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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
MSC080SMA330B4	138.0600	RFQ	5428	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-4	MSC080		Sicfet (carbure de silicium)			À 247-4	-			Atteindre non affecté	150-MSC080SMA330B4	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		3300 V	41A (TC)	20V	105MOHM @ 30A, 20V	2.97V @ 3MA	55 NC @ 20 V	+ 23v, -10V	3462 PF @ 2400 V	-	381W (TC)
2N3440	13.1800	RFQ	199	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3440			800 MW		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2N3440ms	EAR99	8541.21.0095	1															250 V	1 a						2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
APTGT100TL170G	365.8225	RFQ	2866	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	APTGT100			560 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Onduleur à trois niveaux													Arête du Champ de Tranché	1700 V	150 a		2,4 V @ 15V, 100A				350 µA	Non	9 nf @ 25 V
Jansp2n3637l	129.5906	RFQ	2494	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansp2n3637l			1															175 V	1 a						10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
Jantx2n930	9.4000	RFQ	51	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/253	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2n930			300 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1															45 V	30 mA						2NA			NPN	1V @ 500µA, 10mA	100 @ 10µA, 5V	-
Jansm2n2221a	91.0606	RFQ	2766	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN				500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jansm2n2221a			1															50 V	800 mA						50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N5083	287.8650	RFQ	5733	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 210aa, à 59-4, Étalon				20 W		To-59	-			Atteindre non affecté	150-2n5083	EAR99	8541.29.0095	1															60 V	10 a						-			Pnp	-	-	-
Jantxv2n5795a	138.7610	RFQ	6659	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/496	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N5795			600mw		To-78-6	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1															60V	600mA						10µA (ICBO)			2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jans2n2484ubc	100.5300	RFQ	3190	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/376	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2484			360 MW		Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1															60 V	50 mA						2NA			NPN	300 mV à 100 µA, 1MA	250 @ 1MA, 5V	-
Jantxv2n3725ub / tr	-	RFQ	5942	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb						Ub	-			Atteindre non affecté	150-jantxv2n3725ub / tr			50															50 V	500 mA						-			NPN	-	-	-
Jantx2N3421	-	RFQ	7533	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/393	En gros	Abandonné à sic	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3421			1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1															80 V	3 A						5µA			NPN	500 MV @ 200mA, 2A	40 @ 1A, 2V	-
Jansf2n2221aub / tr	149.4750	RFQ	9875	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif										-				150-Jansf2N2221AUB / TR			50
Jansf2n3810l	206.9304	RFQ	5256	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810			350mw		To-78-6	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1															60V	50m						10µA (ICBO)			2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
APTGT400U120D4G	253.7300	RFQ	9456	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	D4	Aptgt400			2250 W	Standard	D4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire													Arête du Champ de Tranché	1200 V	600 A		2.1V @ 15V, 400A				8 mA	Non	28 nf @ 25 V
Jans2n6990	148.2104	RFQ	4702	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/559	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	14 Flatpack	2N6990			400mw		14 Flatpack	-			Atteindre non affecté	2266-Jans2n6990	EAR99	8541.21.0095	1															50v	800mA						10µA (ICBO)			4 npn (quad)	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Mic94031cyw	-	RFQ	2150	Technologie des micropuces	Tinyfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	-	-			MOSFET (Oxyde Métallique)			-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p		16 V	1a (ta)	-	450mohm @ 100mA, 10V	1,4 V @ 250µA		-		-	568mw (TA)
Jansm2n3636ub	-	RFQ	1740	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance				1,5 w		Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50															175 V	10 µA						10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
Jankcal2n3636	-	RFQ	3356	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jankcal2n3636			100															175 V	1 a						10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
MSR2N2907AUB	-	RFQ	3334	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-MSR2N2907AUB			100															60 V	600 mA						50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jankcdr2n2907a	-	RFQ	3761	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN				500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCDR2N2907A			100															60 V	600 mA						50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5795A	71.0700	RFQ	8390	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N5795			600mw		To-78-6	-			Atteindre non affecté	150-2n5795a	EAR99	8541.21.0095	1															60V	600mA						10µA (ICBO)			2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Vn10kn3-g	0,6000	RFQ	5338	Technologie des micropuces	-	Sac	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	Vn10kn3		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		60 V	310mA (TJ)	5v, 10v	5OHM @ 500mA, 10V	2,5 V @ 1MA		± 30V	60 pf @ 25 V	-	1W (TC)
2N5740	37.1850	RFQ	3462	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2				35 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n5740	EAR99	8541.29.0095	1															100 V	10 a						-			Pnp	500 mV à 500 µA, 5mA	-	-
Apt70gr120l	13.2200	RFQ	4409	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt70gr120	Standard		961 W		À 264	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1			600v, 70a, 4,3 ohms, 15v											NPT	1200 V	160 A	280 A	3.2v @ 15v, 70a	3 82MJ (ON), 2 58MJ (OFF)	544 NC	33ns / 278ns
Jansf2n4449	129.0708	RFQ	2863	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206ab, to-46-3 Métal peut	2N4449			360 MW		To-46 (to-206ab)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1															20 V							400NA			NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	20 @ 100mA, 1V	-
2C3762	8.4600	RFQ	3657	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif										-			Atteindre non affecté	150-2c3762			1
Jantx2n5415ua	197.5512	RFQ	9093	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/485	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance				750 MW		Ua	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1															200 V	50 µA						50 µA			Pnp	2v @ 5mA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	-
APT25M100J	33.9300	RFQ	3255	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT25M100		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		1000 V	25a (TC)	10V	330MOHM @ 18A, 10V	5V @ 2,5mA	305 NC @ 10 V	± 30V	9835 PF @ 25 V	-	545W (TC)
2N912	30.5700	RFQ	5710	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN				800 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n912	EAR99	8541.21.0095	1															60 V							-			NPN	1V @ 5mA, 50mA	-	40 MHz
2N6228	38.2242	RFQ	4030	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif				2N6228						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1

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