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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jantxv2n3440u4	-	RFQ	8405	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				800 MW		U4	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			250 V	2 µA			2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
VRF151	70.1300	RFQ	23	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	170 V			M174	VRF151	175 MHz	Mosfet			M174	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1	Canal n		1 mA	250 mA	150W	14 dB											-					50 V
Apt5014sllg	15.9500	RFQ	5598	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Apt5014		MOSFET (Oxyde Métallique)			D3 [s]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					500 V	35A (TC)	10V	140mohm @ 17,5a, 10v	5V @ 1MA	72 NC @ 10 V	± 30V	3261 PF @ 25 V	-	403W (TC)
Mscsm70tam10ctpag	792.4750	RFQ	4584	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM70		Carbure de silicium (sic)	674W (TC)		SP6-P	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM70TAM10CTPAG	EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)						700 V	238A (TC)		9.5MOHM @ 80A, 20V	2,4 V @ 8mA	430nc @ 20v		9000pf @ 700v	-
2N5148	19.4400	RFQ	7134	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				7 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-2n5148	EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	2 A			-			Pnp	-	-	-
Jans2n3636ub	-	RFQ	5752	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance				1,5 w		Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																			175 V	10 µA			10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
2N6671	-	RFQ	8246	Technologie des micropuces	-	En gros	Obsolète		-	Par le trou	To-204aa, to-3				150 W		To-3	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			300 V	8 A			-			Pnp	-	10 @ 8A, 300 V	-
Janhca2n3810	30.9225	RFQ	4849	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810			350 MW		To-78-6	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Janhca2n3810	EAR99	8541.21.0095	1																			60 V	50 mA			10µA (ICBO)			Pnp	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
Jans2n5416u4	-	RFQ	8985	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/485	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N5416			1 W		U4	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			300 V	1 a			1 mA			Pnp	2v @ 5mA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	-
2N6331	124.7939	RFQ	8588	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	To-204aa, to-3				200 W		To-3	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			100 V	30 A			-			Pnp	-	-	-
2N5793	18.8328	RFQ	1731	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N579			500mw		To-78-6	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2N5793ms	EAR99	8541.21.0095	1																			40V	600mA			10µA (ICBO)			2 npn (double)	900 mV @ 30mA, 300mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jan2N3767	26.9724	RFQ	9987	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/518	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N3767			25 W		To-66 (à 213aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	4 A			500 µA			NPN	2,5 V @ 100mA, 1A	40 @ 500mA, 5V	-
Apt1201r6bvfrg	18.9800	RFQ	3717	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Par le trou	À 247-3	Apt1201		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1200 V	8A (TC)		1,6 ohm @ 4a, 10v	4V @ 1MA	230 NC @ 10 V		3660 PF @ 25 V	-
Jantx2N4261UB	-	RFQ	7069	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/511	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				200 MW		Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			15 V	30 mA			10µA (ICBO)			Pnp	350 MV @ 1MA, 10MA	30 @ 10mA, 1V	-
Jan2N3439	12.4355	RFQ	1375	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3439			800 MW		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			350 V	1 a			2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
2N4233A	27.4645	RFQ	9578	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N4233						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
2N1613	18.7397	RFQ	9938	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				800 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	2N1613MS	EAR99	8541.21.0095	1																			30 V	500 mA			10NA (ICBO)			NPN	1,5 V @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
90024-04TX	-	RFQ	2759	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	To-204aa, to-3						To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-90024-04TX			50																							-			Pnp	-	-	-
Jan2N6987U	57.6821	RFQ	4589	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/558	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N6987			1W		6 mm	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			60V	600mA			10µA (ICBO)			4 pnp (quad)	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
APT14M100B	7.5000	RFQ	4296	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	APT14M100		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1000 V	14A (TC)	10V	900MOHM @ 7A, 10V	5V @ 1MA	120 NC @ 10 V	± 30V	3965 PF @ 25 V	-	500W (TC)
2N6678T1	299.7155	RFQ	4218	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N6678						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Jantxv2n7368	-	RFQ	8124	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/622	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)				115 W		À 254	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	1 mA			1 mA			NPN	1V @ 500mA, 5A	50 @ 1A, 2V	-
2N335AT2	65.1035	RFQ	2228	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N335						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Jansp2n3019	114.8808	RFQ	3620	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				800 MW		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansp2n3019			1																			80 V	1 a			10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n3743	-	RFQ	4760	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/397	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			300 V	200 mA			250NA (ICBO)			Pnp	1,2 V @ 3MA, 30mA	50 @ 30mA, 10V	-
APTGT150A60T1G	74.4307	RFQ	8204	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	APTGT150			480 W	Standard	SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont																	Arête du Champ de Tranché	600 V	225 A	1,9 V @ 15V, 150A		250 µA	Oui	9.2 NF @ 25 V
Jan2n2812	-	RFQ	8489	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		200 ° C (TJ)	Soutien	À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon						To-61	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																			60 V	10 a			-			NPN	-	-	-
Jantxv2n335	-	RFQ	1020	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut						To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																			45 V				-			NPN	-	-	-
Jans2n4029	145.2008	RFQ	5717	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/512	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN				500 MW		À 18 (à 206aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			80 V	1 a			10µA (ICBO)			Pnp	1V @ 100mA, 1A	100 @ 100mA, 5V	-
Jans2n3737ub / tr	157.3504	RFQ	1456	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/395	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance				500 MW		Ub	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jans2n3737UB / TR	EAR99	8541.21.0095	1																			40 V	1,5 A			10µA (ICBO)			NPN	900 MV à 100MA, 1A	20 @ 1A, 1,5 V	-

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