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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Apt10086bvrg	19.0700	RFQ	2030	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	APT10086	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	13A (TC)		860MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 1MA	275 NC @ 10 V		4440 PF @ 25 V	-
Apt5010b2llg	17.0200	RFQ	4219	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Apt5010	MOSFET (Oxyde Métallique)			T-MAX ™ [B2]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	46A (TC)	10V	100MOHM @ 23A, 10V	5V @ 2,5mA	95 NC @ 10 V	± 30V	4360 PF @ 25 V	-	520W (TC)
Jantxv2n3725ub	-	RFQ	9119	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance					Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1														50 V	500 mA		-			NPN	-	-	-
Jantx2n6274	1 0000	RFQ	8	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/514	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204ae	2N6274		250 W		To-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														100 V	50 a		50 µA			NPN	3V @ 10A, 50A	30 @ 20A, 4V	-
Jantxv2n3501ub	21.7322	RFQ	3836	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N3501		500 MW		Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														150 V	300 mA		10µA (ICBO)			NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
Apt12057lfllg	41.7604	RFQ	5416	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT12057	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1200 V	22A (TC)	10V	570MOHM @ 11A, 10V	5V @ 2,5mA	185 NC @ 10 V	± 30V	5155 PF @ 25 V	-	690W (TC)
Jantxv2n3585	-	RFQ	8903	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/384	En gros	Abandonné à sic	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2			2,5 W		To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														300 V	2 A		5ma			NPN	750 MV à 125mA, 1A	25 @ 1A, 10V	-
2N335A	65.1035	RFQ	9046	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif		Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N335				To-5	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
2C4150	11.8769	RFQ	9041	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif									-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2c4150			1
Jantx2N1485	214.3960	RFQ	6582	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/180	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 233aa, à 8-3	2N1485		1,75 W		To-8	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														40 V	3 A		15 µA			NPN	750mV @ 40mA, 750A	35 @ 750mA, 4V	-
Apt9f100b	4.8944	RFQ	8456	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt9f100	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	9A (TC)	10V	1,6 ohm @ 5a, 10v	5V @ 1MA	80 NC @ 10 V	± 30V	2606 PF @ 25 V	-	337W (TC)
2N3749	129.7947	RFQ	7655	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 111-4, Goujon			2 W		À 111	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2n3749	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	5 a		20 µA			NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	40 @ 1A, 2V	-
Jansp2n3635l	129.5906	RFQ	7727	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W		To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														140 V	10 µA		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
Jansf2n5154	98.9702	RFQ	5454	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	1 mA		1 mA			NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
Mscsm120am11t3ag	310.6600	RFQ	6814	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120	Carbure de silicium (sic)	1.067KW (TC)		-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-mscsm120am11t3ag	EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)		1200V (1,2 kV)	254A (TC)		10.4MOHM @ 120A, 20V	2,8 V @ 9m	696nc @ 20v		9060pf @ 1000v	-
2N6987U	59.3712	RFQ	8927	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	20-CLCC	2N6987		1W		20-CLCC (8.89x8.89)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2N6987UM	EAR99	8541.29.0095	1														60V	600mA		10µA (ICBO)			4 pnp (quad)	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N2905	20.5086	RFQ	4815	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			800 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	2N2905ms	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	1 µA		1 µA			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n6051	92.0360	RFQ	5798	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/501	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-3	2N6051		150 W		To-3 (to-204aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	12 A		1 mA			PNP - Darlington	3V @ 120mA, 12A	1000 @ 6A, 3V	-
2N327A	65.1035	RFQ	1702	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1
2N1724A	334.7344	RFQ	1751	Technologie des micropuces	-	Plateau	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon	2N1724		3 W		To-61	-			Atteindre non affecté	2n1724h	EAR99	8541.29.0095	1														120 V	5 a		100 µA			NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2a, 15v	-
CC1202	-	RFQ	1556	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-		-		MOSFET (Oxyde Métallique)				-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n	800 V	-		-	-				-	-
VP0550N3-G-P013	1.7600	RFQ	7206	Technologie des micropuces	-	Tape & Box (TB)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	VP0550	MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal p	500 V	54mA (TJ)	5v, 10v	125 ohm @ 10mA, 10V	4,5 V @ 1MA		± 20V	70 pf @ 25 V	-	1W (TC)
Jan2N3499U4	-	RFQ	8343	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W		U4	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														100 V	500 mA		50NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n2907aua / tr	30.0314	RFQ	7214	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2907		500 MW		Ua	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-jantxv2n2907aua / tr	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N2984	27.6600	RFQ	2300	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			5 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-2n2984	EAR99	8541.29.0095	1														120 V	3 A		-			NPN	1,25 V @ 400µA, 1MA	-	-
Jansd2n3634ub	-	RFQ	4443	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			1 W		Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50														140 V	10 µA		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
APTM50DDA10T3G	79.3100	RFQ	7316	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	APTM50	MOSFET (Oxyde Métallique)	312W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)		500 V	37a		120MOHM @ 18,5A, 10V	5V @ 1MA	96nc @ 10v		4367pf @ 25v	-
MSCSM170TAM45CT3AG	453.7100	RFQ	14	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM170	Carbure de silicium (sic)	319W (TC)		-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM170TAM45CT3AG	EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)		1700v (1,7 kV)	64a (TC)		45MOHM @ 30A, 20V	3,2 V @ 2,5mA	178nc @ 20v		3300pf @ 1000v	-
APTM20AM10STG	173.0800	RFQ	2433	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM20	MOSFET (Oxyde Métallique)	694W		SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Canal (Demi-pont)		200 V	175a		12MOHM @ 87.5A, 10V	5V @ 5mA	224nc @ 10v		13700pf @ 25v	-
APTGT450SK60G	197.0100	RFQ	2759	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	Aptgt450		1750 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	600 V	550 A	1,8 V @ 15V, 450A	500 µA	Non	37 nf @ 25 V

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