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Transistors (4003)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFS17A, 235 | - |  | 8751 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFS17 | 300mw | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 933750250235 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | - | 15V | 25m | NPN | 25 @ 2MA, 1V | 2,8 GHz | 2,5 dB à 800 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | PDTA115ES, 126 | - | | 4836 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | PDTA115 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 50 V | 20 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 250µa, 5mA | 80 @ 5mA, 5V | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9045GNR1 | - | | 3047 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 66 V | Support de surface | À 270bb | MRFE6 | 880 MHz | LDMOS | À 270 WB-4 Gull | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 350 mA | 10W | 22.1 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S16150HSR3 | - | | 5157 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF7 | 1,6 GHz ~ 1,66 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1,5 A | 32W | 19,7 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRF9060LSR1 | - | | 3597 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-360 | MRF90 | 945 MHz | LDMOS | Ni-360 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.21.0075 | 500 | - | 450 mA | 60W | 17 dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | PhB110NQ08T, 118 | 1.0400 | | 750 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 290 | Canal n | 75 V | 75A (TC) | 10V | 9MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 113.1 NC @ 10 V | ± 20V | 4860 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144TU, 115 | 0,0200 | | 143 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK753R4-30B, 127 | - | | 4637 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 10V | 3,4MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 4951 PF @ 25 V | - | 255W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| BUJ100,412 | - | | 4524 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buj1 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V12500GSR5 | 581.4510 | | 5990 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 110 V | Support de surface | NI-780GS-2L | MRF6V12500 | 960 MHz ~ 1 215 GHz | LDMOS | NI-780GS-2L | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935326078178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 200 µA | 200 mA | - | 19,7 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124xe, 115 | - | | 5212 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-75, SOT-416 | PDTA124 | 150 MW | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 80 @ 5mA, 5V | 22 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC847C, 235 | 1 0000 | | 2887 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | - | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN016-100XS, 127 | - | | 3738 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Psmn0 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 32.1a (TC) | 10V | 16MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 1MA | 46.2 NC @ 10 V | ± 20V | 2404 PF @ 50 V | - | 46.1W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| PhD13003C, 412 | 0,0800 | | 23 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PhD13 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA115EMB, 315 | 0,0300 | | 199 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-101, SOT-883 | PDTA115 | 250 MW | DFN1006B-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 20 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 250µa, 5mA | 80 @ 5mA, 5V | 180 MHz | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143XQA147 | 0,0300 | | 122 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 5 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S21100HR3 | - | | 3229 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF5 | 2,16 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.05 A | 23W | 13,5 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | PMN50XP, 165 | - | | 7541 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | PMN5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-74 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 000 | Canal p | 20 V | 4.8A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 60 mOhm @ 2,8a, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 10 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1020 pf @ 20 V | - | 2.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| PMR290XN, 115 | - | | 1678 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | PMR2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 970mA (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 350mohm @ 200mA, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 0,72 NC à 4,5 V | ± 12V | 34 PF @ 20 V | - | 530mw (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | MMRF1306HR5 | 197.1090 | | 6339 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 133 V | Soutenir de châssis | SOT-979A | MMRF1306 | 230 MHz | LDMOS | NI-1230-4H | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 100 mA | 1250W | 24 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||
 | BUK7908-40AIE127 | 0,9000 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-5 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 10V | 8MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 1MA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 3140 PF @ 25 V | Détection de Courant | 221W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| MRF1550NT1,528 | - | | 1983 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S21050LSR3 | - | | 9100 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | Ni-400 | MRF6 | 2,16 GHz | LDMOS | Ni-400 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 450 mA | 11,5W | 16 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S19100NR1 | - | | 1651 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Support de surface | À 270ab | MRF7 | 1,93 GHz ~ 1,99 GHz | LDMOS | À 270 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935322766528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 1 a | 29W | 17,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| PBLS6021D, 115 | 0 1200 | | 162 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbls60 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMH2 / L135 | 0,0300 | | 212 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CLF1G0060S-10 | 1 0000 | | 1622 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 V | Support de surface | SOT-1227B | 6 GHz | Gan Hemt | SOT1227B | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 50 mA | 10W | 16 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | Phk13n03lt, 518 | - | | 4335 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Phk13 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTB143XU115 | 0,0300 | | 130 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9516-75B, 127 | - | | 4511 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk95 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 75 V | 67a (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | 35 NC @ 5 V | ± 15V | 4034 PF @ 25 V | - | 157W (TC) |
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