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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jan2n2880	163.0048	RFQ	5974	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/315	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Châssis, montage	À 210aa, à 59-4, Étalon	2N2880		2 W		To-59	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	5 a		20 µA			NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	40 @ 1A, 2V	-
Jantx2N3635	11.4513	RFQ	8050	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3635		1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														140 V	1 a		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
Jantxv2n6277	247.9918	RFQ	2837	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/514	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			250 W		To-3	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														150 V	50 µA		50 µA			NPN	3V @ 10A, 50A	30 @ 20A, 4V	-
MSC080SMA330B4	138.0600	RFQ	5428	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-4	MSC080	Sicfet (carbure de silicium)			À 247-4	-			Atteindre non affecté	150-MSC080SMA330B4	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n	3300 V	41A (TC)	20V	105MOHM @ 30A, 20V	2.97V @ 3MA	55 NC @ 20 V	+ 23v, -10V	3462 PF @ 2400 V	-	381W (TC)
2N3440	13.1800	RFQ	199	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3440		800 MW		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2N3440ms	EAR99	8541.21.0095	1														250 V	1 a		2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
APTGT100TL170G	365.8225	RFQ	2866	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	APTGT100		560 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Onduleur à trois niveaux												Arête du Champ de Tranché	1700 V	150 a	2,4 V @ 15V, 100A	350 µA	Non	9 nf @ 25 V
Jansp2n3637l	129.5906	RFQ	2494	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansp2n3637l			1														175 V	1 a		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
Jantx2n930	9.4000	RFQ	51	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/253	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2n930		300 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														45 V	30 mA		2NA			NPN	1V @ 500µA, 10mA	100 @ 10µA, 5V	-
Jankccl2n3498	-	RFQ	2938	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCCL2N3498			100														100 V	500 mA		10µA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	40 @ 150mA, 10V	-
APT14F100B	7.8300	RFQ	43	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	APT14F100	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	14A (TC)	10V	980MOHM @ 7A, 10V	5V @ 1MA	120 NC @ 10 V	± 30V	3965 PF @ 25 V	-	500W (TC)
Jansm2n2221a	91.0606	RFQ	2766	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jansm2n2221a			1														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N5083	287.8650	RFQ	5733	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 210aa, à 59-4, Étalon			20 W		To-59	-			Atteindre non affecté	150-2n5083	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	10 a		-			Pnp	-	-	-
Jantxv2n5795a	138.7610	RFQ	6659	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/496	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N5795		600mw		To-78-6	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														60V	600mA		10µA (ICBO)			2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jans2n2484ubc	100.5300	RFQ	3190	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/376	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2484		360 MW		Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														60 V	50 mA		2NA			NPN	300 mV à 100 µA, 1MA	250 @ 1MA, 5V	-
Jantxv2n3725ub / tr	-	RFQ	5942	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					Ub	-			Atteindre non affecté	150-jantxv2n3725ub / tr			50														50 V	500 mA		-			NPN	-	-	-
Jantx2N3421	-	RFQ	7533	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/393	En gros	Abandonné à sic	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3421		1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	3 A		5µA			NPN	500 MV @ 200mA, 2A	40 @ 1A, 2V	-
Jansf2n2221aub / tr	149.4750	RFQ	9875	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif									-				150-Jansf2N2221AUB / TR			50
Jansf2n3810l	206.9304	RFQ	5256	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810		350mw		To-78-6	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														60V	50m		10µA (ICBO)			2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
APTGT400U120D4G	253.7300	RFQ	9456	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	D4	Aptgt400		2250 W	Standard	D4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1200 V	600 A	2.1V @ 15V, 400A	8 mA	Non	28 nf @ 25 V
Jan2N1613L	103.7400	RFQ	4389	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/181	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			800 MW		To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														30 V	500 mA		10µA (ICBO)			NPN	1,5 V @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
Apt1003rbllg	8.8800	RFQ	3326	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	APT1003	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Q12300171	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	4A (TC)	10V	3OHM @ 2A, 10V	5V @ 1MA	34 NC @ 10 V	± 30V	694 PF @ 25 V	-	139W (TC)
Jans2n6990	148.2104	RFQ	4702	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/559	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	14 Flatpack	2N6990		400mw		14 Flatpack	-			Atteindre non affecté	2266-Jans2n6990	EAR99	8541.21.0095	1														50v	800mA		10µA (ICBO)			4 npn (quad)	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Mic94031cyw	-	RFQ	2150	Technologie des micropuces	Tinyfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	-	-		MOSFET (Oxyde Métallique)			-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	16 V	1a (ta)	-	450mohm @ 100mA, 10V	1,4 V @ 250µA		-		-	568mw (TA)
Jansm2n3636ub	-	RFQ	1740	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			1,5 w		Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50														175 V	10 µA		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
Jankcal2n3636	-	RFQ	3356	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jankcal2n3636			100														175 V	1 a		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
MSR2N2907AUB	-	RFQ	3334	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-MSR2N2907AUB			100														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jankcdr2n2907a	-	RFQ	3761	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCDR2N2907A			100														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5795A	71.0700	RFQ	8390	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N5795		600mw		To-78-6	-			Atteindre non affecté	150-2n5795a	EAR99	8541.21.0095	1														60V	600mA		10µA (ICBO)			2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Vn10kn3-g	0,6000	RFQ	5338	Technologie des micropuces	-	Sac	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	Vn10kn3	MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	60 V	310mA (TJ)	5v, 10v	5OHM @ 500mA, 10V	2,5 V @ 1MA		± 30V	60 pf @ 25 V	-	1W (TC)
2N5740	37.1850	RFQ	3462	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2			35 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n5740	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	10 a		-			Pnp	500 mV à 500 µA, 5mA	-	-

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