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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | PMV280ENEA215 | - | ![]() | 5196 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7510-55AL, 127 | - | ![]() | 2011 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk7510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 10MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 124 NC @ 10 V | ± 20V | 6280 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BF1207,115 | - | ![]() | 2471 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 6 V | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF120 | 400 MHz | Mosfet | 6-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 18 MA | - | 30 dB | 1,3 dB | 5 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK755R2-40B, 127 | 0 4700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tube | Actif | Buk75 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mrf8vp13350nr3 | 189.7406 | ![]() | 8277 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 100 V | Support de surface | OM-780-4L | MRF8VP13350 | 1,3 GHz | LDMOS | OM-780-4L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935316089528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 100 mA | 350W | 19.2 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | Buk9e8r5-40e, 127 | - | ![]() | 3483 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Buk9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 5v, 10v | 6,6MOHM @ 20A, 10V | 2.1V @ 1MA | 20,9 NC @ 5 V | ± 10V | 2600 pf @ 25 V | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||
MRF6S24140HR3 | - | ![]() | 9535 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF6 | 2,39 GHz | LDMOS | NI-880H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.3 A | 28W | 15.2db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7613-75B, 118 | - | ![]() | 3611 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 75 V | 75A (TC) | 10V | 13MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2644 PF @ 25 V | - | 157W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU725F / N1,115 | 0,5400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Épinglage inversé SOT-343 | BFU725 | 136mw | 4-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 10 dB ~ 24 dB | 2,8 V | 40m | NPN | 160 @ 10mA, 2V | 55 GHz | 0,42 dB ~ 1,1 dB @ 1,5 GHz ~ 12 GHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T09VD300NR1 | - | ![]() | 3163 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 105 V | Support de surface | Variante à 270-6, | A2T09 | 920 MHz | LDMOS | À 270wb-6a | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935316219528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | Double | - | 1.2 A | 79w | 21,5 dB | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB19,115 | 0,0400 | ![]() | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PEMB1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH4115 | 1 0000 | ![]() | 8811 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 4 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMWD16UN, 518 | - | ![]() | 6159 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | PMWD16 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 20V | 9.9a | 19MOHM @ 3,5A, 4,5 V | 700 mV @ 1MA | 23.6nc à 4,5 V | 1366pf @ 16v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6S9046NR1 | - | ![]() | 8864 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 66 V | Support de surface | À 270ab | MRFE6 | 960 MHz | LDMOS | À 270 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.29.0075 | 500 | - | 300 mA | 35,5 W | 19 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P9040NBR1 | - | ![]() | 4499 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 70 V | Soutenir de châssis | À 272bb | MRF8 | 960 MHz | LDMOS | À 272 WB-4 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935319636528 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Double | - | 320 mA | 4W | 19.1 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5S19100HR3 | - | ![]() | 1934 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Ni-780 | MRF5 | 1,93 GHz ~ 1,99 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1 a | 22W | 13,9 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R2-40BS, 118 | 1 0000 | ![]() | 7847 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2,2MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 8423 PF @ 20 V | - | 306W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | A5G35S004N-3400 | 105.4700 | ![]() | 7639 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 V | Support de surface | Pad Exposé 6-LDFN | 3,3 GHz ~ 4,3 GHz | - | 6-PDFN (4x4,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 12 mA | 24,5 dbm | 16,9 dB | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1018NR1 | - | ![]() | 6451 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 120 V | Support de surface | À 270-4 | MMRF1 | 860 MHz | LDMOS | À 270 WB-4 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935320384528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 350 mA | 18W | 22 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK663R2-40C, 118 | - | ![]() | 7644 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buk66 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS3906,126 | - | ![]() | 8438 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | MPS39 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 40 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK761R7-40E / GFJ | - | ![]() | 2888 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Buk76 | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 800 | - | 10V | ± 20V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9505-30A, 127 | - | ![]() | 9657 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk95 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,6MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | ± 10V | 8600 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002BKV, 115 | - | ![]() | 8792 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 2N70 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3T09S100NR1 | 22.0500 | ![]() | 6684 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 65 V | Support de surface | À 270-2 | 136 MHz ~ 941 MHz | LDMOS | À 270-2 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 10 µA | 450 mA | 100W | 22,8 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
MRF6S27085HSR5 | - | ![]() | 7051 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF6 | 2,66 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 mA | 20W | 15,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT3946YPN / ZL115 | - | ![]() | 1389 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143EM, 315 | 0,0300 | ![]() | 189 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mrf7p20040hsr5 | - | ![]() | 8023 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Support de surface | NI-780S-4L | MRF7 | 2,03 GHz | LDMOS | NI-780S-4L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 150 mA | 10W | 18.2db | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | BCV63B, 215 | 0,0800 | ![]() | 14 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BCV63 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 |
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