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Transistors (4003)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PZTA14,115 | - |  | 8374 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZTA14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP4501G, 115 | 0,0500 | | 121 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMP4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V2300NBR5 | - | | 3717 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 110 V | Soutenir de châssis | À 272bb | MRF6 | 220 MHz | LDMOS | À 272 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 mA | 300W | 25,5 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NX3020NAKT, 115 | - | | 5741 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | NX30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-75 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 180mA (TA) | 2,5 V, 10V | 4,5 ohm @ 100mA, 10V | 1,5 V @ 250µA | 0,44 NC @ 4,5 V | ± 20V | 13 pf @ 10 V | - | 230mw (TA), 1 06W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | PDTC114ET / DG / B2215 | 0,0200 | | 4438 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A5G38H045NT4 | 21.3128 | | 3683 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK964R2-55B / C | 0,7200 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf6vp41khr5 | - | | 4653 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 110 V | Soutenir de châssis | NI-1230 | MRF6 | 450 MHz | LDMOS | NI-1230 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935309956178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 150 mA | 1000W | 20 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7213-40A, 118 | - | | 9516 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Buk72 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934058199118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 55A (TC) | 10V | 13MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 2245 PF @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | PMK35EP, 518 | - | | 6361 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Non applicable | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal p | 30 V | 14.9A (TC) | 10V | 19MOHM @ 9.2A, 10V | 3V à 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 25V | 2100 PF @ 25 V | - | 6.9W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | PBS4240T, 215 | - | | 5475 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pc4081s, 135 | 0,0200 | | 160 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400 MV à 5MA, 50mA | 270 @ 1MA, 6V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLL6H0514LS-130112 | - | | 5119 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144WM, 315 | 0,0300 | | 200 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS6001D, 115 | 0,0700 | | 111 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbls60 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMT1,115 | - | | 3313 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pemt1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35010ANT1 | - | | 4780 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 15 V | Support de surface | PLD-1.5 | MRFG35 | 3,55 GHz | Phemt Fet | PLD-1.5 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | - | 130 mA | 9W | 10 dB | - | 12 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1005HSR5 | - | | 5795 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 120 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MMRF1 | 1,3 GHz | LDMOS | Ni-780 | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935315357178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100 mA | 250W | 22,7 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| PH8230E, 115 | - | | 2233 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Ph82 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT21S240-12SR3 | - | | 5957 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | NI-880XS-2L | AFT21 | 2,17 GHz | LDMOS | NI-880XS-2L | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935320365128 | 5A991B | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.4 A | 55W | 20,4 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9410DY, 518 | - | | 8384 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 7a (tj) | 4,5 V, 10V | 30mohm @ 7a, 10v | 1V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S20010NR1 | - | | 6052 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Support de surface | À 270aa | MRF6 | 2,17 GHz | LDMOS | À 270-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 130 mA | 10W | 15,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Afv10700hr5 | 502.4500 | | 44 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 105 V | Soutenir de châssis | NI-780-4 | AFV10700 | 1,03 GHz ~ 1,09 GHz | LDMOS | NI-780-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | 1 µA | 100 mA | 770W | 19.2 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VP5300NR1 | 66.1000 | | 4218 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 133 V | Support de surface | À 270ab | MRFE6 | 1,8 MHz ~ 600 MHz | LDMOS | À 270 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.29.0040 | 500 | Double | - | 100 mA | 300W | 27 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| AFT21S230SR5 | - | | 4089 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Ni-780 | AFT21 | 2,11 GHz | LDMOS | NI-780S-6 | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935314997178 | 5A991G | 8541.29.0095 | 50 | - | 1,5 A | 50W | 16,7 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144VK, 115 | - | | 3665 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC144 | 250 MW | SMT3; Mpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 40 @ 5mA, 5V | 47 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PML260SN, 118 | 0,3600 | | 6829 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | DFN3333-8 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 636 | Canal n | 200 V | 8.8A (TC) | 6v, 10v | 294MOHM @ 2,6A, 10V | 4V @ 1MA | 13.3 NC @ 10 V | ± 20V | 657 pf @ 30 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PhB45NQ15T, 118 | - | | 1766 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Phb45 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | J110,126 | - | | 4664 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | J110 | 400 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934003870126 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | Canal n | 25 V | 30pf @ 0v | 25 V | 10 ma @ 5 V | 4 V @ 1 µA | 18 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| PMV30XPEA, 215-NXP | - | | 4120 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMV30 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | - |
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