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Transistors (5714)

Image	Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	ECAD	Quantité disponible	Poids (kg)	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
	Jantx2n5794u	135.1608	RFQ		8529	0,00000000	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/495	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N5794		600mw		6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														40V	600mA		10µA (ICBO)			2 npn (double)	900 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
	Jans2n3636ub	-	RFQ		5752	0,00000000	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			1,5 w		Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50														175 V	10 µA		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
	Jans2n5154	55.9804	RFQ		1310	0,00000000	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	1 mA		1 mA			NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
	APTGT150SK60T1G	54.7605	RFQ		9456	0,00000000	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	APTGT150		480 W	Standard	SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	600 V	225 A	1,9 V @ 15V, 150A	250 µA	Oui	9.2 NF @ 25 V
	Jantxv2n7368	-	RFQ		8124	0,00000000	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/622	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)			115 W		À 254	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	1 mA		1 mA			NPN	1V @ 500mA, 5A	50 @ 1A, 2V	-
	Jansp2n2907aua / tr	156.0008	RFQ		6948	0,00000000	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2907		500 MW		Ua	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-jansp2n2907aua / tr	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
	90025-04TX	-	RFQ		1850	0,00000000	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	À 213aa, à 66-2					To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																	-			-	-	-	-
	Jans2n5416u4	-	RFQ		8985	0,00000000	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/485	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N5416		1 W		U4	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														300 V	1 a		1 mA			Pnp	2v @ 5mA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	-
	Mscsm70tam10ctpag	792.4750	RFQ		4584	0,00000000	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM70	Carbure de silicium (sic)	674W (TC)		SP6-P	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM70TAM10CTPAG	EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)		700 V	238A (TC)		9.5MOHM @ 80A, 20V	2,4 V @ 8mA	430nc @ 20v		9000pf @ 700v	-
	Apt5014sllg	15.9500	RFQ		5598	0,00000000	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Apt5014	MOSFET (Oxyde Métallique)			D3 [s]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	35A (TC)	10V	140mohm @ 17,5a, 10v	5V @ 1MA	72 NC @ 10 V	± 30V	3261 PF @ 25 V	-	403W (TC)
	MSC025SMA330B4	-	RFQ		1044	0,00000000	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-4	MSC025	Sicfet (carbure de silicium)			À 247-4	-			Atteindre non affecté	150-MSC025SMA330B4	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	3300 V	104A (TC)	20V	31MOHM @ 40A, 20V	2,7 V @ 7mA	410 NC @ 20 V	+ 23v, -10V	8720 PF @ 2640 V	-	-
	Jans2n2222a	32.8100	RFQ		1	0,00000000	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N2222		500 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
	Jantxv2n3743	-	RFQ		4760	0,00000000	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/397	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														300 V	200 mA		250NA (ICBO)			Pnp	1,2 V @ 3MA, 30mA	50 @ 30mA, 10V	-
	APTMC120AM09CT3AG	-	RFQ		9212	0,00000000	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	APTMC120	Carbure de silicium (sic)	1250W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)		1200V (1,2 kV)	295A (TC)		9MOHM @ 200A, 20V	2,4 V @ 40mA (TYP)	644nc @ 20v		11000pf @ 1000v	-

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