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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | PN200RM | - | ![]() | 1823 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 500 mA | 50na | Pnp | 400 mV @ 20mA, 200mA | 100 @ 150mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FDP79N15 | 3.3100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 150 V | 79a (TC) | 10V | 30MOHM @ 39.5A, 10V | 5V @ 250µA | 73 NC @ 10 V | ± 30V | 3410 PF @ 25 V | - | 463W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | SFH9140 | 0,6600 | ![]() | 2935 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 388 | Canal p | 100 V | 19A (TC) | 10V | 200 mohm @ 9,5a, 10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1535 pf @ 25 V | - | 166W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FDU8874 | 0 7600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 30 V | 18A (TA), 116A (TC) | 4,5 V, 10V | 5.1MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2990 PF @ 15 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Fdg328p | 1 0000 | ![]() | 6951 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-88 (SC-70-6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal p | 20 V | 1.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 145MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 6 NC @ 4,5 V | ± 12V | 337 PF @ 10 V | - | 750MW (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | NDS8961 | - | ![]() | 4953 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NDS896 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 551 | 2 Canaux N (double) | 30V | 3.1a | 100 mohm @ 3.1a, 10v | 3V à 250µA | 10nc @ 10v | 190pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||
![]() | BD681STU | - | ![]() | 9620 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | BD681 | 40 W | TO-126-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 100 V | 4 A | 500 µA | Npn - darlington | 2,5 V @ 30mA, 1,5A | 750 @ 1,5a, 3v | - | ||||||||||||||||||
![]() | FDME820NZT | 0,3900 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 powerufdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | Microfet 1,6x1,6 hachce | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 760 | Canal n | 20 V | 9a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 18MOHM @ 9A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 12V | 865 PF @ 10 V | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | FDB6021P | 0,7800 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 20 V | 28a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 30MOHM @ 14A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 28 NC @ 4,5 V | ± 8v | 1890 PF @ 10 V | - | 37W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | HUF75939P3_F102 | - | ![]() | 3508 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSS1N60B | 0.1400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 1A (TJ) | 10V | 12OHM @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 7,7 NC @ 10 V | ± 30V | 215 PF @ 25 V | - | 17W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BC557ATA | 0,0400 | ![]() | 145 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 7 322 | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5210TF | 0,0200 | ![]() | 57 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 50 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 700 MV @ 1MA, 10MA | 200 @ 100µa, 5v | 30 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf9n50ct | 0,7800 | ![]() | 604 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 9A (TC) | 10V | 800mohm @ 4.5a, 10v | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 44W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FCP130N60 | 2.8900 | ![]() | 127 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 127 | Canal n | 600 V | 28a (TC) | 10V | 130 mohm @ 14a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3590 PF @ 380 V | - | 278W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | Fqpf32n12v2 | 1.4400 | ![]() | 83 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 120 V | 32A (TC) | 10V | 50MOHM @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1860 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | HUF75631P3 | 1.1100 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 100 V | 33A (TC) | 10V | 40 mohm @ 33a, 10v | 4V @ 250µA | 79 NC @ 20 V | ± 20V | 1220 PF @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FQD17N08LTM | - | ![]() | 5387 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 80 V | 12.9A (TC) | 5v, 10v | 100MOHM @ 6 45A, 10V | 2V à 250µA | 11,5 NC @ 5 V | ± 20V | 520 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | FQPF1N60 | 1 0000 | ![]() | 3496 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 900mA (TC) | 10V | 11,5ohm @ 450mA, 10V | 5V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 21W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | BD17510STU | - | ![]() | 3315 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 30 W | TO-126-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 553 | 45 V | 3 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 800 MV à 100MA, 1A | 63 @ 150mA, 2V | 3 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6993 | 1.0100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS69 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 30v, 12v | 4.3a, 6.8a | 55MOHM @ 4.3A, 10V | 3V à 250µA | 7.7nc @ 5v | 530pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||
![]() | FDMS2508SDC | 1.4300 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Dual Cool ™, PowerTrench®, SyncFet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 34A (TA), 49A (TC) | 4,5 V, 10V | 1 95 mohm @ 28a, 10v | 3V @ 1MA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4515 PF @ 13 V | - | 3.3W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDZ299P | 0,3200 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-WFBGA | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-BGA (2x2.1) | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 55MOHM @ 4,6A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 9 NC @ 4,5 V | ± 12V | 742 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | 2N3702 | 0,0700 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 25 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 250 mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 50mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4085LS-1E | 1,3000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3fs | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 11a (TC) | 430MOHM @ 8A, 10V | 5V @ 1MA | 46,6 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | PN4093 | 0,3200 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | Canal n | 16pf @ 20V | 40 V | 8 ma @ 20 V | 1 V @ 1 na | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd2n50tf | 0,3400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 500 V | 1.6A (TC) | 10V | 5,3 ohm @ 800mA, 10V | 5V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | BC640TF | 0,0200 | ![]() | 7591 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 1 W | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 000 | 80 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV à 50ma, 500mA | 40 @ 150mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FDD6680A | 1.5300 | ![]() | 204 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 14A (TA), 56A (TC) | 4,5 V, 10V | 9.5MOHM @ 14A, 10V | 3V à 250µA | 20 nc @ 5 V | ± 20V | 1425 PF @ 15 V | - | 2.8W (TA), 60W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | KST06MTF-FS | - | ![]() | 4273 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 80 V | 500 mA | 100NA | NPN | 250 mV @ 10mA, 100mA | 50 @ 100mA, 1V | 100 MHz |
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