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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
APT58M50J	32.5300	RFQ	6417	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT58M50		MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					500 V	58A (TC)	10V	65MOHM @ 42A, 10V	5V @ 2,5mA	340 NC @ 10 V	± 30V	13500 pf @ 25 V	-	540W (TC)
Arf476fl	158.3900	RFQ	10	Technologie des micropuces	-	Plateau	Actif	500 V			-	ARF476	128 MHz	Mosfet		-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double) couronne source		10A	15 mA	900W	16 dB											-			150 V
2N5153U3	107.4906	RFQ	3026	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				1,16 W	U3	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																		80 V	1 mA		1 mA	Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
Jansr2n5151u3	229.9812	RFQ	7770	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				1,16 W	U3	-			Atteindre non affecté	150-Jansr2n5151u3			1																		80 V	2 A		50 µA	Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
2N2978	33.4200	RFQ	3132	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N297					-			Atteindre non affecté	150-2n2978			1
2C2432	6.9150	RFQ	7765	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif										-			Atteindre non affecté	150-2c2432			1
Jantx2n5796u	-	RFQ	6715	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/496	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N5796			600mw	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																		60V	600mA		10NA (ICBO)	2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N3767	27.2783	RFQ	1841	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2				25 W	To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																		80 V	500 µA		500 µA	NPN	2,5 V @ 100mA, 1A	40 @ 500mA, 5V	-
2N4387	55.8750	RFQ	6034	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2				20 W	To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n4387	EAR99	8541.29.0095	1																		40 V	2 A		-	Pnp	-	-	-
Jansf2n3700	34.9902	RFQ	4098	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N3700			500 MW	À 18 (à 206aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																		80 V	1 a		10na	NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jan2N3420	16.5053	RFQ	3957	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/393	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3420			1 W	To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																		60 V	3 A		5µA	NPN	500 MV @ 200mA, 2A	40 @ 1A, 2V	-
2N5622	74.1300	RFQ	2463	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	To-204aa, to-3				116 W	To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n5622	EAR99	8541.29.0095	1																		60 V	10 a		-	NPN	-	-	-
2N6547T1	349.2000	RFQ	9125	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3					To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n6547t1	EAR99	8541.29.0095	1																		400 V	15 A		-	NPN	-	-	-
Jantx2N5154U3	153.6682	RFQ	5721	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				1 W	U3	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																		80 V	1 mA		1 mA	NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
Apt8030lvrg	23.4800	RFQ	6618	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT8030		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					800 V	27a (TC)		300mohm @ 500mA, 10v	4V @ 2,5mA	510 NC @ 10 V		7900 pf @ 25 V	-
MSCSM120HM31T3AG	221.7900	RFQ	7986	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120		Carbure de silicium (sic)	395W (TC)	-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120HM31T3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 N-CANAL (PONT EXCLATION)						1200V (1,2 kV)	89a (TC)		31MOHM @ 40A, 20V	2,8 V @ 3MA	232nc @ 20v		3020pf à 1000v	-
Jantx2N1717	-	RFQ	5957	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																		100 V	750 mA		-	NPN	-	-	-
MSC035SMA070S	15.9800	RFQ	3045	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	MSC035		Sicfet (carbure de silicium)		D3pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	60		Canal n					700 V	65A (TC)	20V	44MOHM @ 30A, 20V	2,7 V @ 1MA	99 NC @ 20 V	+ 23v, -10V	2010 PF @ 700 V	-	206W (TC)
Jantx2n6352	-	RFQ	6127	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/472	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N6352			2 W	To-66 (à 213aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																		80 V	5 a		-	Npn - darlington	1,5 V @ 5MA, 5A	2000 @ 5A, 5V	-
Jan2N2945A	192.2900	RFQ	8910	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/382	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206ab, to-46-3 Métal peut	2N2945			400 MW	To-46	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																		20 V	100 mA		10µA (ICBO)	Pnp	-	70 @ 1MA, 500 mV	-
VN2450N8-G	1 5000	RFQ	44	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	VN2450		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 243aa (SOT-89)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n					500 V	250mA (TJ)	4,5 V, 10V	13OHM @ 400mA, 10V	4V @ 1MA		± 20V	150 pf @ 25 V	-	1.6W (TA)
Jantxv2n333	-	RFQ	8140	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																		45 V	10 mA		-	NPN	-	-	-
2C6287	29.4994	RFQ	4612	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif										-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2c6287			1
Jan2N3763U4	-	RFQ	6733	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/396	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				1 W	U4	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																		60 V	1,5 A		10µA (ICBO)	Pnp	900 MV à 100MA, 1A	20 @ 1A, 1,5 V	-
Jantx2n1711	67.6438	RFQ	4781	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/225	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N1711			800 MW	To-5	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																		30 V	500 mA		10NA (ICBO)	NPN	1,5 V @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n5152	15.4945	RFQ	6142	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N5152			1 W	To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																		80 V	2 A		50 µA	NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
VP0109N3-G	1.1600	RFQ	4464	Technologie des micropuces	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	VP0109		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal p					90 V	250mA (TJ)	5v, 10v	8OHM @ 500mA, 10V	3,5 V @ 1MA		± 20V	60 pf @ 25 V	-	1W (TC)
2N2218	-	RFQ	5322	Technologie des micropuces	-	En gros	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N2218			800 MW	To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																		30 V	800 mA		10na	NPN	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Apt50m75llg	21.0600	RFQ	7205	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif			Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT50M75		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					500 V	57a (TC)		75MOHM @ 28,5A, 10V	5V @ 2,5mA	125 NC @ 10 V		5590 pf @ 25 V	-
Apt10026jll	97.4600	RFQ	3051	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif			Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT10026		MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1000 V	30a (TC)		260MOHM @ 15A, 10V	5V @ 5mA	267 NC @ 10 V		7114 PF @ 25 V	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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