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Transistors (4003)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - test |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Pmk50xp518 | 1 0000 |  | 9556 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 7.9a (TC) | 4,5 V | 50MOHM @ 2,8A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 10 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1020 pf @ 20 V | - | 5W (TC) | |||||||||||||
 | PUMH10 / ZL115 | 0,0300 | | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf7p20040hr5 | - | | 5714 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | NI-780-4 | MRF7 | 2,03 GHz | LDMOS | NI-780-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 150 mA | 10W | 18.2db | - | 32 V | |||||||||||||||
 | PhD14NQ20T, 118 | - | | 4157 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | PhD14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 14A (TC) | 5v, 10v | 230MOHM @ 7A, 10V | 4V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||
 | Phm21NQ15T, 518 | - | | 8989 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | Phm21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HVSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 150 V | 22.2A (TC) | 5v, 10v | 55MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 1MA | 36.2 NC @ 10 V | ± 20V | 2080 PF @ 25 V | - | 62,5W (TC) | ||||||||||||
| A3G20S350-01SR3 | 89.0908 | | 1303 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 V | Support de surface | NI-400S-2SA | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | Canal n | NI-400S-2SA | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 568-A3G20S350-01SR3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | - | 500 mA | 59W | 18.1 dB | - | 48 V | ||||||||||||||||
| A3i25x050nr1 | 40.8710 | | 3862 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 65 V | Support de surface | OM-400-8 | 2,3 GHz ~ 2,7 GHz | LDMOS (double) | OM-400-8 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 568-a3i25x050nr1tr | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | 2 N-Canal | 10 µA | 130 mA | 5.6W | 28,8 dB à 2,59 GHz | - | 28 V | ||||||||||||||||
 | PH3430AL, 115 | - | | 7445 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Support de surface | SC-100, SOT-669 | Ph34 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934063086115 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | Canal n | 30 V | 100A (TC) | 3,5 mohm @ 15a, 10v | 2.15v @ 1mA | 41 NC @ 10 V | 2458 pf @ 12 V | - | - | |||||||||||||
| PH9025L, 115 | - | | 7204 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | PH90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | Canal n | 25 V | 66a (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 10A, 10V | 2.15v @ 1mA | 12,8 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1414 PF @ 30 V | - | 62,5W (TC) | ||||||||||||
 | BF904R, 235 | - | | 4441 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 7 V | Support de surface | SOT-143R | BF904 | 200 MHz | Mosfet | SOT-143R | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934020440235 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 10 mA | - | - | 1 dB | 5 V | ||||||||||||||
| PSMN8R0-30YLC, 115 | - | | 6862 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | Psmn8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | Canal n | 30 V | 54A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,9MOHM @ 15A, 10V | 1,95 V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 848 PF @ 15 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||
 | PMv25enea215 | 1 0000 | | 5527 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S19260HR6 | - | | 8837 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-1110A | MRF8 | 1,99 GHz | LDMOS | NI1230-8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 935310435128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Double | - | 1.6 A | 74W | 18.2db | - | 30 V | ||||||||||||||
 | Phkd13n03lt, 518 | - | | 9048 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Phkd13 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3 57W | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 10.4a | 20 mohm @ 8a, 10v | 2V à 250µA | 10.7nc @ 5v | 752pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||
 | BUK9107-40ATC, 118 | 1 0000 | | 3350 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-5, d²pak (4 leads + onglet), à 263bb | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-426 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,2MOHM @ 50A, 10V | 2v @ 1MA | ± 15V | 5836 PF @ 25 V | Diode de latection de température | 272W (TC) | ||||||||||||||
| Buk9y15-60e | 1 0000 | | 3798 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk9840-55 / cux | - | | 6412 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 55 V | 5A (TA), 10,7A (TC) | 5V | 40 mohm @ 5a, 5v | 2v @ 1MA | ± 10V | 1400 pf @ 25 V | - | 8.3W (TC) | |||||||||||||||||
 | PSMN070-200B | - | | 3024 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PSMN070 | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | PZTA14,115 | - | | 8374 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZTA14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP4501G, 115 | 0,0500 | | 121 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMP4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF9030LR5 | - | | 5419 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | Ni-360 | MRF90 | 945 MHz | LDMOS | Ni-360 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 250 mA | 30W | 19 dB | - | 26 V | ||||||||||||||||
 | MRF6V2300NBR5 | - | | 3717 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 110 V | Soutenir de châssis | À 272bb | MRF6 | 220 MHz | LDMOS | À 272 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 mA | 300W | 25,5 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||
 | MRF8P20160HSR3 | - | | 8154 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Support de surface | NI-780S-4L | MRF8 | 1,92 GHz | LDMOS | NI-780S-4L | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935310235128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 550 mA | 37w | 16,5 dB | - | 28 V | ||||||||||||||
 | NX3020NAKT, 115 | - | | 5741 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | NX30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-75 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 180mA (TA) | 2,5 V, 10V | 4,5 ohm @ 100mA, 10V | 1,5 V @ 250µA | 0,44 NC @ 4,5 V | ± 20V | 13 pf @ 10 V | - | 230mw (TA), 1 06W (TC) | ||||||||||||
 | PDTC114ET / DG / B2215 | 0,0200 | | 4438 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| A5G38H045NT4 | 21.3128 | | 3683 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK964R2-55B / C | 0,7200 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMN80XP, 115 | - | | 6986 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | Canal p | 20 V | 2.5a (TA) | 102MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 7,5 NC @ 4,5 V | ± 12V | 550 pf @ 10 V | - | 385MW (TA), 4W (TC) | ||||||||||||||
 | Mrf6vp41khr5 | - | | 4653 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 110 V | Soutenir de châssis | NI-1230 | MRF6 | 450 MHz | LDMOS | NI-1230 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935309956178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 150 mA | 1000W | 20 dB | - | 50 V | ||||||||||||||
 | Mrf7s21080hr5 | - | | 6933 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF7 | 2,17 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 800 mA | 22W | 18 dB | - | 28 V |
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