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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jan2N6052	48.6115	RFQ	7551	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/501	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-3	2N6052		150 W	To-3 (to-204aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													100 V	12 A	1 mA	PNP - Darlington	3V @ 120mA, 12A	1000 @ 6A, 3V	-
Jantx2n3499u4 / tr	-	RFQ	6180	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W	U4	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jantx2N3499U4 / TR	EAR99	8541.29.0095	1													100 V	500 mA	50NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5151U3	85.8382	RFQ	4433	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1,16 W	U3	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													80 V	1 mA	1 mA	Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
Jansd2n3634l	-	RFQ	8520	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W	To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50													140 V	10 µA	10 µA	Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
Jans2n3501l	63.4204	RFQ	6109	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W	To-5	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													150 V	300 mA	10µA (ICBO)	NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jansl2n3440ua	-	RFQ	9350	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			800 MW	Ua	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jansl2n3440ua	EAR99	8541.21.0095	1													250 V	1 a	2µA	NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
APT24M80	11.7000	RFQ	4924	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	APT24M80	MOSFET (Oxyde Métallique)		D3pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	800 V	25a (TC)	10V	390MOHM @ 12A, 10V	5V @ 1MA	150 NC @ 10 V	± 30V	4595 PF @ 25 V	-	625W (TC)
2N6378	192.4776	RFQ	7445	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-204aa, to-3			250 W	To-3	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													100 V	50 a	-	Pnp	-	-	-
Jansd2n2222aua	158.4100	RFQ	5615	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			650 MW	Ua	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n2222aua			1													50 V	800 mA	50na	NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N3739	39.5010	RFQ	2340	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2			20 W	To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													300 V	1 a	100 µA (ICBO)	NPN	2,5 V @ 25mA, 250mA	25 @ 250mA, 10V	-
Jantxv2n2945aub	499.2608	RFQ	1242	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/382	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			400 MW	Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1													20 V	100 mA	10µA (ICBO)	Pnp	-	70 @ 1MA, 500 mV	-
Jansm2n3501	41.5800	RFQ	8763	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W	To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jansm2n3501			1													150 V	300 mA	10µA (ICBO)	NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jansd2n3635ub	147.1604	RFQ	9152	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			1,5 w	Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													140 V	10 µA	10 µA	Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 10V	-
2N6329	124.7939	RFQ	8648	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif				2N6329				-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
APTM50SKM19G	200 7200	RFQ	9424	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM50	MOSFET (Oxyde Métallique)		SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	163a (TC)	10V	22,5MOHM @ 81,5A, 10V	5V @ 10mA	492 NC @ 10 V	± 30V	22400 pf @ 25 V	-	1136W (TC)
APTM100DAM90G	230.0917	RFQ	9653	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM100	MOSFET (Oxyde Métallique)		SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	78A (TC)	10V	105MOHM @ 39A, 10V	5V @ 10mA	744 NC @ 10 V	± 30V	20700 PF @ 25 V	-	1250W (TC)
Jantxv2n3735l	-	RFQ	6902	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/395	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N3735		1 W	To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													40 V	1,5 A	10µA (ICBO)	NPN	900 MV à 100MA, 1A	20 @ 1A, 1,5 V	-
2N3506U4	135.1050	RFQ	3543	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W	U4	-			Atteindre non affecté	150-2n3506u4	EAR99	8541.29.0095	1													40 V	3 A	1 µA	NPN	1,5 V @ 250mA, 2,5A	50 @ 500mA, 1V	-
APTM20AM05FG	279.2300	RFQ	6828	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM20	MOSFET (Oxyde Métallique)	1136W	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Canal (Demi-pont)		200 V	317A		5mohm @ 158,5a, 10v	5V @ 10mA	448nc @ 10v		27400pf @ 25v	-
VN0106N3-G-P003	0,7100	RFQ	7999	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	VN0106	MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	60 V	350mA (TJ)	5v, 10v	3OHM @ 1A, 10V	2,4 V @ 1MA		± 20V	65 PF @ 25 V	-	1W (TC)
Jansd2n2221aub	150.4902	RFQ	1395	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW	Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n2221aub			1													50 V	800 mA	50na	NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N5794UC / TR	83.0850	RFQ	2827	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N5794		600mw	UC	-			Atteindre non affecté	150-2n5794uc / tr	EAR99	8541.21.0095	100													40V	600mA	10µA (ICBO)	2 npn (double)	900 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Apt50m50jvfr	70.9700	RFQ	2022	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT50M50	MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	77a (TC)		50 mohm @ 500mA, 10v	4V @ 5mA	1000 nc @ 10 V		19600 PF @ 25 V	-
2N5084	287.8650	RFQ	6625	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 210aa, à 59-4, Étalon			20 W	To-59	-			Atteindre non affecté	150-2n5084	EAR99	8541.29.0095	1													60 V	10 a	-	Pnp	-	-	-
Jan2N3737UB	16.3856	RFQ	5019	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/395	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N3737		500 MW	3-UB (2.9x2.2)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1													40 V	1,5 A	10µA (ICBO)	NPN	900 MV à 100MA, 1A	20 @ 1A, 1,5 V	-
2C6213	53.9850	RFQ	4704	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif								-			Atteindre non affecté	150-2c6213			1
Jansd2n4449	129.0708	RFQ	7893	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206ab, to-46-3 Métal peut			500 MW	To-46	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n4449			1													15 V		400NA	NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	20 @ 100mA, 1V	-
2N4240	39.9133	RFQ	1742	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N4240		35 W	To-66	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													500 V	2 A	5ma	NPN	1V @ 75mA, 750mA	30 @ 750mA, 10V	-
2C3737	13.8187	RFQ	1945	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2c3737			1
Jantx2N3810U	34.5534	RFQ	5355	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810		350mw	To-78-6	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1													60V	50m	10µA (ICBO)	2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-

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