SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
BUK663R2-40C,118 NXP USA Inc. BUK663R2-40C, 118 -
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ECAD 7644 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Buk66 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 800
MPS3906,126 NXP USA Inc. MPS3906,126 -
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ECAD 8438 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes MPS39 500 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 2 000 40 V 100 mA 50NA (ICBO) Pnp 400 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 150 MHz
BUK761R7-40E/GFJ NXP USA Inc. BUK761R7-40E / GFJ -
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ECAD 2888 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Buk76 D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté OBSOLÈTE 0000.00.0000 800 - 10V ± 20V
BUK9505-30A,127 NXP USA Inc. BUK9505-30A, 127 -
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ECAD 9657 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Buk95 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 30 V 75A (TC) 4,5 V, 10V 4,6MOHM @ 25A, 10V 2v @ 1MA ± 10V 8600 pf @ 25 V - 230W (TC)
2N7002BKV,115 NXP USA Inc. 2N7002BKV, 115 -
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ECAD 8792 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif 2N70 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 4 000
BC54-10PA,115 NXP USA Inc. BC54-10PA, 115 0,0500
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ECAD 47 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 3-Powerudfn 420 MW 3-Huson (2x2) télécharger EAR99 8541.29.0075 1 45 V 1 a 100NA (ICBO) NPN 500 mV à 50ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 180 MHz
A3T09S100NR1 NXP USA Inc. A3T09S100NR1 22.0500
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ECAD 6684 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 65 V Support de surface À 270-2 136 MHz ~ 941 MHz LDMOS À 270-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 500 10 µA 450 mA 100W 22,8 dB - 28 V
MRF6S27085HSR5 NXP USA Inc. MRF6S27085HSR5 -
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ECAD 7051 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 68 V Soutenir de châssis Ni-780 MRF6 2,66 GHz LDMOS Ni-780 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 50 - 900 mA 20W 15,5 dB - 28 V
PMBT3946YPN/ZL115 NXP USA Inc. PMBT3946YPN / ZL115 -
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ECAD 1389 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0075 3 000
PDTA143EM,315 NXP USA Inc. PDTA143EM, 315 0,0300
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ECAD 189 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif PDTA14 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 10 000
MRF7P20040HSR5 NXP USA Inc. Mrf7p20040hsr5 -
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ECAD 8023 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Support de surface NI-780S-4L MRF7 2,03 GHz LDMOS NI-780S-4L télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 50 Double - 150 mA 10W 18.2db - 32 V
BCV63B,215 NXP USA Inc. BCV63B, 215 0,0800
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ECAD 14 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif BCV63 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000
PDTC115TMB315 NXP USA Inc. PDTC115TMB315 0,0200
RFQ
ECAD 129 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger EAR99 8541.21.0075 1
PSMN013-100PS,127 NXP USA Inc. PSMN013-100PS, 127 0,9700
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ECAD 5 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Psmn0 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000
A3T21H455W23SR6 NXP USA Inc. A3T21H455W23SR6 89.5761
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ECAD 8014 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 65 V Soutenir de châssis ACP-1230S-4L2S A3T21 2,11 GHz ~ 2,2 GHz LDMOS ACP-1230S-4L2S télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 935368316128 EAR99 8541.29.0075 150 Double 10 µA 400 mA 87W 15 dB - 30 V
BC327,116 NXP USA Inc. BC327,116 -
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ECAD 3354 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC32 625 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 2 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 100 @ 100mA, 1v 80 MHz
PDTA143XMB315 NXP USA Inc. PDTA143XMB315 0,0300
RFQ
ECAD 180 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger EAR99 8541.21.0075 1
PDTC144TM315 NXP USA Inc. PDTC144TM315 1 0000
RFQ
ECAD 9629 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger 0000.00.0000 1
A2T21H450W19SR6 NXP USA Inc. A2T21H450W19SR6 -
RFQ
ECAD 5096 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Soutenir de châssis NI-1230S-4S4S A2T21 2,11 GHz ~ 2,2 GHz LDMOS NI-1230S-4S4S télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 935323762128 EAR99 8541.29.0075 150 10 µA 800 mA 390W 15.7 dB - 30 V
MRF5P21240HR6 NXP USA Inc. Mrf5p21240hr6 -
RFQ
ECAD 5411 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V NI-1230 MRF5 2,11 GHz ~ 2,17 GHz LDMOS NI-1230 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 5A991G 8541.29.0075 150 - 2.2 A 52W 13db - 28 V
PH1825AL,115 NXP USA Inc. PH1825AL, 115 -
RFQ
ECAD 6437 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-100, SOT-669 Ph18 MOSFET (Oxyde Métallique) LFPAK56, Power-SO8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 934063226115 EAR99 8541.29.0095 1 500 Canal n 25 V 100A (TC) 4,5 V, 10V 1,8MOHM @ 25A, 10V 2.15v @ 1mA 31 NC @ 4,5 V ± 20V 4300 pf @ 12 V - 104W (TC)
MRF7S21080HSR5 NXP USA Inc. MRF7S21080HSR5 -
RFQ
ECAD 4824 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Soutenir de châssis Ni-780 MRF7 2,17 GHz LDMOS Ni-780 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 50 - 800 mA 22W 18 dB - 28 V
PSMN8R5-100ESQ NXP USA Inc. PSMN8R5-100ESQ 0,6200
RFQ
ECAD 975 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 1 Canal n 100 V 100A (TJ) 10V 8,5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 111 NC @ 10 V ± 20V 5512 PF @ 50 V - 263W (TC)
MRF7S18125BHSR5 NXP USA Inc. MRF7S18125BHSR5 -
RFQ
ECAD 6753 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Soutenir de châssis Ni-780 MRF7 1,93 GHz LDMOS Ni-780 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 50 - 1.1 A 125W 16,5 dB - 28 V
BUK9675-100A118 NXP USA Inc. Buk9675-100a118 -
RFQ
ECAD 5338 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger 0000.00.0000 1
PHP225,118-NXP NXP USA Inc. Php225,118-nxp -
RFQ
ECAD 8469 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Php225 - - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 -
PIMN31,115 NXP USA Inc. PIMN31,115 -
RFQ
ECAD 2569 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Pimn3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000
BUK9237-55,118 NXP USA Inc. BUK9237-55,118 -
RFQ
ECAD 9546 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète - Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Buk92 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 55 V 32A (TC) 33MOHM @ 15A, 10V 2v @ 1MA 17,6 NC @ 5 V 1236 pf @ 25 V - -
PMN40UPE,115 NXP USA Inc. PMN40UPE, 115 -
RFQ
ECAD 2936 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-74, SOT-457 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 4.7A (TA) 1,8 V, 4,5 V 43MOHM @ 3A, 4,5 V 950 mV à 250µA 23 NC @ 4,5 V ± 8v 1820 pf @ 10 V - 500mw (TA), 8,33W (TC)
BUK6240-75C,118 NXP USA Inc. BUK6240-75C, 118 -
RFQ
ECAD 6515 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Buk62 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 75 V 22A (TC) 4,5 V, 10V 46MOHM @ 10A, 10V 2,8 V @ 1MA 21.4 NC @ 10 V ± 16V 1280 pf @ 25 V - 60W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock