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Transistors (4003)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK761R8-30C, 118 | - |  | 1442 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Buk76 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 100A (TC) | 10V | 1,8MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 10349 PF @ 25 V | - | 333W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | PSMN004-60P, 127 | - | | 7318 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Psmn0 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 75A (TC) | 3,6MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 168 NC @ 10 V | 8300 pf @ 25 V | - | - | |||||||||||||||||||||||
 | PDTA115ET, 215 | 0,0200 | | 39 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847QAPN147 | 0,0300 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 5 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdtc115emb | 1 0000 | | 5375 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX18,215 | 0,0300 | | 130 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 25 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 620 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 80 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143xe, 135 | - | | 6446 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-75, SOT-416 | PDTA143 | 150 MW | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 50 @ 10mA, 5V | 4,7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | Buj302ad, 118 | 1 0000 | | 9938 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 80 W | Dpak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 4 A | 250mA | NPN | 1,5 V @ 1A, 3,5A | 25 @ 800mA, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S9260HSR3 | - | | 4924 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 70 V | Support de surface | Ni-880 | MRF8 | 960 MHz | LDMOS | Ni-880 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935319595128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.7 A | 75W | 18,6 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | Mrf6v14300hr3 | - | | 6659 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 100 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF6 | 1,4 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 150 mA | 330W | 18 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||
| Pdtc123ymb315 | 0,0200 | | 2063 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTC123 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 895 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nxp3875y, 215 | - | | 7474 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF9120LR3 | - | | 5795 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-860 | MRF91 | 880 MHz | LDMOS | Ni-860 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.31.0001 | 250 | - | 1 a | 120W | 16,5 dB | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||||
 | MRF9135LSR5 | - | | 1874 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF91 | 880 MHz | LDMOS | Ni-780 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.31.0001 | 50 | - | 1.1 A | 25W | 17,8 dB | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||||
 | Mrfe6vp6300hr5 | 127.0900 | | 191 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 130 V | Soutenir de châssis | NI-780-4 | MRFE6 | 230 MHz | LDMOS | NI-780-4 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 100 mA | 300W | 26,5 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
 | PMGD8000LN, 115 | - | | 1879 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pmgd8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 200 MW | 6-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 125mA | 8OHM @ 10mA, 4V | 1,5 V à 100 µA | 0,35nc @ 4,5 V | 18,5pf @ 5v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||
 | Aft09mp055nr1 | 21.9432 | | 8536 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 40 V | Support de surface | À 270ab | AFT09 | 870 MHz | LDMOS | À 270 WB-4 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935315139528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 550 mA | 1W | 15.7 dB | - | 12,5 V | ||||||||||||||||||||||||
 | 2pd601aq, 115 | - | | 7251 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2pd60 | 250 MW | SMT3; Mpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 250 mV @ 10mA, 100mA | 160 @ 2MA, 10V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114YU | 1 0000 | | 4603 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU725F / N1 / S115 | 1 0000 | | 7446 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC327,126 | - | | 9029 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC32 | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 80 MHz | |||||||||||||||||||||||||
| Php55n03lta, 127 | - | | 2739 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Php55 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 25 V | 55A (TC) | 5v, 10v | 14MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | 20 nc @ 5 V | ± 20V | 950 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||
| Mrf7s19210hr5 | - | | 4495 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF7 | 1,99 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.4 A | 63W | 20 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| PBS4130QA147 | - | | 8105 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 5 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817-25 / 6215 | 0,0200 | | 8493 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BC817 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN2R8-40BS, 118 | 0,8300 | | 6 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2,9MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 1MA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 4491 PF @ 20 V | - | 211W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| Php101nq03lt, 127 | - | | 8517 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Php10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 5v, 10v | 5,5 mohm @ 25a, 10v | 2,5 V @ 1MA | 23 NC @ 5 V | ± 20V | 2180 PF @ 25 V | - | 166W (TC) | |||||||||||||||||||||
| A2T20H330W24NR6 | - | | 4317 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | OM-1230-4L2L | A2T20 | 1,88 GHz ~ 2 025 GHz | LDMOS | OM-1230-4L2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935316239528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 10 µA | 700 mA | 229W | 15,9 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | PBS5330PAS115 | - | | 7873 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCM847DS / DG / B2 115 | 0,0600 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BCM847 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 |
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