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Transistors (4003)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4420DY, 518 | - |  | 2273 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 12.5A (TJ) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 12.5A, 10V | 1V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | On5174,118 | - | | 2377 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 263-5, d²pak (4 leads + onglet), à 263bb | On51 | - | - | D2pak | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934056352118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
 | AFT21S140W02SR3 | - | | 7532 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | AFT21 | 2,14 GHz | LDMOS | Ni-780 | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 800 mA | 32W | 19,3 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
 | MRF6S21060NR1 | - | | 1476 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Support de surface | À 270ab | MRF6 | 2,12 GHz | LDMOS | À 270 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 610 mA | 14W | 15,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
 | BUK9510-55A, 127 | - | | 2320 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk95 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | 68 NC @ 5 V | ± 15V | 4307 PF @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Aft05ms006nt1 | 4.9100 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 30 V | Support de surface | PLD-1.5W | AFT05 | 520 MHz | LDMOS | PLD-1.5W | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | - | 100 mA | 6W | 18,3 dB | - | 7,5 V | |||||||||||||||||||||||
 | MMRF1314HSR5 | 718.3470 | | 1440 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 105 V | Soutenir de châssis | NI-1230-4S | MMRF1314 | 1,4 GHz | LDMOS | NI-1230-4S | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Double | - | 500 mA | 1000W | 17,7 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||
| MRF7S16150HSR5 | - | | 2434 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF7 | 1,6 GHz ~ 1,66 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1,5 A | 32W | 19,7 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
 | MRF6S21050LSR5 | - | | 4173 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | Ni-400 | MRF6 | 2,16 GHz | LDMOS | Ni-400 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 450 mA | 11,5W | 16 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
 | PMR290UN, 115 | - | | 4400 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | PMR2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-75 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 700mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 380mohm @ 500mA, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 0,68 NC @ 4,5 V | ± 8v | 83 PF @ 10 V | - | 250mw (TA), 770MW (TC) | |||||||||||||||||||
| BUK752R7-30B, 127 | - | | 2919 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 10V | 2,7MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 6212 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
 | MRF6S19100HR3 | - | | 3060 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF6 | 1,99 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935316735128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 900 mA | 22W | 16.1 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||
| A2T26H165-24SR3 | - | | 8778 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | NI-780S-4L2L | A2T26 | 2,5 GHz | LDMOS | NI-780S-4L2L | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935313041128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 400 mA | 32W | 14,7 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||
| A2T18H160-24SR3 | - | | 1934 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | NI-780S-4L2L | A2T18 | 1,81 GHz | LDMOS | NI-780S-4L2L | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 400 mA | 28W | 17,9 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||
 | PMT29en, 115 | - | | 4432 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | PMT2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-73 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 30 V | 6a (ta) | 4,5 V, 10V | 29MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 492 PF @ 15 V | - | 820MW (TA), 8,33W (TC) | |||||||||||||||||||
 | BF1109WR, 115 | - | | 2147 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 11 V | Support de surface | SC-82A, SOT-343 | BF110 | 800 MHz | Mosfet | CMPAK-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | - | 20 dB | 1,5 dB | 9 V | |||||||||||||||||||||||
| MRF19030LR5 | - | | 8536 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-400 | MRF19 | 1,96 GHz | LDMOS | Ni-400 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8542.31.0001 | 50 | - | 300 mA | 30W | 13db | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||
 | BUK764R0-75C, 118 | - | | 3523 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | - | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 75 V | 100A (TC) | 10V | 4MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 142 NC @ 10 V | ± 20V | 11659 PF @ 25 V | - | 333W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | Mrf8p20140whsr3 | - | | 1400 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Support de surface | NI-780S-4L | MRF8P20140 | 1,88 GHz ~ 1,91 GHz | LDMOS | NI-780S-4L | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935323134128 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 500 mA | 24W | 16 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||
 | PSMN2R6-60PSQ127 | - | | 8011 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | Canal n | 60 V | 150A (TA) | 2,6MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 7629 PF @ 25 V | - | 326W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | BC858W, 115 | 1 0000 | | 2509 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 600 mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| BUK9275-100A, 118 | - | | 8015 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buk92 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMD4,115 | - | | 9732 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pumd4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pb1424,115 | 0,0800 | | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 2pb14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF820,235 | 1 0000 | | 3703 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 300 V | 50 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 30mA | 50 @ 25mA, 20V | 60 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7y15-100ex | - | | 5637 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 100 V | 68A (TC) | 10V | 15MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 1MA | 54,5 NC @ 10 V | ± 20V | 3958 PF @ 25 V | - | 195W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Buk7y4r4-40e115 | - | | 7756 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD14NQ20T, 118 | - | | 4157 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | PhD14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 14A (TC) | 5v, 10v | 230MOHM @ 7A, 10V | 4V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||
| MRF1K50NR5578 | - | | 3983 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S19260HR6 | - | | 8837 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-1110A | MRF8 | 1,99 GHz | LDMOS | NI1230-8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 935310435128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Double | - | 1.6 A | 74W | 18.2db | - | 30 V |
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