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Transistors (4003)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Figure de Bruit (db typ @ f)
MRF282SR1	-	RFQ	3525	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V		Soutenir de châssis	Ni-200	MRF28	2 GHz	LDMOS		Ni-200	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0040	500			-	75 Ma	10W	11,5 dB											-			26 V
AFV121KHR5	749.9594	RFQ	6321	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	112 V		Soutenir de châssis	SOT-979A	AFV121	960 MHz ~ 1,22 GHz	LDMOS		NI-1230-4H	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	935323779178	EAR99	8541.29.0075	50	Double		-	100 mA	1000W	19,6 dB											-			50 V
PMN70XP115	0,0600	RFQ	523	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0095	3 000
PMv90ene215	-	RFQ	9040	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0095	3 000
PhM12NQ20T, 518	-	RFQ	3645	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	Phm12		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-HVSON (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n					200 V	14.4a (TC)	5v, 10v	130mohm @ 12a, 10v	4V @ 1MA	26 NC @ 10 V	± 20V	1230 pf @ 25 V	-	62,5W (TC)
PBSS302PZ, 135	-	RFQ	9222	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Pbss3					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	4 000
PDTA124ET, 215	0,0200	RFQ	6499	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					PDTA124					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000
BFU550R	0,5900	RFQ	45	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 253-4, à 253aa	BFU550			450mw	SOT-143B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000						21 dB												12V	50m			NPN		60 @ 15mA, 8v	11 GHz		0,7 dB à 900 MHz
Buk7k35-60ex	-	RFQ	9164	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-1205, 8-LFPAK56	Buk7k35		MOSFET (Oxyde Métallique)	38W	LFPAK56D	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)						60V	20.7A		30MOHM @ 5A, 10V	4V @ 1MA	12.5nc @ 10v		794pf @ 25v	-
MMRF1015NR1	20.9500	RFQ	355	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	68 V		Support de surface	À 270-2	MMRF1015	960 MHz	LDMOS		À 270-2	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	500			-	125 mA	10W	18 dB											-			28 V
BFG31,115	-	RFQ	7404	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		175 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	BFG31			1W	SC-73	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000						-												15V	100 mA			Pnp		25 @ 70mA, 10V	5 GHz		-
On5274,115	-	RFQ	6515	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	À 261-4, à 261aa	On52	-	-		SC-73	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934058849115	EAR99	8541.29.0095	1 000	-		-		-	-											-
BF1201,215	-	RFQ	1038	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	10 V		Support de surface	À 253-4, à 253aa	BF120	400 MHz	Mosfet		SOT-143B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	Double Porte de Canal N-Canal		30m	15 mA	-	29 dB											1 dB			5 V
BUK961R4-30E, 118	-	RFQ	6794	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Buk96		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n					30 V	120A (TC)	5v, 10v	1,4 mohm @ 25a, 5v	2.1V @ 1MA	113 NC @ 5 V	± 10V	16150 PF @ 25 V	-	357W (TC)
BF821,215	-	RFQ	7876	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BF821					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000
A2t08vd020nt1	7.8000	RFQ	5552	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	105 V		Support de surface	24 PowerQfn	A2T08	728 MHz ~ 960 MHz	LDMOS		24-pqfn-ep (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935322283528	EAR99	8541.29.0075	1 000			10 µA	40 mA	18W	19.1 dB											-			48 V
PDTD143ET235	-	RFQ	9597	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	10 000
Phpt610035nk115	-	RFQ	6813	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0075	1 500
MRF21010LSR5	-	RFQ	1980	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V		Soutenir de châssis	Ni-360	MRF21	2,17 GHz	LDMOS		Ni-360	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	50			-	100 mA	10W	13,5 dB											-			28 V
BFR93AW135	0,0900	RFQ	96	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	10 000
BUK95180-100A, 127	-	RFQ	6761	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Buk95		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					100 V	11a (TC)	4,5 V, 10V	173MOHM @ 5A, 10V	2v @ 1MA		± 15V	619 PF @ 25 V	-	54W (TC)
Buk9907-55ate, 127	-	RFQ	5008	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-5	Buk99		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-5	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					55 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	6,2MOHM @ 50A, 10V	2v @ 1MA	108 NC @ 5 V	± 15V	5836 PF @ 25 V	Diode de latection de température	272W (TC)
BCX70H, 215	-	RFQ	4005	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BCX70					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000
Buk7y7r6-40e / gfx	-	RFQ	3433	NXP USA Inc.	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète					Buk7					-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 500
MRF19045LR5	-	RFQ	9396	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V			Ni-400	MRF19	1,93 GHz	LDMOS		NI-400-240	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		5A991G	8542.31.0001	50			-	550 mA	9.5W	14,5 dB											-			26 V
PMST2369 / ZLX	-	RFQ	3252	NXP USA Inc.	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif					PMST2369					télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934069181115	EAR99	8541.29.0095	3 000
BC850B, 215	0,0200	RFQ	6728	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BC85					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000
Buk9y59-60e, 115	-	RFQ	7203	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SC-100, SOT-669			MOSFET (Oxyde Métallique)		LFPAK56, Power-SO8	télécharger						0000.00.0000	1		Canal n					60 V	16.7A (TC)	5V	52MOHM @ 5A, 10V	2.1V @ 1MA	6.1 NC @ 5 V	± 10V	715 PF @ 25 V	-	37W (TC)
BLF644P112	150,6000	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0075	1
Pdtc114tef, 115	-	RFQ	1331	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	SC-89, SOT-490	PDTC114			150 MW	SC-89	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	4 000																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pré-biaisé	150 mV à 500 µA, 10mA	200 @ 1MA, 5V		10 kohms

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