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Transistors (4003)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTA123TE, 115 | - |  | 9139 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-75, SOT-416 | PDTA123 | 150 MW | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 2,2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | PBS5160V, 115 | - | | 9917 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs5 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMR400UN, 115 | - | | 8815 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | PMR4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 800mA (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 480MOHM @ 200mA, 4,5 V | 1V @ 250µA | 0,89 NC à 4,5 V | ± 8v | 43 PF @ 25 V | - | 530mw (TC) | |||||||||||||||||||||
 | PDTA115TMB, 315 | 0,0300 | | 159 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-101, SOT-883 | PDTA115 | 250 MW | DFN1006B-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 250µa, 5mA | 100 @ 1MA, 5V | 180 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Aft09s200w02sr3 | - | | 8810 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | AFT09 | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935318364128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857BT, 115 | - | | 3529 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | BC857 | 150 MW | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 400 mV @ 5mA, 100mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | PDTA123ES, 126 | - | | 1090 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | PDTA123 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 2,2 kohms | 2,2 kohms | |||||||||||||||||||||||||
| MRF9210R3 | - | | 4928 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | NI-860C3 | MRF92 | 880 MHz | LDMOS | NI-860C3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8542.31.0001 | 250 | - | 1.9 A | 40W | 16,5 dB | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S19100GNR1 | - | | 3874 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Support de surface | À 270ba | MRF6 | 1,99 GHz | LDMOS | À 270-2 Goéland | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 mA | 22W | 14,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S4140HR3 | - | | 1459 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF5 | 465 MHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1,25 A | 28W | 21 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
 | BUK7575-55,127 | - | | 9821 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 19.7A (TC) | 10V | 75MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 1MA | ± 16V | 500 pf @ 25 V | - | 61W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Php45n03lta, 127 | - | | 7718 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Php45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 25 V | 40A (TC) | 3,5 V, 10V | 21MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | 19 NC @ 5 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||
| MMRF1008HR5 | 402.9538 | | 4501 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | 100 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MMRF1008 | 1,03 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100 mA | 275W | 20,3 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||
 | A2I20H060NR1 | 25.9164 | | 4916 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 65 V | Support de surface | Variante à 270-15, | A2I20 | 1,84 GHz | LDMOS | À 270wb-15 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935318716528 | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | Double | - | 24 Ma | 12W | 28,9 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
 | BUK9616-55A, 118 | - | | 4093 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Buk96 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 55 V | 66a (TC) | 5v, 10v | 15MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | ± 10V | 3085 PF @ 25 V | - | 138W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | PDTC143XU, 115 | 0,0200 | | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTC14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD21N06LT, 118 | - | | 7920 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | PhD21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 55 V | 19A (TC) | 5v, 10v | 70MOHM @ 10A, 10V | 2v @ 1MA | 9.4 NC @ 5 V | ± 15V | 650 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | |||||||||||||||||||||
| MRF7S16150HR3 | - | | 5187 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF7 | 1,6 GHz ~ 1,66 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1,5 A | 32W | 19,7 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144ET, 215 | - | | 3808 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMD2125 | 1 0000 | | 6250 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9535-100A, 127 | 0,4200 | | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 41A (TC) | 4,5 V, 10V | 34MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | ± 10V | 3573 PF @ 25 V | - | 149W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | 2PA1576S, 135 | 0,0200 | | 270 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV @ 5mA, 50mA | 270 @ 1MA, 6V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| Mrf7s15100hr5 | - | | 2065 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF7 | 1,51 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 600 mA | 23W | 19,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| A3T23H300W23SR6 | 93.2663 | | 6950 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | A3T23 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847BW, 135 | - | | 1472 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BC84 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7Y7R6-40E / C4115 | 1 0000 | | 6872 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN020-150W, 127 | - | | 6235 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Psmn0 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 150 V | 73A (TC) | 10V | 20 mohm @ 25a, 10v | 4V @ 1MA | 227 NC @ 10 V | ± 20V | 9537 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | PBLS6022D, 115 | 0 1200 | | 223 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbls60 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7528-55,127 | - | | 9638 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 40A (TC) | 10V | 28MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 1MA | ± 16V | 1300 pf @ 25 V | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| A2T18S160W31GSR3 | - | | 7894 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | NI-780GS-2L2LA | A2T18 | 1,88 GHz | LDMOS | NI-780GS-2L2LA | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935312705128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1 a | 32W | 19,9 dB | - | 28 V |
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