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Transistors (4003)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mrf7s21110hr3 | - |  | 9037 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF7 | 2,17 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.1 A | 33W | 17,3 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114ES, 126 | - | | 2746 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | PDTA114 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 5mA, 5V | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | PEMD16115 | - | | 1061 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7E4R3-75C, 127 | - | | 7802 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Buk7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 75 V | 100A (TC) | 10V | 4,3MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 142 NC @ 10 V | ± 20V | 11659 PF @ 25 V | - | 333W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | PSMN5R8-30LL, 115 | - | | 1063 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | Psmn5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1400 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,8MOHM @ 10A, 10V | 2.15v @ 1mA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1316 PF @ 15 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | AFT26H250-24SR6 | - | | 7111 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | NI-1230-4LS2L | AFT26 | 2,5 GHz | LDMOS | NI-1230-4LS2L | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935323547128 | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | - | 700 mA | 50W | 14.1db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
 | Mrf6p18190hr6 | - | | 9265 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | NI-1230 | MRF6 | 1,88 GHz | LDMOS | NI-1230 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | - | 2 A | 44W | 15,9 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | BF904R, 215 | - | | 2384 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 7 V | Support de surface | SOT-143R | BF904 | 200 MHz | Mosfet | SOT-143R | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 10 mA | - | - | 1 dB | 5 V | |||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S21045NR1 | - | | 1347 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Support de surface | À 270ab | MRF5 | 2,12 GHz | LDMOS | À 270 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 500 mA | 10W | 14,5 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | PMN23UN, 135 | - | | 2077 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-74 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 000 | Canal n | 20 V | 6.3A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 28MOHM @ 2A, 4,5 V | 700 MV @ 1MA (TYP) | 10.6 NC @ 4,5 V | ± 8v | 740 pf @ 10 V | - | 1,75W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BLF888as, 112 | 224.6300 | | 113 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tube | Actif | BLF88 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 60 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC327 412 | - | | 6867 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC32 | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 80 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S9100MR1 | - | | 5044 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Support de surface | À 270ab | MRF5 | 880 MHz | LDMOS | À 270 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 mA | 20W | 19,5 dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | BFS25A, 115 | - | | 4004 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BFS25 | 32MW | SC-70 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | - | 5V | 6,5 Ma | NPN | 50 @ 500µA, 1V | 5 GHz | 1,8 dB ~ 2 dB à 1Hz | ||||||||||||||||||||||||||
 | MW7IC2425NBR1 | - | | 8019 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Variante de 272-16, | Mw7ic | 2 45 GHz | LDMOS | À 272 WB-16 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | - | 55 mA | 25W | 27,7 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
| BCX55,115 | - | | 8695 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BCX55 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQMD12147 | - | | 2752 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Php21n06lt, 127 | - | | 7273 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Php21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 19A (TC) | 5v, 10v | 70MOHM @ 10A, 10V | 2v @ 1MA | 9.4 NC @ 5 V | ± 15V | 650 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| PDTB143EQA147 | 0,0300 | | 13 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | PDTB143 | En gros | Actif | Support de surface | Pad Exposé 3-XDFN | PDTB143 | 325 MW | Dfn1010d-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 500 mA | 500NA | PNP - Pré-biaisé | 100mV à 2,5ma, 50mA | 60 @ 50mA, 5V | 150 MHz | 4,7 kohms | 4,7 kohms | |||||||||||||||||||||||||
| PDTC143ZS, 126 | - | | 1982 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | PDTC143 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 100 mV à 250µa, 5mA | 100 @ 10mA, 5V | 4,7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S21130HR3 | - | | 9746 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF5 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-880H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2 A | 28W | 13,5 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114YT, 215 | - | | 9352 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9523-75A, 127 | - | | 5434 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk95 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 75 V | 53A (TC) | 4,5 V, 10V | 22MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | ± 10V | 3120 pf @ 25 V | - | 138W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| PMV62XN, 215 | - | | 7380 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | PMV6 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934066503215 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA06 126 | - | | 7188 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | MPSA06 | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 80 V | 500 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 250 mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 100mA, 1v | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2pc4617r, 115 | - | | 9396 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | 2pc46 | 150 MW | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 200 mV @ 5mA, 50mA | 180 @ 1MA, 6V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| A3I35D025GNR1 | - | | 8947 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 28 V | Support de surface | Variante de 270-17, Aile de Mouette | 3,2 GHz ~ 4 GHz | LDMOS | À 270wbg-17 | - | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 500 | - | 3.4W | 27,8 dB | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC124EU, 115 | - | | 5897 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pdtc12 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF21045LR5 | - | | 6138 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-400 | MRF21 | 2,16 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | Ni-400 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8542.31.0001 | 50 | - | 500 mA | 10W | 15 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
| BUK7513-75B, 127 | 0.4400 | | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tube | Actif | Buk75 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 |
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