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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) |
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![]() | KST63MTF | - | ![]() | 1399 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8947 | 0,9700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NDS894 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 30V | 4A | 65MOHM @ 4A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 30nc @ 10v | 690pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9933 | 0,3600 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS99 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 20V | 5A | 55MOHM @ 3,2A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 20nc @ 4,5 V | 825pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMF6823 | - | ![]() | 1548 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Vendeur indéfini | 2156-FDMF6823-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgs6n60ufdtu | 1 0000 | ![]() | 9771 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | SGS6N | Standard | 22 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 300 V, 3A, 80OHM, 15V | 52 ns | - | 600 V | 6 A | 25 A | 2.6V @ 15V, 3A | 57µJ (ON), 25µJ (OFF) | 15 NC | 15NS / 60NS | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdb86102lz | 0,8700 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 345 | Canal n | 100 V | 8.3A (TA), 30A (TC) | 4,5 V, 10V | 24MOHM @ 8.3A, 10V | 3V à 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1275 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF5N90 | 1.4700 | ![]() | 450 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 205 | Canal n | 900 V | 3A (TC) | 10V | 2,3 ohm @ 1,5a, 10v | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1550 pf @ 25 V | - | 51W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4392 | - | ![]() | 1075 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal n | 14pf @ 20V | 30 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGL35N120FTDTU | 6.0600 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 264-3, à 264aa | Standard | 368 W | HPM F2 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 600V, 35A, 10OHM, 15V | 337 ns | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 70 A | 105 A | 2.2V @ 15V, 35A | 2,5mj (on), 1,7mj (off) | 210 NC | 34NS / 172NS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdn352ap | 1 0000 | ![]() | 6950 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | FDN352 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal p | 30 V | 1.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 180MOHM @ 1,3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 1,9 NC @ 4,5 V | ± 25V | 150 pf @ 15 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4885C | 1 0000 | ![]() | 6937 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS48 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal n et p | 40V | 7.5a, 6a | 22MOHM @ 7.5A, 10V | 5V @ 250µA | 21nc @ 10v | 900pf @ 20v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd6n20tf | 0,4800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 200 V | 4.5a (TC) | 10V | 800 mOhm @ 2,3a, 10v | 5V @ 250µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU220BTU | 0,8300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre Affeté | 2156-irfu220btu-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD1616GTA | - | ![]() | 7609 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 750 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 000 | 50 V | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 50mA, 1A | 200 @ 100mA, 2V | 160 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD16AN08A0_NF054 | 1 0000 | ![]() | 3965 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 75 V | 9A (TA), 50A (TC) | 6v, 10v | 16MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 1874 PF @ 25 V | - | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3905TFR | 0,0200 | ![]() | 6136 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 373 | 40 V | 200 mA | - | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 50 @ 10mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF8N80 | 1.6700 | ![]() | 557 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal n | 800 V | 5.9a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2 95a, 10v | 5V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 30V | 2350 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjv3110rmtf | - | ![]() | 9658 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV311 | 200 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV @ 1MA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC6296 | 0,6000 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 MLP (3,3x3,3) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 10,5 mohm @ 11,5a, 10v | 3V à 250µA | 19 NC @ 5 V | ± 20V | 2141 PF @ 15 V | - | 900MW (TA), 2,1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjp5555atu | 0,3600 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS86540 | 2.8400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 18A (TA) | 8v, 10v | 4,5 mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 6410 PF @ 30 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ204P | 0 2900 | ![]() | 157 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-WFBGA | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-BGA (2x2.1) | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4.5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 45 mohm @ 4,5a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 13 NC @ 4,5 V | ± 12V | 884 PF @ 10 V | - | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N50C | 1.2000 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Fqpf1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 500 V | 13A (TC) | 10V | 480mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 PF @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH047AN08A0 | 1 0000 | ![]() | 9498 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 75 V | 15A (TC) | 6v, 10v | 4,7MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8692 | 0,5000 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 12A (TA), 28A (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 12A, 10V | 3V à 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1265 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76105SK8T | 0,3300 | ![]() | 82 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 5.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 50 mohm @ 5.5a, 10v | 3V à 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 325 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1K49157 | 0,5100 | ![]() | 960 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 6.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 30 mohm @ 6,3a, 10v | 3V à 250µA | 88 NC @ 20 V | ± 20V | 1575 pf @ 25 V | - | 2W (ta) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB603AL | 1.2200 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 33A (TC) | 4,5 V, 10V | 22MOHM @ 25A, 10V | 3V à 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 15 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG12N60A4 | - | ![]() | 4457 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 167 W | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | 390V, 12A, 10OHM, 15V | - | 600 V | 54 A | 96 A | 2,7 V @ 15V, 12A | 55µJ (ON), 50µJ (OFF) | 78 NC | 17ns / 96ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76429D3ST | 0,9200 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 23MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 16V | 1480 pf @ 25 V | - | 110W (TC) |
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