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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Apt50m75jlu3	32.1100	RFQ	8351	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT50M75	MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	51A (TC)	10V	75MOHM @ 25,5A, 10V	5V @ 1MA	123 NC @ 10 V	± 30V	5590 pf @ 25 V	-	290W (TC)
Jan2n336alt2	-	RFQ	1424	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1														45 V	10 mA		-			NPN	-	-	-
TN0610N3-G-P013	1.0500	RFQ	2151	Technologie des micropuces	-	Tape & Box (TB)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	TN0610	MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	100 V	500mA (TJ)	3V, 10V	1,5 ohm @ 750mA, 10V	2v @ 1MA		± 20V	150 pf @ 25 V	-	1W (TC)
2N5487-1	17.5500	RFQ	9035	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2n5487-1			1
2C3440-MSCL	10.1850	RFQ	4619	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2c3440-mscl			1
2N5795A	71.0700	RFQ	8390	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N5795		600mw		To-78-6	-			Atteindre non affecté	150-2n5795a	EAR99	8541.21.0095	1														60V	600mA		10µA (ICBO)			2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jansr2n3810u / tr	262.4506	RFQ	1341	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N3810		350mw		6 mm	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jansr2n3810U / TR	EAR99	8541.21.0095	1														60V	50m		10µA (ICBO)			2 pnp (double)	250 mV @ 1MA, 100µA	150 @ 1MA, 5V	-
Jansf2n3019	124.6306	RFQ	6826	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			800 MW		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansf2n3019			1														80 V	1 a		10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N6127	519.0900	RFQ	5452	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon			117 W		To-61	-			Atteindre non affecté	150-2n6127	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	10 a		-			Pnp	-	-	-
Jansp2n2906aub	148.2202	RFQ	9783	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jansp2n2906aub			1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Tn5325n8-g	0,7800	RFQ	4021	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-	Support de surface	À 243aa	TN5325	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 243aa (SOT-89)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	250 V	316MA (TJ)	4,5 V, 10V	7OHM @ 1A, 10V	2v @ 1MA		± 20V	110 pf @ 25 V	-	1.6W (TA)
Jankcdr2n2907a	-	RFQ	3761	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCDR2N2907A			100														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N3791	42.3206	RFQ	8804	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-3	2N3791		5 W		To-3 (to-204aa)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2N3791ms	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	10 a		5ma			Pnp	2,5 V @ 2A, 10A	30 @ 3a, 2v	-
Jan2N6052	48.6115	RFQ	7551	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/501	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-3	2N6052		150 W		To-3 (to-204aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														100 V	12 A		1 mA			PNP - Darlington	3V @ 120mA, 12A	1000 @ 6A, 3V	-
2N5599	43.0350	RFQ	1496	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2			20 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n5599	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	2 A		-			Pnp	850 mV à 200µA, 1MA	-	-
Apt10090sllg	17.8700	RFQ	2907	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	APT10090	MOSFET (Oxyde Métallique)			D3 [s]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	12A (TC)		900mohm @ 6a, 10v	5V @ 1MA	71 NC @ 10 V		1969 PF @ 25 V	-
Jans2n3507l	70.3204	RFQ	7348	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/349	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-jans2n3507l			1														50 V	3 A		1 µA			NPN	1,5 V @ 250mA, 2,5A	35 @ 500mA, 1V	-
Aptgt600da60g	225.2700	RFQ	2800	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	Aptgt600		2300 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	600 V	700 A	1,8 V @ 15V, 600A	750 µA	Non	49 NF @ 25 V
Apt5016bfllg	16.4800	RFQ	1814	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt5016	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	30a (TC)	10V	160MOHM @ 15A, 10V	5V @ 1MA	72 NC @ 10 V	± 30V	2833 PF @ 25 V	-	329W (TC)
Aptgf50h60t3g	-	RFQ	5377	Technologie des micropuces	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	SP3			250 W	Standard	SP3	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1	ONDULEUR DE PONT ACHET												NPT	600 V	65 A	2 45 V @ 15V, 50A	250 µA	Oui	2,2 nf @ 25 V
2C3250A	9.2550	RFQ	8464	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2c3250a			1
2N6193QFN / TR	23.6100	RFQ	3058	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-2n6193qfn / tr	EAR99	8541.29.0095	100														100 V	5 a		100 µA			Pnp	1,2 V @ 500mA, 5A	60 @ 2A, 2V	-
2N5239	50 5950	RFQ	2418	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2n5239			1
Aptgt50h60t3g	74.5800	RFQ	16	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptgt50		176 W	Standard	SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	ONDULEUR DE PONT ACHET												Arête du Champ de Tranché	600 V	80 A	1,9 V @ 15V, 50A	250 µA	Oui	3,15 nf @ 25 V
2N3597	547.4100	RFQ	9640	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Soutien	À 211 MO, à 63-4, Étalon			100 W		To-63	-			Atteindre non affecté	150-2n3597	EAR99	8541.29.0095	1														40 V	20 a		-			Pnp	-	-	-
MSR2N2369AUBC	-	RFQ	8383	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			360 MW		UBC	-			Atteindre non affecté	150-MSR2N2369AUBC			100														15 V			400NA			NPN	250 MV @ 3MA, 30MA	40 @ 10mA, 1v	-
MSCSM120TLM16C3AG	470.3100	RFQ	8513	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120	Carbure de silicium (sic)	745W (TC)		SP3F	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120TLM16C3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4-CANAUX (Onduleur à Trois Niveaux)		1200V (1,2 kV)	173a (TC)		16MOHM @ 80A, 20V	2,8 V @ 2MA	464nc @ 20v		6040pf @ 1000v	-
Jansp2n3439l	270.2400	RFQ	7163	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			800 MW		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansp2n3439l			1														350 V	1 a		2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
Apt5018sllg	11.3100	RFQ	7260	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	APT5018	MOSFET (Oxyde Métallique)			D3 [s]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	27a (TC)		180 mOhm @ 13,5a, 10v	5V @ 1MA	58 NC @ 10 V		2596 PF @ 25 V	-
APTGL475SK120D3G	250.4300	RFQ	6056	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module d-3	APTGL475		2080 W	Standard	D3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1200 V	610 A	2.2 V @ 15V, 400A	5 mA	Non	24,6 nf @ 25 V

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