SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
PUMD12,135 NXP USA Inc. PUMD12,135 -
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ECAD 1806 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD12 300mw SOT-363 télécharger EAR99 8541.21.0075 5 209 50v 100 mA 1 µA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 150 mV à 500 µA, 10mA 80 @ 5mA, 5V 230 MHz, 180 MHz 47 kohms 47 kohms
PBSS5240Z115 NXP USA Inc. PBS5240Z115 1 0000
RFQ
ECAD 3261 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0075 1 000
PBLS4002D,115 NXP USA Inc. PBLS4002D, 115 -
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ECAD 6469 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Pbls40 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000
MRF8P26080HSR3 NXP USA Inc. MRF8P26080HSR3 -
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ECAD 2472 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Support de surface NI-780S-4L MRF8 2,62 GHz LDMOS NI-780S-4L - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 935310539128 EAR99 8541.29.0075 250 Double - 300 mA 14W 15 dB - 28 V
BUK7Y9R9-80EX NXP USA Inc. Buk7y9r9-80ex 1 0000
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ECAD 7555 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SC-100, SOT-669 MOSFET (Oxyde Métallique) LFPAK56, Power-SO8 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 80 V 89a (TC) 10V 98MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 51,6 NC @ 10 V ± 20V 498 PF @ 25 V - 195W (TC)
PBSS5320T,215 NXP USA Inc. PBS5320T, 215 -
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ECAD 9962 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Pbs5 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000
MHT1008NT1 NXP USA Inc. MHT1008NT1 -
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ECAD 9066 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 28 V Support de surface PLD-1.5W MHT1008 2,4 GHz ~ 2,5 GHz LDMOS PLD-1.5W télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 000 - 12.5W 18,6 dB -
PHU78NQ03LT,127 NXP USA Inc. Phu78nq03lt, 127 -
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ECAD 2683 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa Phu78 MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 25 V 75A (TC) 5v, 10v 9MOHM @ 25A, 10V 2v @ 1MA 11 NC @ 4,5 V ± 20V 970 PF @ 12 V - 107W (TC)
MRF7S18125BHSR3 NXP USA Inc. MRF7S18125BHSR3 -
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ECAD 8787 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Soutenir de châssis Ni-780 MRF7 1,93 GHz LDMOS Ni-780 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 250 - 1.1 A 125W 16,5 dB - 28 V
BLP7G07S-140P,118 NXP USA Inc. BLP7G07S-140P, 118 -
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ECAD 6831 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 65 V Support de surface SOT-1223-1 BLP7 700 MHz ~ 1 GHz LDMOS 4-HSOPF télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 934066972118 EAR99 8541.29.0075 100 Double - 35W 20,6 dB - 28 V
MRF6S24140HR5 NXP USA Inc. MRF6S24140HR5 -
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ECAD 7547 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 68 V Soutenir de châssis SOT-957A MRF6 2,39 GHz LDMOS NI-880H-2L télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 50 - 1.3 A 28W 15.2db - 28 V
BUK7880-55A,115 NXP USA Inc. BUK7880-55A, 115 -
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ECAD 8947 0,00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa Buk78 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-73 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 55 V 7a (TC) 10V 80MOHM @ 10A, 10V 4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 8W (TC)
BUK7Y35-55B,115 NXP USA Inc. Buk7y35-55b, 115 -
RFQ
ECAD 3478 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SC-100, SOT-669 Buk7 MOSFET (Oxyde Métallique) LFPAK56, Power-SO8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 500 Canal n 55 V 28.43a (TC) 10V 35MOHM @ 15A, 10V 4V @ 1MA 13.1 NC @ 10 V ± 20V 781 PF @ 25 V - 60W (TC)
PSMN1R1-30EL,127 NXP USA Inc. PSMN1R1-30EL, 127 0,9800
RFQ
ECAD 11 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Psmn1 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 000
MRFE6S9045NR1 NXP USA Inc. MRFE6S9045NR1 -
RFQ
ECAD 3061 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 66 V Support de surface À 270aa MRFE6 880 MHz LDMOS À 270-2 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 500 - 350 mA 10W 22.1 dB - 28 V
PUMT1,115 NXP USA Inc. PUMT1,115 0,0300
RFQ
ECAD 270 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Pumt1 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000
2PB709AQ,115 NXP USA Inc. 2pb709aq, 115 -
RFQ
ECAD 2353 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2pb70 250 MW SMT3; Mpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 45 V 100 mA 10NA (ICBO) Pnp 500 mV @ 10mA, 100mA 160 @ 2MA, 10V 60 MHz
BUK7K89-100EX NXP USA Inc. Buk7k89-100ex 1 0000
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ECAD 3505 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SOT-1205, 8-LFPAK56 Buk7k89 MOSFET (Oxyde Métallique) 38W LFPAK56D télécharger EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) 100V 13A 82,5MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 13.6nc @ 10v 811pf @ 25v -
MRF5S19150HR3 NXP USA Inc. MRF5S19150HR3 -
RFQ
ECAD 4104 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Soutenir de châssis SOT-957A MRF5 1,99 GHz LDMOS NI-880H-2L télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.4 A 32W 14 dB - 28 V
BFU710F,115 NXP USA Inc. BFU710F, 115 0,6100
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ECAD 9 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-343F BFU710 136mw 4-DFP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 - 2,8 V 10m NPN 200 @ 1MA, 2V 43 GHz 0,85 dB ~ 1,45 dB @ 5,8 GHz ~ 12 GHz
MRF6S19140HR5 NXP USA Inc. MRF6S19140H5 -
RFQ
ECAD 1793 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 68 V Soutenir de châssis SOT-957A MRF6 1,93 GHz ~ 1,99 GHz LDMOS NI-880H-2L télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 50 - 1,15 a 29W 16 dB - 28 V
PDTC144VM,315 NXP USA Inc. PDTC144VM, 315 0,0300
RFQ
ECAD 109 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif PDTC14 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 10 000
MRF9030NBR1 NXP USA Inc. MRF9030NBR1 -
RFQ
ECAD 8867 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V À 270-2 MRF90 945 MHz LDMOS À 270-2 télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 500 - 250 mA 30W 20 dB - 26 V
PMBT5551,215 NXP USA Inc. PMBT5551,215 -
RFQ
ECAD 6613 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif PMBT5 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000
PMV65UN,215 NXP USA Inc. PMV65UN, 215 -
RFQ
ECAD 3930 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV6 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 (à 236ab) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 2.2a (TA) 1,8 V, 4,5 V 76MOHM @ 2A, 4,5 V 1V @ 250µA 3,9 NC @ 4,5 V ± 8v 183 PF @ 10 V - 310MW (TA), 2.17W (TC)
BC550C,112 NXP USA Inc. BC550C, 112 -
RFQ
ECAD 6829 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC55 500 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 1 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
BF1205C,115 NXP USA Inc. BF1205C, 115 -
RFQ
ECAD 7411 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 6 V Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BF120 400 MHz Mosfet 6-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Double Porte de Canal N-Canal 30m 19 MA - 30 dB 1,3 dB 5 V
PDTA143ZQA147 NXP USA Inc. PDTA143ZQA147 0,0300
RFQ
ECAD 44 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0075 5 000
PMXB65UPE147 NXP USA Inc. PMXB65UPE147 0,0500
RFQ
ECAD 8 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0095 5 000
BUK762R7-30B118 NXP USA Inc. BUK762R7-30B118 0,8500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger EAR99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock