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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Arf468ag	65.5000	RFQ	3726	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	500 V			À 264-3, à 264aa	ARF468	40,68 MHz	Mosfet			À 264	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		22a	300W	15 dB											-					150 V
2C3500	9.5494	RFQ	8036	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif											-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2c3500			1
Jantxv2n2604ub / tr	-	RFQ	5762	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/354	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				400 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jantxv2N2604UB / TR			50																		60 V	30 mA			10na			Pnp	300 mV à 500 µA, 10mA	60 @ 500µA, 5V	-
Jan2n2945aub	323.6006	RFQ	1164	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/382	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance				400 MW		Ub	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																		20 V	100 mA			10µA (ICBO)			Pnp	-	70 @ 1MA, 500 mV	-
2N2201	30.5100	RFQ	4267	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif											-			Atteindre non affecté	150-2n2201			1
2N4002	707.8500	RFQ	6845	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 211 MO, à 63-4, Étalon				100 W		To-63	-			Atteindre non affecté	150-2n4002	EAR99	8541.29.0095	1																		80 V	30 A			-			NPN	-	-	-
APTMC120AM25CT3AG	421.6300	RFQ	7	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	APTMC120		Carbure de silicium (sic)	500W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Canal (Demi-pont)					1200V (1,2 kV)	113a (TC)		25MOHM @ 80A, 20V	2.2 V @ 4mA (TYP)	197nc @ 20v		3800pf @ 1000v	-
Jantxv2n2945aub / tr	499.4116	RFQ	6776	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/382	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2945			400 MW		Ub	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jantxv2n2945aub / tr	EAR99	8541.21.0095	1																		20 V	100 mA			10µA (ICBO)			Pnp	-	70 @ 1MA, 500 mV	-
Apt20m20jfll	44.0405	RFQ	6381	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Apt20m20		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				200 V	104A (TC)		20 mohm @ 52a, 10v	5V @ 2,5mA	110 NC @ 10 V		6850 pf @ 25 V	-
2N5745	77.3850	RFQ	2621	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3				5 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n5745	EAR99	8541.29.0095	1																		80 V	20 a			100 µA			Pnp	1V @ 1A, 10A	15 @ 10a, 2v	-
Aptgt50x60t3g	94.5100	RFQ	1	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptgt50			176 W	Standard	SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Onduleur Triphasé																Arête du Champ de Tranché	600 V	80 A	1,9 V @ 15V, 50A		250 µA	Oui	3,15 nf @ 25 V
Apt50m65jfll	45.0400	RFQ	304	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT50M65		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				500 V	58A (TC)	10V	65MOHM @ 29A, 10V	5V @ 2,5mA	141 NC @ 10 V	± 30V	7010 PF @ 25 V	-	520W (TC)
MSC060SMA070S	10.5700	RFQ	54	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	MSC060		Sicfet (carbure de silicium)			D3pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				700 V	37a (TC)	20V	75MOHM @ 20A, 20V	2,4 V @ 1MA	56 NC @ 20 V	+ 23v, -10V	1175 PF @ 700 V	-	130W (TC)
TP0610T-G	0,9200	RFQ	15	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	TP0610		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 236ab (SOT23)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p				60 V	120mA (TJ)	4,5 V, 10V	10OHM @ 200mA, 10V	2,4 V @ 1MA		± 20V	60 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
Jankcap2n3810	-	RFQ	3066	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810			350mw		To-78-6	-			Atteindre non affecté	150-JANKCAP2N3810			100																		60V	50m			10µA (ICBO)			2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
Jans2n6989u / tr	262.4104	RFQ	4970	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/559	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N6989			1W		6 mm	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-jans2n6989u / tr	EAR99	8541.29.0095	1																		50v	800mA			10NA (ICBO)			4 pnp (quad)	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jans2n3439	199.8108	RFQ	8205	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3439			800 MW		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																		350 V	1 a			2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
MSR2N2369AU	-	RFQ	4557	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N2369						-			Atteindre non affecté	150-MSR2N2369AU			100
APTM50HM75SCTG	197.5617	RFQ	4491	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM50		Carbure de silicium (sic)	357W		SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal (Demi-pont)					500 V	46a		90MOHM @ 23A, 10V	5V @ 2,5mA	123nc @ 10v		5590pf @ 25v	-
2N3724UB / TR	21.7588	RFQ	3825	Technologie des micropuces	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut						To-5	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2n3724UB / TR	EAR99	8541.29.0095	1
Jantxv2n6299p	46.4835	RFQ	3673	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2				64 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jantxv2n6299p			1																		80 V	8 A			500 µA			PNP - Darlington	2V @ 80mA, 8A	750 @ 4A, 3V	-
Jantx2n6274	1 0000	RFQ	8	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/514	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204ae	2N6274			250 W		To-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																		100 V	50 a			50 µA			NPN	3V @ 10A, 50A	30 @ 20A, 4V	-
Jans2n2905al	68.5204	RFQ	6828	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/290	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				800 MW		To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																		60 V	1 µA			1 µA			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jankcc2n5153	38.7961	RFQ	6058	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/545	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-JANKCC2N5153	EAR99	8541.29.0095	1																		80 V	2 A			50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
Aptgtq50ta65t3g	96.0300	RFQ	8206	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	Aptgtq50			125 W	Standard	SP3F	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Onduleur Triphasé																-	650 V	50 a	2.2 V @ 15V, 50A		50 µA	Oui	3 nf @ 25 V
Jansl2n3439u4	413.4420	RFQ	6677	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				800 MW		U4	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n3439u4			1																		350 V	1 a			2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
Jantxv2n6438	-	RFQ	9086	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3						To-3	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																		120 V	25 A			-			Pnp	-	-	-
APTGLQ150H120G	278.2000	RFQ	6243	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	APTGLQ150			750 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Achèvement Pont																Arête du Champ de Tranché	1200 V	250 A	2,4 V @ 15V, 150A		100 µA	Non	8,8 nf @ 25 V
Jansf2n2906aubc / tr	305.9206	RFQ	7228	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				500 MW		UBC	-			Atteindre non affecté	150-Jansf2n2906aubc / tr			50																		60 V	600 mA			50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
APT13F120	11.6700	RFQ	7265	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	APT13F120		MOSFET (Oxyde Métallique)			D3pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				1200 V	14A (TC)	10V	1,2 ohm @ 7a, 10v	5V @ 1MA	145 NC @ 10 V	± 30V	4765 PF @ 25 V	-	625W (TC)

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