SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce RÉSISTANCE - RDS (ON) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
2N5620 Microchip Technology 2N5620 74.1300
RFQ
ECAD 6697 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 58 W To-204Ad (to-3) - Atteindre non affecté 150-2n5620 EAR99 8541.29.0095 1 100 V 5 a - Pnp 1,5 V @ 500µA, 2,5 mA - -
JANS2N3765 Microchip Technology Jans2n3765 -
RFQ
ECAD 4158 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/396 En gros Actif -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206ab, to-46-3 Métal peut 500 MW To-46 (to-206ab) - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60 V 1,5 A 100 µA (ICBO) Pnp 900 MV à 100MA, 1A 40 @ 500mA, 1V -
JAN2N4150S Microchip Technology Jan2N4150S 7.6076
RFQ
ECAD 8946 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/394 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 2N4150 1 W To-39 (to-205ad) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 70 V 10 a 10 µA NPN 2,5 V @ 1A, 10A 40 @ 5A, 5V -
MSCSM120DDUM16CTBL3NG Microchip Technology Mscsm120ddum16ctbl3ng -
RFQ
ECAD 2647 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM120 Carbure de silicium (sic) 560W - - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM120DDUM16CTBL3NG EAR99 8541.29.0095 1 4 N-CANAL, COMMUNE SOURCE 1200 V 150a 16MOHM @ 80A, 20V 2,8 V @ 2MA 464nc @ 20v 6040pf @ 1000v -
MSCSM170TAM15CTPAG Microchip Technology MSCSM170TAM15CTPAG 1 0000
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM170 Carbure de silicium (sic) 843W (TC) - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM170TAM15CTPAG EAR99 8541.29.0095 1 6 Canaux N (phase Jambe de) 1700v (1,7 kV) 179a (TC) 15MOHM @ 90A, 20V 3,2 V @ 7,5 Ma 534nc @ 20v 9900pf @ 1000v -
MSCSM170AM058CD3AG Microchip Technology MSCSM170AM058CD3AG 1 0000
RFQ
ECAD 6340 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM170 Carbure de silicium (sic) 1 642 kW (TC) - - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM170AM058CD3AG EAR99 8541.29.0095 1 2 n canal (phase de la jambe de) 1700v (1,7 kV) 353A (TC) 7,5 mohm @ 180a, 20v 3,3 V @ 15mA 1068nc @ 20v 19800pf @ 1000v -
APT50M50L2LLG Microchip Technology Apt50m50l2llg 37.7300
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ECAD 1849 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif Par le trou À 264-3, à 264aa APT50M50 MOSFET (Oxyde Métallique) 264 Max ™ [L2] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 89a (TC) 50MOHM @ 44.5A, 10V 5V @ 5mA 200 NC @ 10 V 10550 pf @ 25 V -
MSCSM120DUM11T3AG Microchip Technology MSCSM120DUM11T3AG 310.6600
RFQ
ECAD 8149 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM120 Carbure de silicium (sic) 1067W (TC) SP3F - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM120DUM11T3AG EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) couronne source 1200V (1,2 kV) 254A (TC) 10.4MOHM @ 120A, 20V 2,8 V @ 3MA 696nc @ 20v 9060pf @ 1000v -
JAN2N718A Microchip Technology Jan2N718A -
RFQ
ECAD 3565 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/181 En gros Abandonné à sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 500 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 30 V 500 mA 10µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 15mA, 150mA 40 @ 150mA, 10V -
89100-05TXV Microchip Technology 89100-05TXV 349.9496
RFQ
ECAD 5109 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif - Par le trou À 213aa, à 66-2 To-66 (à 213aa) - Rohs non conforme Atteindre non affecté 0000.00.0000 1 - - - - -
MV2N4859UB Microchip Technology MV2N4859UB 80.4916
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ECAD 5348 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif MV2N4859 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
2N4391UBC Microchip Technology 2N4391UBC 53.5950
RFQ
ECAD 1921 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif - Support de surface 3 mm, pas de plomb UBC - Atteindre non affecté 150-2n4391UBC 1 Canal n -
MQ2N4857UB Microchip Technology MQ2N4857UB 80.7975
RFQ
ECAD 1187 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 360 MW À 18 (à 206aa) - Atteindre non affecté 150 MQ2N4857UB 1 Canal n 40 V 18pf @ 10v 40 V 20 mA @ 15 V 2 V @ 500 PA 40 ohms
APT42F50B Microchip Technology Apt42f50b 10.1400
RFQ
ECAD 2515 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 8 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Apt42f50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 42A (TC) 10V 130MOHM @ 21A, 10V 5V @ 1MA 170 NC @ 10 V ± 30V 6810 PF @ 25 V - 625W (TC)
2N2222AUA Microchip Technology 2N2222AUA 25.7488
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ECAD 5595 0,00000000 Technologie des micropuces 2N2222 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 4 md 2N2222 650 MW 4 md télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 2N2222AUAMS EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 mA 50na NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
JANKCA2N5238 Microchip Technology Jankca2n5238 37.2533
RFQ
ECAD 2010 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/394 Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 1 W To-5 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-Jankca2n5238 EAR99 8541.29.0095 1 170 V 10 a 10 µA NPN 2,5 V @ 1A, 10A 50 @ 1A, 5V -
JANTXV2N6693 Microchip Technology Jantxv2n6693 -
RFQ
ECAD 6368 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/538 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Soutien À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon 3 W To-61 - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 400 V 15 A 1MA (ICBO) NPN 1V @ 3A, 15A 15 @ 1A, 3V -
JANS2N5153 Microchip Technology Jans2n5153 67.8904
RFQ
ECAD 2469 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/545 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 1 W To-39 (to-205ad) - Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 80 V 50 µA 50 µA Pnp 1,5 V @ 500mA, 5A 70 @ 2,5a, 5v -
APTM50HM75STG Microchip Technology APTM50HM75STG 164.9400
RFQ
ECAD 2832 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP4 APTM50 MOSFET (Oxyde Métallique) 357W SP4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 4 N-Canal (Demi-pont) 500 V 46a 90MOHM @ 23A, 10V 5V @ 2,5mA 123nc @ 10v 5600pf @ 25v -
JANTXV2N3637 Microchip Technology Jantxv2n3637 13.8320
RFQ
ECAD 5192 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/357 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 2N3637 1 W To-39 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 175 V 1 a 10 µA Pnp 600 MV à 5MA, 50mA 100 @ 50mA, 10V -
JANTXV2N5795 Microchip Technology Jantxv2n5795 138.7610
RFQ
ECAD 8805 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/496 En gros Actif -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-78-6 Metal Can 2N5795 600mw To-78-6 - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60V 600mA 10µA (ICBO) 2 pnp (double) 1,6 V @ 50mA, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
JANTXV2N4033UA Microchip Technology Jantxv2n4033ua 110.1905
RFQ
ECAD 4965 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/512 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 4-md, pas d'Avance 500 MW Ua - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 80 V 1 a 10µA (ICBO) Pnp 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V -
JANTX2N2920L Microchip Technology Jantx2n2920l -
RFQ
ECAD 5548 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/355 En gros Abandonné à sic 200 ° C (TJ) Par le trou To-78-6 Metal Can 2N2920 350mw To-78-6 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60V 30m 10µA (ICBO) 2 npn (double) 300 mV à 100 µA, 1MA 300 @ 1MA, 5V -
JANSD2N3634UB/TR Microchip Technology Jansd2n3634ub / tr -
RFQ
ECAD 5268 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/357 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 4-md, pas d'Avance 1 W Ub - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 140 V 10 µA 10 µA Pnp 600 MV à 5MA, 50mA 50 @ 50mA, 10V -
JANTXV2N6353 Microchip Technology Jantxv2n6353 -
RFQ
ECAD 7709 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/472 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou À 213aa, à 66-2 2N6353 2 W To-66 (à 213aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 150 V 5 a - Npn - darlington 2,5 V @ 10mA, 5A 1000 @ 5A, 5V -
JANS2N3762L Microchip Technology Jans2n3762l -
RFQ
ECAD 5200 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/396 En gros Actif -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 1 W To-5 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 40 V 1,5 A 100 µA (ICBO) Pnp 900 MV à 100MA, 1A 40 @ 500mA, 1V -
JANS2N930 Microchip Technology Jans2n930 -
RFQ
ECAD 6151 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/253 En gros Actif -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2n930 300 MW À 18 (à 206aa) - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 45 V 30 mA 2NA NPN 1V @ 500µA, 10mA 100 @ 10µA, 5V -
APTGF25H120T1G Microchip Technology APTGF25H120T1G -
RFQ
ECAD 3563 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Obsolète - Soutenir de châssis SP1 208 W Standard SP1 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 ONDULEUR DE PONT ACHET NPT 1200 V 40 A 3,7 V @ 15V, 25A 250 µA Oui 1,65 nf @ 25 V
2N5958 Microchip Technology 2N5958 519.0900
RFQ
ECAD 7901 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Soutien À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon 175 W To-61 - Atteindre non affecté 150-2n5958 EAR99 8541.29.0095 1 100 V 20 a - Pnp - - -
2N2432AUB/TR Microchip Technology 2N2432AUB / TR 20.3850
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ECAD 9926 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 360 MW Ub - Atteindre non affecté 150-2n2432aub / tr EAR99 8541.21.0095 100 45 V 100 mA 10na NPN 150 mV à 500 µA, 10mA 80 @ 1MA, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock