SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
PZTA14,135 NXP USA Inc. PZTA14,135 0,0900
RFQ
ECAD 9722 0,00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101 En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa 1,25 W SOT-223 télécharger EAR99 8541.29.0075 200 30 V 500 mA 100NA Npn - darlington 1,5 V @ 100µA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 125 MHz
PMST5088,115 NXP USA Inc. PMST5088,115 0,0200
RFQ
ECAD 521 0,00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101 En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 télécharger EAR99 8541.21.0075 1 30 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 500 mV @ 1MA, 10mA 300 @ 100µA, 5V 100 MHz
BUK6607-75C,118 NXP USA Inc. BUK6607-75C, 118 -
RFQ
ECAD 9969 0,00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 75 V 100A (TC) 10V 7MOHM @ 25A, 10V 2,8 V @ 1MA 123 NC @ 10 V ± 16V 7600 PF @ 25 V - 204W (TC)
BUK9230-100B,118 NXP USA Inc. BUK9230-100B, 118 -
RFQ
ECAD 9343 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Buk92 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500
BUK9E04-40A,127 NXP USA Inc. BUK9E04-40A, 127 -
RFQ
ECAD 7608 0,00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger EAR99 8541.29.0095 84 Canal n 40 V 75A (TC) 4.3 V, 10V 4MOHM @ 25A, 10V 2v @ 1MA 128 NC @ 5 V ± 15V 8260 pf @ 25 V - 300W (TC)
BUK6607-55C,118 NXP USA Inc. BUK6607-55C, 118 0,8500
RFQ
ECAD 400 0,00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 55 V 100A (TC) 10V 6,5 mohm @ 25a, 10v 2,8 V @ 1MA 82 NC @ 10 V ± 16V 5160 pf @ 25 V - 158W (TC)
BCM61B,215 NXP USA Inc. BCM61B, 215 -
RFQ
ECAD 5875 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif BCM61 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000
BUK9226-75A/C1,118 NXP USA Inc. BUK9226-75A / C1,118 1 0000
RFQ
ECAD 4294 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger 0000.00.0000 1
BUK762R6-60E,118 NXP USA Inc. BUK762R6-60E, 118 -
RFQ
ECAD 6607 0,00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger 0000.00.0000 1 Canal n 60 V 120A (TC) 10V 2,6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 140 NC @ 10 V ± 20V 10170 PF @ 25 V - 324W (TC)
PMZB350UPE,315 NXP USA Inc. PMZB350UPE, 315 -
RFQ
ECAD 1157 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 3-xfdfn MOSFET (Oxyde Métallique) DFN1006B-3 télécharger 0000.00.0000 1 Canal p 20 V 1a (ta) 1,8 V, 4,5 V 450mohm @ 300mA, 4,5 V 950 mV à 250µA 1,9 NC @ 4,5 V ± 8v 127 PF @ 10 V - 360MW (TA), 3.125W (TC)
BSS84AKW,115 NXP USA Inc. BSS84AKW, 115 1 0000
RFQ
ECAD 7745 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif BSS84 - télécharger 0000.00.0000 1 -
BUJ106A,127 NXP USA Inc. Buj106a, 127 0,3400
RFQ
ECAD 955 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 80 W À 220ab télécharger EAR99 8541.29.0095 642 400 V 10 a 100 µA NPN 1V @ 1.2A, 6A 14 @ 500mA, 5V -
BC847W,135 NXP USA Inc. BC847W, 135 0,0200
RFQ
ECAD 650 0,00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101 En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 télécharger EAR99 8541.21.0075 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 400 mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100 MHz
AFT18HW355SR5,178 NXP USA Inc. AFT18HW355SR5,178 1 0000
RFQ
ECAD 2872 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger 0000.00.0000 1
BUK7K5R6-30E,115 NXP USA Inc. BUK7K5R6-30E, 115 -
RFQ
ECAD 6100 0,00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SOT-1205, 8-LFPAK56 Buk7k5 MOSFET (Oxyde Métallique) 64W LFPAK56D télécharger EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) 30V 40a 5,6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 29.7nc @ 10v 1969pf @ 25v -
PH5830DL,115 NXP USA Inc. PH5830DL, 115 0 2200
RFQ
ECAD 106 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif - 0000.00.0000 1
BUK762R6-40E118 NXP USA Inc. BUK762R6-40E118 -
RFQ
ECAD 3400 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif - 0000.00.0000 1
BUK9875-100A/CUX NXP USA Inc. BUK9875-100A / CUX -
RFQ
ECAD 9397 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif - 0000.00.0000 1
BCV62A,215 NXP USA Inc. BCV62A, 215 -
RFQ
ECAD 5646 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif BCV62 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000
PDTA144EMB,315 NXP USA Inc. PDTA144EMB, 315 0,0300
RFQ
ECAD 200 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif Support de surface SC-101, SOT-883 PDTA144 250 MW DFN1006B-3 télécharger EAR99 8541.21.0075 1 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pré-biaisé 150 mV à 500 µA, 10mA 80 @ 5mA, 5V 180 MHz 47 kohms 47 kohms
PBSS4032ND,115 NXP USA Inc. PBS4032nd, 115 0,1500
RFQ
ECAD 31 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Pbs4 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000
BC846DS NXP USA Inc. BC846DS 1 0000
RFQ
ECAD 5637 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger 0000.00.0000 1
2PD601ARL,215 NXP USA Inc. 2pd601arl, 215 0,0200
RFQ
ECAD 741 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif 2pd60 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000
PSMN028-100YS,115 NXP USA Inc. PSMN028-100YS, 115 -
RFQ
ECAD 5277 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Psmn0 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 500
PSMN1R2-30YLC,115 NXP USA Inc. PSMN1R2-30YLC, 115 -
RFQ
ECAD 4700 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Psmn1 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 500
PSMN015-110P,127 NXP USA Inc. PSMN015-110P, 127 -
RFQ
ECAD 5936 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Psmn0 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000
PSMN014-80YLX NXP USA Inc. PSMN014-80ylx 1 0000
RFQ
ECAD 6224 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SC-100, SOT-669 MOSFET (Oxyde Métallique) LFPAK56, Power-SO8 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 80 V 62A (TC) 5v, 10v 14MOHM @ 15A, 10V 2.1V @ 1MA 28,9 NC @ 5 V ± 20V 4640 pf @ 25 V - 147W (TC)
PDTA144TM,315 NXP USA Inc. PDTA144TM, 315 0,0300
RFQ
ECAD 158 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif PDTA14 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 10 000
PMP4501Y,115 NXP USA Inc. PMP4501y, 115 -
RFQ
ECAD 9797 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif PMP4 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000
PDTD113ZT,215 NXP USA Inc. PDTD113ZT, 215 0,0300
RFQ
ECAD 9940 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Pdtd11 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock