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Transistors (4003)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | On5257215 | 0,1800 |  | 96 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 664 | ||||||||||||||||||||||||||
| PMXB360ENEA147 | 1 0000 | | 7408 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | PMV45EN2215 | - | | 4632 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN8R0-30LYC115 | 1 0000 | | 3272 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | On5441518 | 0,7300 | | 32 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | PMV62XN215 | 0,0400 | | 9 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | Pmzb150une315 | - | | 2485 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||
| PMXB56en147 | - | | 1146 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | ||||||||||||||||||||||||||
| PhM10030DLS115 | 0,3600 | | 24 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||
| PH3530DL115 | 0 4600 | | 24 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | PhB21N06LT, 118 | 0,3700 | | 978 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | Canal n | 55 V | 19A (TC) | 5v, 10v | 70MOHM @ 10A, 10V | 2v @ 1MA | 9.4 NC @ 5 V | ± 15V | 650 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||
| BFS20,215 | - | | 2658 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BFS20 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BCW31,215 | 0,0300 | | 42 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | 0000.00.0000 | 11 493 | 32 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 210mV à 2,5ma, 50mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
| BUK765R2-40B, 118 | 0,7900 | | 13 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 379 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 10V | 5.2MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 3789 PF @ 25 V | - | 203W (TC) | |||||||||||||
 | BC846DS | 1 0000 | | 5637 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS305NZ, 135 | - | | 4669 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbss3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 000 | ||||||||||||||||||||||||||
| PMBS3906,235 | 0,0200 | | 38 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 150 MHz | |||||||||||||||||
 | PSMN3R5-80PS | - | | 4544 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| BUK765R3-40E, 118 | - | | 3258 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 10V | 4,9MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 35,5 NC @ 10 V | ± 20V | 2772 PF @ 25 V | - | 137W (TC) | |||||||||||||
 | 2pd601arl, 215 | 0,0200 | | 741 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 2pd60 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | PH5830DL, 115 | 0 2200 | | 106 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK762R6-40E118 | - | | 3400 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC53-16pa, 115 | - | | 8453 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-Powerudfn | BC53 | 420 MW | 3-Huson (2x2) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV à 50ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 145 MHz | |||||||||||||||||
| PBRP123ET, 215 | - | | 3083 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbrp12 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||
| BUK969R3-100E, 118 | 1.1100 | | 8475 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 100A (TC) | 5v, 10v | 8,9MOHM @ 25A, 10V | 2.1V @ 1MA | 94.3 NC @ 5 V | ± 10V | 11650 pf @ 25 V | - | 263W (TC) | |||||||||||||
| PhB18NQ10T, 118 | 0 4500 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 727 | Canal n | 100 V | 18A (TC) | 10V | 90MOHM @ 9A, 10V | 4V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 633 PF @ 25 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||
 | PSMN030-150P, 127 | - | | 5355 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn0 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | ||||||||||||||||||||||||||
| PSMN1R5-30YL, 115 | - | | 3777 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9y12-55b, 115 | - | | 8017 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | Canal n | 55 V | 61.8a (TC) | 5v, 10v | 11MOHM @ 20A, 10V | 2.15v @ 1mA | 32 NC @ 5 V | ± 15V | 2880 pf @ 25 V | - | 106W (TC) | ||||||||||
 | 2pd602as | - | | 2002 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 |
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