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Transistors (4003)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Buj106a, 127 | 0,3400 |  | 955 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 80 W | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 642 | 400 V | 10 a | 100 µA | NPN | 1V @ 1.2A, 6A | 14 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
 | BUK6607-55C, 118 | 0,8500 | | 400 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 100A (TC) | 10V | 6,5 mohm @ 25a, 10v | 2,8 V @ 1MA | 82 NC @ 10 V | ± 16V | 5160 pf @ 25 V | - | 158W (TC) | ||||||||||||||
 | BCM61B, 215 | - | | 5875 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BCM61 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||
| BUK9226-75A / C1,118 | 1 0000 | | 4294 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK762R6-60E, 118 | - | | 6607 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 10V | 2,6MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 10170 PF @ 25 V | - | 324W (TC) | |||||||||||||||
| BUK7608-40B, 118 | 0 7600 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buk76 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BC817W, 135 | - | | 2033 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 100 MHz | |||||||||||||||||
| PMST5088,115 | 0,0200 | | 521 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 1MA, 10mA | 300 @ 100µA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | BUK9875-100A / CUX | - | | 9397 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144EMB, 315 | 0,0300 | | 200 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-101, SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | DFN1006B-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 80 @ 5mA, 5V | 180 MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||
 | PBS4032nd, 115 | 0,1500 | | 31 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||
| BCV62A, 215 | - | | 5646 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BCV62 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BC52-16pa, 115 | - | | 9453 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-Powerudfn | 420 MW | 3-Huson (2x2) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV à 50ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 145 MHz | ||||||||||||||||||
| BUK764R2-80E, 118 | - | | 6782 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 80 V | 120A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 136 NC @ 10 V | ± 20V | 10426 PF @ 25 V | - | 324W (TC) | ||||||||||||||
 | PDTA144TM, 315 | 0,0300 | | 158 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PMP4501y, 115 | - | | 9797 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMP4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN014-80ylx | 1 0000 | | 6224 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 80 V | 62A (TC) | 5v, 10v | 14MOHM @ 15A, 10V | 2.1V @ 1MA | 28,9 NC @ 5 V | ± 20V | 4640 pf @ 25 V | - | 147W (TC) | ||||||||||||||
| PSMN7R8-120PSQ | - | | 2412 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 177 | Canal n | 120 V | 70A (TC) | 10V | 7,9MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 167 NC @ 10 V | ± 20V | 9473 PF @ 60 V | - | 349W (TC) | ||||||||||||||
 | Buk7y98-80e, 115 | - | | 2693 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9E04-40A, 127 | - | | 7608 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 84 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 4.3 V, 10V | 4MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | 128 NC @ 5 V | ± 15V | 8260 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||
| 2pb709arw, 115 | 0,0200 | | 18 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | Pnp | 500 mV @ 10mA, 100mA | 210 @ 2MA, 10V | 70 MHz | ||||||||||||||||||
 | BUK9230-100B, 118 | - | | 9343 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buk92 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||
| PDTC143EM, 315 | 0,0300 | | 132 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTC14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143TU, 135 | 0,0200 | | 110 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTC14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PBS5240V, 115 | - | | 6901 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs5 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | |||||||||||||||||||||||||||
| PDTC115TM, 315 | 0,0300 | | 94 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pdtc11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||
| PEMH16,115 | - | | 7278 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PEMH1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS302NZ, 135 | - | | 2353 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbss3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 000 | |||||||||||||||||||||||||||
| PSMN7R8-120PS127 | - | | 4606 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC123TMB, 315 | 0,0300 | | 100 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-101, SOT-883 | PDTC123 | 250 MW | DFN1006B-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 230 MHz | 2,2 kohms |
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