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Transistors (5714)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce RÉSISTANCE - RDS (ON)
MX2N4858UB Microchip Technology MX2N4858UB 68.7743
RFQ
 ECAD 7152 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif 2N4858 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
MX2N4861 Microchip Technology MX2N4861 50.8193
RFQ
 ECAD 2285 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/385 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N4861 360 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 80 mA @ 15 V 4 V @ 0,5 Na 60 ohms
APL602LG Microchip Technology APL602LG 58.7804
RFQ
 ECAD 8710 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa AP602 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 [l] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 49a (TC) 12V 125 mohm @ 24,5a, 12v 4V @ 2,5mA ± 30V 9000 pf @ 25 V - 730W (TC)
APT10086BVFRG Microchip Technology APT10086BVFRG 20.4800
RFQ
 ECAD 5331 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS V® Tube Actif Par le trou À 247-3 APT10086 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1000 V 13A (TC) 860MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 1MA 275 NC @ 10 V 4440 PF @ 25 V -
APT100GT60JR Microchip Technology Apt100gt60jr -
RFQ
 ECAD 3381 0,00000000 Technologie des micropuces Thunderbolt igbt® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Isotop APT100 500 W Standard Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire NPT 600 V 148 A 2,5 V @ 15V, 100A 25 µA Non 5.15 NF @ 25 V
APT10M19SVRG Microchip Technology Apt10m19svrg 13.2200
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 ECAD 1 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS V® Tube Actif Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Apt10m19 MOSFET (Oxyde Métallique) D3 [s] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 75A (TC) 19MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 1MA 300 NC @ 10 V 6120 pf @ 25 V -
APT6021BLLG Microchip Technology Apt6021bllg 17.6700
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 ECAD 9254 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif Par le trou À 247-3 Apt6021 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 29A (TC) 210MOHM @ 14.5A, 10V 5V @ 1MA 80 NC @ 10 V 3470 PF @ 25 V -
APT65GP60J Microchip Technology APT65GP60J 36.0500
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 ECAD 3440 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Apt65gp60 431 W Standard Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire Pt 600 V 130 A 2,7 V @ 15V, 65A 1 mA Non 7.4 NF @ 25 V
APT65GP60L2DQ2G Microchip Technology APT65GP60L2DQ2G 20.7000
RFQ
 ECAD 2283 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Apt65gp60 Standard 833 W télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 400V, 65A, 5OHM, 15V Pt 600 V 198 A 250 A 2,7 V @ 15V, 65A 605µJ (ON), 895µJ (OFF) 210 NC 30ns / 90ns
APT75GP120J Microchip Technology APT75GP120J 43.8700
RFQ
 ECAD 7825 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Isotop Apt75gp120 543 W Standard Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Célibataire Pt 1200 V 128 A 3,9 V @ 15V, 75A 1 mA Non 7.04 nf @ 25 V
APT75GT120JRDQ3 Microchip Technology Apt75gt120jrdq3 46.6100
RFQ
 ECAD 6808 0,00000000 Technologie des micropuces Thunderbolt igbt® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Apt75gt120 480 W Standard Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire NPT 1200 V 97 A 3,7 V @ 15V, 75A 200 µA Non 5.1 NF @ 25 V
APT8030LVRG Microchip Technology Apt8030lvrg 23.4800
RFQ
 ECAD 6618 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS V® Tube Actif Par le trou À 264-3, à 264aa APT8030 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 [l] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 800 V 27a (TC) 300mohm @ 500mA, 10v 4V @ 2,5mA 510 NC @ 10 V 7900 pf @ 25 V -
APT20M11JVR Microchip Technology Apt20m11jvr 72.3300
RFQ
 ECAD 8308 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS V® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Apt20m11 MOSFET (Oxyde Métallique) Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 200 V 175a (TC) 10V 11MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 5mA 180 NC @ 10 V ± 30V 21600 pf @ 25 V - 700W (TC)
APT20M18LVFRG Microchip Technology Apt20m18lvfrg 33.5800
RFQ
 ECAD 1315 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS V® Tube Actif Par le trou À 264-3, à 264aa APT20M18 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 [l] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 200 V 100A (TC) 18MOHM @ 50A, 10V 4V @ 2,5mA 330 NC @ 10 V 9880 PF @ 25 V -
APT20M38SVRG Microchip Technology Apt20m38svrg 14.3500
RFQ
 ECAD 9107 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS V® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Apt20m38 MOSFET (Oxyde Métallique) D3 [s] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 67a (TC) 10V 38MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 1MA 225 NC @ 10 V ± 30V 6120 pf @ 25 V - 370W (TC)
APT22F120L Microchip Technology APT22F120L 15.4200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 8 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Apt22f120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 [l] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1200 V 23A (TC) 10V 700MOHM @ 12A, 10V 5V @ 2,5mA 260 NC @ 10 V ± 30V 8370 PF @ 25 V - 1040W (TC)
APT25GP90BDQ1G Microchip Technology Apt25gp90bdq1g -
RFQ
 ECAD 3982 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Apt25gp90 Standard 417 W À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 600v, 40a, 4,3 ohm, 15v Pt 900 V 72 A 110 A 3,9 V @ 15V, 25A 370 µJ (off) 110 NC 13ns / 55ns
APT30GN60BDQ2G Microchip Technology APT30GN60BDQ2G 4.2959
RFQ
 ECAD 2435 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 APT30GN60 Standard 203 W À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 400V, 30A, 4,3 ohms, 15v Arête du Champ de Tranché 600 V 63 A 90 A 1,9 V @ 15V, 30A 525 µJ (ON), 700 µJ (OFF) 165 NC 12NS / 155NS
APT30GT60BRDQ2G Microchip Technology APT30GT60BRDQ2G -
RFQ
 ECAD 5717 0,00000000 Technologie des micropuces Thunderbolt igbt® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Apt30gt60 Standard 250 W À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30A, 10OHM, 15V 22 ns NPT 600 V 64 A 110 A 2,5 V @ 15V, 30A 80µJ (ON), 605µJ (OFF) 7,5 NC 12ns / 225ns
APT5010B2FLLG Microchip Technology Apt5010b2fllg 17.3800
RFQ
 ECAD 9102 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Apt5010 MOSFET (Oxyde Métallique) T-MAX ™ [B2] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 46A (TC) 10V 100MOHM @ 23A, 10V 5V @ 2,5mA 95 NC @ 10 V ± 30V 4360 PF @ 25 V - 520W (TC)
APT50GN60BDQ2G Microchip Technology APT50GN60BDQ2G 7.2700
RFQ
 ECAD 8192 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 APT50GN60 Standard 366 W À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 400V, 50A, 4,3 ohms, 15v Arête du Champ de Tranché 600 V 107 A 150 A 1,85 V @ 15V, 50A 1185µJ (ON), 1565µJ (OFF) 325 NC 20ns / 230ns
APT50GT60BRDQ2G Microchip Technology Apt50gt60brdq2g 11.2700
RFQ
 ECAD 172 0,00000000 Technologie des micropuces Thunderbolt igbt® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Apt50gt60 Standard 446 W À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 400V, 50A, 5OHM, 15V 22 ns NPT 600 V 110 A 150 A 2,5 V @ 15V, 50A 995µJ (ON), 1070µJ (OFF) 240 NC 14ns / 240ns
APT50M50JVFR Microchip Technology Apt50m50jvfr 70.9700
RFQ
 ECAD 2022 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS V® Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc APT50M50 MOSFET (Oxyde Métallique) Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 77a (TC) 50 mohm @ 500mA, 10v 4V @ 5mA 1000 nc @ 10 V 19600 PF @ 25 V -
APT50M50L2LLG Microchip Technology Apt50m50l2llg 37.7300
RFQ
 ECAD 1849 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif Par le trou À 264-3, à 264aa APT50M50 MOSFET (Oxyde Métallique) 264 Max ™ [L2] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 89a (TC) 50MOHM @ 44.5A, 10V 5V @ 5mA 200 NC @ 10 V 10550 pf @ 25 V -
APT56M50L Microchip Technology APT56M50L 11.5900
RFQ
 ECAD 3190 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa APT56M50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 56a (TC) 10V 100MOHM @ 28A, 10V 5V @ 2,5mA 220 NC @ 10 V ± 30V 8800 pf @ 25 V - 780W (TC)
APT200GN60J Microchip Technology APT200GN60J 37.2200
RFQ
 ECAD 5213 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Isotop APT200 682 W Standard Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire Arête du Champ de Tranché 600 V 283 A 1,85 V @ 15V, 200A 25 µA Non 14.1 nf @ 25 V
APT35GA90BD15 Microchip Technology Apt35ga90bd15 6.4400
RFQ
 ECAD 3769 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Apt35ga90 Standard 290 W À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 600V, 18A, 10OHM, 15V Pt 900 V 63 A 105 A 3.1V @ 15V, 18A 642µJ (ON), 382µJ (OFF) 84 NC 12NS / 104NS
APTGLQ25H120T1G Microchip Technology APTGLQ25H120T1G 63.7700
RFQ
 ECAD 4005 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module AptGlq25 165 W Standard SP1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Achèvement Pont Arête du Champ de Tranché 1200 V 50 a 2.42V @ 15V, 25A 50 µA Oui 1,43 nf @ 25 V
APTMC120HR11CT3AG Microchip Technology APTMC120H11CT3AG -
RFQ
 ECAD 4976 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module APTMC120 Carbure de silicium (sic) 125W SP3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) 1200V (1,2 kV) 26A (TC) 98MOHM @ 20A, 20V 3v @ 5mA 62nc @ 20v 950pf @ 1000v -
MX2N4091 Microchip Technology MX2N4091 69.2531
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 ECAD 1768 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/431 En gros Actif -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 360 MW À 18 (à 206aa) - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 40 V 16pf @ 20V 40 V 30 ma @ 20 V 30 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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