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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | BLA6H1011-600 | 634.9400 | ![]() | 17 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bla6h1011 | - | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7510-100B, 127 | 0,8200 | ![]() | 779 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk7510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 100 V | 75A (TC) | 10V | 10MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 6773 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | BUK753R8-80E, 127 | 1.1700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 80 V | 120A (TC) | 10V | 4MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 169 NC @ 10 V | ± 20V | 12030 pf @ 25 V | - | 349W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BLL6H1214L-250,112 | 372.4000 | ![]() | 25 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tube | Actif | Bll6 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBS5130QA, 147 | 0,0500 | ![]() | 195 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 6 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP5501G, 115 | 0,0700 | ![]() | 265 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | PMP5501 | 300mw | SOT-353 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 45v | 100 mA | 15NA (ICBO) | 2 paire de pnp (double) Appareé, émetteur commun | 400 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 175 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Aft26p100-4wsr3-nxp | 153.3100 | ![]() | 140 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0040 | 155 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6E4R0-75C, 127 | - | ![]() | 7591 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tube | Actif | Buk6 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G15L-40BRN, 112 | 58.2600 | ![]() | 82 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Actif | 65 V | SOT-1112A | BLF6G15 | 1,47 GHz ~ 1,51 GHz | LDMOS | CDFM6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Source communal double | 11A | 330 mA | 2,5 W | 22 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | PBS4021SP | - | ![]() | 5446 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G15L-250PBRN, 1 | - | ![]() | 6000 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 65 V | SOT-1110A | BLF6G15 | 1,47 GHz ~ 1,51 GHz | LDMOS | Le Plus Grand | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 | 64a | 1.41 A | 60W | 18,5 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R5-40ES, 127 | 1.3400 | ![]() | 7 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tube | Actif | Psmn1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF574112 | - | ![]() | 1790 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN085-150K, 518 | - | ![]() | 6023 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn0 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S15100HSR3128 | 146.7300 | ![]() | 74 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | MRF7S15100 | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU550A215 | - | ![]() | 3260 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9511-55A, 127 | 0 4700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 55 V | 75A (TA) | 10MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | ± 10V | 4230 pf @ 25 V | - | 166W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BUK752R3-40E, 127 | - | ![]() | 3953 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 40 V | 120A (TA) | 2,3MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 109.2 NC @ 10 V | ± 20V | 8500 pf @ 25 V | - | 293W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | MHT1000HR5178 | 150.2600 | ![]() | 49 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | MHT1000 | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF7G22LS-250P, 112 | 125.9400 | ![]() | 60 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Actif | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-539B | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | Sot539b | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Source communal double | 2,8 µA | 1.9 A | 250W | 18,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6V2300NBR5,578 | - | ![]() | 9389 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | MRF6V2300 | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R4-40YLD, 115 | - | ![]() | 3385 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 500 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,4 mohm @ 25a, 10v | ± 20V | 238W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
A3G26D055N-2515 | 265.6200 | ![]() | 4340 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 V | Support de surface | Pad Exposé 6-LDFN | 100MHz ~ 2,69 GHz | Gan | 6-PDFN (7x6,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 568-A3G26D055N-2515 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 40 mA | 8W | 13,9 dB | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||||
A3G26D055NT4 | 29.2800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 V | Support de surface | Pad Exposé 6-LDFN | 100MHz ~ 2,69 GHz | Gan | 6-PDFN (7x6,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 500 | - | 40 mA | 8W | 13,9 dB | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | A3I20X050GNR1 | 44.7930 | ![]() | 8397 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | A3I20X050GN | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 65 V | OM-400G-8 | 1,8 GHz ~ 2,2 GHz | LDMOS | OM-400G-8 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | Double | 10 µA | 145 mA | 6.3W | 29.3 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | A3V07H600-42NR6 | 110.9400 | ![]() | 8077 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 105 V | OM-1230-6L | 616 MHz ~ 870 MHz | LDMOS | OM-1230-6L | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Tripler | 10 µA | 900 mA | 112W | 16,9 dB | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | A3I25D080NR1 | 29.5050 | ![]() | 6184 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 65 V | Support de surface | Variante à 270-17, | 2,3 GHz ~ 2,69 GHz | LDMOS | À 270wb-17 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | Double | 10 µA | 175 Ma | 8.3W | 29.2 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | A2v09H400-04SR3 | 93.2316 | ![]() | 1533 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 105 V | Support de surface | NI-780S-4L | 720 MHz ~ 960 MHz | LDMOS | NI-780S-4L | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | 10 µA | 750 mA | 102W | 18,7 dB | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | A5G35H110N-3400 | 315.0000 | ![]() | 7093 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 V | Support de surface | Pad Exposé 6-LDFN | 3,3 GHz ~ 3,7 GHz | - | 6-PDFN (7x6,5) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | - | - | 70 mA | 15.1W | 15,3 dB | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | A5G35S004NT6 | 11.5830 | ![]() | 8258 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 V | Support de surface | Pad Exposé 6-LDFN | 3,3 GHz ~ 4,3 GHz | - | 6-PDFN (4x4,5) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 5 000 | - | - | 12 mA | 24,5 dbm | 16,9 dB | - | 48 V |
Volume de RFQ moyen quotidien
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