, 5V	-
Jansl2n2906a	99.9500	RFQ	5474	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n2906a			1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jan2N3635L	10.5868	RFQ	7488	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N3635		1 W		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														140 V	1 a		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
Apt10021jll	99.2310	RFQ	6280	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT10021	MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	37a (TC)	10V	210MOHM @ 18.5A, 10V	5V @ 5mA	395 NC @ 10 V	± 30V	9750 pf @ 25 V	-	694W (TC)
2N6326	376.5762	RFQ	8665	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-204aa, to-3			200 W		To-3	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														60 V	30 A		-			Pnp	-	-	-
Jans2n3634ub / tr	-	RFQ	5375	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			1 W		Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50														140 V	10 µA		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
Apt5017svrg	13.3800	RFQ	2486	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	APT5017	MOSFET (Oxyde Métallique)			D3 [s]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	30a (TC)		170MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 1MA	300 NC @ 10 V		5280 pf @ 25 V	-
Apt8056bvrg	15.8300	RFQ	5558	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	APT8056	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2266-APT8056BVRG	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	800 V	16A (TC)		560mohm @ 500mA, 10V	4V @ 1MA	275 NC @ 10 V		4440 PF @ 25 V	-
Apt30gf60ju2	-	RFQ	6554	Technologie des micropuces	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	Isotop			192 W	Standard	SOT-227	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												NPT	600 V	58 A	2,5 V @ 15V, 30A	40 µA	Non	1,85 nf @ 25 V
APTGL700SK120D3G	312.7200	RFQ	9898	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	APTGL700		3000 W	Standard	D3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1200 V	840 A	2.2 V @ 15V, 600A	5 mA	Non	37.2 NF @ 25 V
Jantx2n3635l	11.9700	RFQ	3312	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N3635		1 W		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														140 V	1 a		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
MSCSM120HRM163AG	282.3100	RFQ	3105	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module		Carbure de silicium (sic)			-	-				150-MSCSM120HRM163AG			1	4-CANAUX (Onduleur à Trois Niveaux)										Carbure de silicium (sic)

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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