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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Bc860bmtf	-	RFQ	4952	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC860			310 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000																45 V	100 mA						15NA (ICBO)	Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	150 MHz
KSC388CYTA	0,0300	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	KSC388			300 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1																25 V	50 mA						100NA (ICBO)	NPN	200 mV à 1,5ma, 15mA	20 @ 12,5mA, 12,5 V	300 MHz
2N5088TF	1 0000	RFQ	1025	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	2 000
Fjaf6810atu	-	RFQ	4768	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET				60 W	To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30																750 V	10 a						1 mA	NPN	3V @ 1.5A, 6A	5 @ 6a, 5v	-
FGB20N6S2D	1 0000	RFQ	3420	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Standard		125 W	D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			390v, 7a, 25 ohms, 15v											31 ns	-	600 V	28 A	40 A	2,7 V @ 15V, 7A	25 µJ (ON), 58µJ (OFF)	30 NC	7,7ns / 87ns
FDH50N50_F133	-	RFQ	7819	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		500 V	48A (TC)		105MOHM @ 24A, 10V	5V @ 250µA	137 NC @ 10 V	± 20V	6460 pf @ 25 V	-	625W (TC)
Hgtg30n60b3_nl	6.0400	RFQ	51	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard		208 W	À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	51			480v, 60a, 3ohm, 15v												NPT	600 V	60 A	220 A	1,9 V @ 15V, 30A	550 µJ (ON), 680µJ (OFF)	250 NC	36ns / 137ns
FDMS8670	0,8700	RFQ	74	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n		30 V	24a (TA), 42A (TC)	4,5 V, 10V	2,6 mohm @ 24a, 10v	3V à 250µA	63 NC @ 10 V	± 20V	3940 PF @ 15 V	-	2.5W (TA), 78W (TC)
FDP5800	1 0000	RFQ	3857	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger						0000.00.0000	1		Canal n		60 V	14A (TA), 80A (TC)	4,5 V, 10V	6MOHM @ 80A, 10V	2,5 V @ 250µA	145 NC @ 10 V	± 20V	9160 PF @ 15 V	-	242W (TC)
FSB660	0,0900	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				500 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	3 000																60 V	2 A						100NA (ICBO)	Pnp	350 MV @ 200mA, 2A	100 @ 500mA, 2V	75 MHz
Fqu10n20tu	0 4600	RFQ	21	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	5 040		Canal n		200 V	7.6a (TC)	10V	360 MOHM @ 3,8A, 10V	5V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 30V	670 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 51W (TC)
Bdx34b	-	RFQ	5270	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				70 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	200																80 V	10 a						500 µA	PNP - Darlington	2,5 V @ 6MA, 3A	750 @ 3A, 3V	-
KSC2073TU	0,3100	RFQ	22	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				25 W	À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	969																150 V	1,5 A						10µA (ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 500mA, 10V	4 MHz
FDZ7296	0,7200	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	18-WFBGA			MOSFET (Oxyde Métallique)		18-BGA (2,5x4)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n		30 V	11a (ta)	4,5 V, 10V	8,5MOHM @ 11A, 10V	3V à 250µA	31 NC @ 10 V	± 20V	1520 pf @ 15 V	-	2.1W (TA)
HUF75623S3ST	-	RFQ	8539	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		100 V	22A (TC)	10V	64MOHM @ 22A, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 20 V	± 20V	790 pf @ 25 V	-	85W (TC)
BD13610	0,2300	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3				1,25 W	TO-126-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1 421																45 V	1,5 A						100NA (ICBO)	Pnp	500 mV à 50ma, 500mA	63 @ 150mA, 2V	-
FDC5661N	-	RFQ	2482	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6			MOSFET (Oxyde Métallique)		TSOT-23-6	télécharger					EAR99	8542.29.0095	1		Canal n		60 V	4.3A (TA)	4,5 V, 10V	47MOHM @ 4.3A, 10V	3V à 250µA	19 NC @ 10 V	± 20V	763 PF @ 25 V	-	1.6W (TA)
FCPF190N60E-F152	-	RFQ	2749	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-FCPF190N60E-F152	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		600 V	20,6a (TJ)	10V	190MOHM @ 10A, 10V	3,5 V @ 250µA	82 NC @ 10 V	± 20V	3175 PF @ 25 V	-	39W (TC)
FDS6692A	0,5200	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	582		Canal n		30 V	9a (ta)	4,5 V, 10V	11,5MOHM @ 9A, 10V	2,5 V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1610 PF @ 15 V	-	1.47W (TA)
Fcpf1300n80zyd	1.0700	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3 (formage y)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		800 V	4A (TC)	10V	1,3 ohm @ 2a, 10v	4,5 V @ 400µA	21 NC @ 10 V	± 20V	880 pf @ 100 V	-	24W (TC)
FQB12N60TM	1.3900	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	QFET ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	217		Canal n		600 V	10.5a (TC)	10V	700MOHM @ 5.3A, 10V	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	± 30V	1900 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 180W (TC)
BC546CTA	-	RFQ	4144	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				500 MW	To-92-3	télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté	2156-BC546CTA-600039			1																65 V	100 mA						15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	300 MHz
BD438	0,3100	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3				36 W	TO-126-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1 037																45 V	4 A						100 µA	Pnp	600mV @ 200mA, 2A	30 @ 10mA, 5V	3 MHz
Ksa916yta	0,0900	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes)				900 MW	To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	3 845																120 V	800 mA						100NA (ICBO)	Pnp	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 5V	120 MHz
BCX79	1 0000	RFQ	6250	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000																45 V	500 mA						10na	Pnp	600 mV à 2,5 mA, 100mA	80 @ 10mA, 1v	-
FQA8N90C	1.8100	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		900 V	8A (TC)	10V	1,9 ohm @ 4a, 10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 30V	2080 PF @ 25 V	-	240W (TC)
FDMS8570	0,5100	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS85		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	3 000		Canal n		25 V	24a (TA), 60A (TC)	4,5 V, 10V	2,8MOHM @ 24A, 10V	2.2v @ 1MA	425 NC @ 10 V	± 12V	2825 PF @ 13 V	-	2.5W (TA), 48W (TC)
FDMS3610S	-	RFQ	3566	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS3610		MOSFET (Oxyde Métallique)	1W	Power56	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	2 canal n (double) asymétrique			25V	17.5A, 30A		5MOHM @ 17.5A, 10V	2V à 250µA	26nc @ 10v		1570pf @ 13v	Porte de Niveau Logique
FDB8442-F085	-	RFQ	5463	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-FDB8442-F085-600039			1		Canal n		40 V	28A (TA), 80A (TC)	10V	2,9MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	235 NC @ 10 V	± 20V	12200 pf @ 25 V	-	254W (TC)
FQI12N60CTU	1.0900	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		600 V	12A (TC)	10V	650 mohm @ 6a, 10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 30V	2290 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 225W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²