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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | PZTA14,135 | 0,0900 | ![]() | 9722 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1,25 W | SOT-223 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 200 | 30 V | 500 mA | 100NA | Npn - darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||
PMST5088,115 | 0,0200 | ![]() | 521 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 1MA, 10mA | 300 @ 100µA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BUK6607-75C, 118 | - | ![]() | 9969 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 75 V | 100A (TC) | 10V | 7MOHM @ 25A, 10V | 2,8 V @ 1MA | 123 NC @ 10 V | ± 16V | 7600 PF @ 25 V | - | 204W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BUK9230-100B, 118 | - | ![]() | 9343 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buk92 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9E04-40A, 127 | - | ![]() | 7608 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 84 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 4.3 V, 10V | 4MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | 128 NC @ 5 V | ± 15V | 8260 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BUK6607-55C, 118 | 0,8500 | ![]() | 400 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 100A (TC) | 10V | 6,5 mohm @ 25a, 10v | 2,8 V @ 1MA | 82 NC @ 10 V | ± 16V | 5160 pf @ 25 V | - | 158W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BCM61B, 215 | - | ![]() | 5875 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BCM61 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9226-75A / C1,118 | 1 0000 | ![]() | 4294 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R6-60E, 118 | - | ![]() | 6607 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 10V | 2,6MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 10170 PF @ 25 V | - | 324W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | PMZB350UPE, 315 | - | ![]() | 1157 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | DFN1006B-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal p | 20 V | 1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 450mohm @ 300mA, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 1,9 NC @ 4,5 V | ± 8v | 127 PF @ 10 V | - | 360MW (TA), 3.125W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | BSS84AKW, 115 | 1 0000 | ![]() | 7745 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BSS84 | - | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Buj106a, 127 | 0,3400 | ![]() | 955 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 80 W | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 642 | 400 V | 10 a | 100 µA | NPN | 1V @ 1.2A, 6A | 14 @ 500mA, 5V | - | |||||||||||||||||||
BC847W, 135 | 0,0200 | ![]() | 650 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | AFT18HW355SR5,178 | 1 0000 | ![]() | 2872 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7K5R6-30E, 115 | - | ![]() | 6100 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk7k5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 64W | LFPAK56D | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canaux N (double) | 30V | 40a | 5,6MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 29.7nc @ 10v | 1969pf @ 25v | - | ||||||||||||||||
![]() | PH5830DL, 115 | 0 2200 | ![]() | 106 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R6-40E118 | - | ![]() | 3400 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9875-100A / CUX | - | ![]() | 9397 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV62A, 215 | - | ![]() | 5646 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BCV62 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144EMB, 315 | 0,0300 | ![]() | 200 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-101, SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | DFN1006B-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 80 @ 5mA, 5V | 180 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||
![]() | PBS4032nd, 115 | 0,1500 | ![]() | 31 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846DS | 1 0000 | ![]() | 5637 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pd601arl, 215 | 0,0200 | ![]() | 741 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 2pd60 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN028-100YS, 115 | - | ![]() | 5277 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn0 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R2-30YLC, 115 | - | ![]() | 4700 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN015-110P, 127 | - | ![]() | 5936 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn0 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN014-80ylx | 1 0000 | ![]() | 6224 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 80 V | 62A (TC) | 5v, 10v | 14MOHM @ 15A, 10V | 2.1V @ 1MA | 28,9 NC @ 5 V | ± 20V | 4640 pf @ 25 V | - | 147W (TC) | |||||||||||||||
![]() | PDTA144TM, 315 | 0,0300 | ![]() | 158 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP4501y, 115 | - | ![]() | 9797 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMP4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD113ZT, 215 | 0,0300 | ![]() | 9940 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pdtd11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 |
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