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Transistors (3825)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
KSC1674OBU	0,0200	RFQ	146	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			250mw	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	1 000			-											20V	20 mA		NPN		70 @ 1MA, 6V	600 MHz			3 dB ~ 5 dB à 100mHz
BD159STU	-	RFQ	7295	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-	Par le trou	À 225aa, à 126-3	BD159		20 W	TO-126-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1														350 V	500 mA	100 µA (ICBO)	NPN	-	30 @ 50mA, 10V	-
FDC642P	0,2000	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6		MOSFET (Oxyde Métallique)		Supersot ™ -6	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1 516		Canal p		20 V	4a (ta)	2,5 V, 4,5 V	65MOHM @ 4A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	16 NC @ 4,5 V	± 8v	925 PF @ 10 V	-	1.6W (TA)
Isl9n303as3st	1,7000	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		30 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	3,2MOHM @ 75A, 10V	3V à 250µA	172 NC @ 10 V	± 20V	7000 pf @ 15 V	-	215W (TC)
Fqu3n50ctu	-	RFQ	8814	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		500 V	2.5a (TC)	10V	2,5 ohm @ 1,25a, 10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	365 PF @ 25 V	-	35W (TC)
Ntd24n06lt4g	-	RFQ	9924	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	NTD24	MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		60 V	24a (TA)	5V	45MOHM @ 10A, 5V	2V à 250µA	32 NC @ 5 V	± 15V	1140 PF @ 25 V	-	1.36W (TA), 62,5W (TJ)
FQB19N20CTM	1 0000	RFQ	3683	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		200 V	19A (TC)	10V	170MOHM @ 9.5A, 10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	± 30V	1080 PF @ 25 V	-	3.13W (TA), 139W (TC)
FQI7N80TU	-	RFQ	1520	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		800 V	6.6a (TC)	10V	1,5 ohm @ 3,3a, 10v	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	± 30V	1850 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 167W (TC)
HUF75623P3	0,5200	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		100 V	22A (TC)	10V	64MOHM @ 22A, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 20 V	± 20V	790 pf @ 25 V	-	85W (TC)
FDB8876	0,4800	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		30 V	71A (TC)	4,5 V, 10V	8,5MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 20V	1700 pf @ 15 V	-	70W (TC)
KSC1623GMTF	0,0200	RFQ	1558	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			200 MW	SOT-23-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	3 311														50 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN	300 mV @ 10mA, 100mA	200 @ 1MA, 6V	250 MHz
IRFP460C	-	RFQ	8134	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	20A (TC)	10V	240mohm @ 10a, 10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	± 30V	6000 pf @ 25 V	-	235W (TC)
FQP11N50CF	1.7700	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	Frfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		500 V	11a (TC)	10V	550mohm @ 5,5a, 10v	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	± 30V	2055 PF @ 25 V	-	195W (TC)
Irfr310btf	0 1200	RFQ	5782	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	2 215		Canal n		400 V	1.7A (TC)	10V	3,4 ohm @ 850mA, 10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	± 30V	330 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 26W (TC)
FCH125N60E	1 0000	RFQ	7379	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		600 V	29A (TC)	10V	125MOHM @ 14.5A, 10V	3,5 V @ 250µA	95 NC @ 10 V	± 20V	2990 PF @ 380 V	-	278W (TC)
FDMC3300NZA	0,5400	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	FDMC3300	MOSFET (Oxyde Métallique)	2.1W	8-Power33 (3x3)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)			20V	8a		26MOHM @ 8A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	12nc @ 4,5 V		815pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
FJNS3202RTA	-	RFQ	5508	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Court	FJNS32		300 MW	To-92s	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000														50 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	30 @ 5mA, 5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
FDD3672-F085	-	RFQ	7875	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-FDD3672-F085-600039			1		Canal n		100 V	44a (TC)	6v, 10v	47MOHM @ 21A, 6V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 20V	1635 PF @ 25 V	-	144W (TC)
Fqpf4n90ct	1 0000	RFQ	3092	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		900 V	4A (TC)	10V	4,2 ohm @ 2a, 10v	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	± 30V	960 pf @ 25 V	-	47W (TC)
SFR9230BTMAM002	-	RFQ	7165	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				SFR9230	-			-	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8542.39.0001	2 500												-
MPS5179	-	RFQ	9849	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			200 MW	À 92 (à 226)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	774			-											12V	50m		NPN		25 @ 3MA, 1V	2 GHz			-
NDS8410A	0,6000	RFQ	214	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		30 V	10.8a (TA)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 10.8A, 10V	3V à 250µA	22 NC @ 5 V	± 20V	1620 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
FQP19N20C	0,6300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		200 V	19A (TC)	10V	170MOHM @ 9.5A, 10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	± 30V	1080 PF @ 25 V	-	139W (TC)
RFP45N06	0,7300	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		60 V	45A (TC)	10V	28MOHM @ 45A, 10V	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	± 20V	2050 PF @ 25 V	-	131W (TC)
FDD9409	-	RFQ	6158	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				FDD940	-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini				1												-
FDC6392S	1 0000	RFQ	9722	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FDC6392	MOSFET (Oxyde Métallique)		Supersot ™ -6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000		Canal p		20 V	2.2a (TA)	2,5 V, 4,5 V	150 MOHM @ 2,2A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	5.2 NC @ 4,5 V	± 12V	369 PF @ 10 V	Diode Schottky (isolé)	960mw (TA)
FDMS86252L	-	RFQ	9092	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-FDMS86252L	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		150 V	4.4A (TA), 12A (TC)	4,5 V, 10V	56MOHM @ 4.4A, 10V	3V à 250µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1335 PF @ 75 V	-	2,5W (TA), 50W (TC)
RFD20N03SM9AR470	0,8500	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				RFD20	-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1												-
SFP9520	0.1900	RFQ	19	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal p		100 V	6A (TC)	10V	600mohm @ 3a, 10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	550 pf @ 25 V	-	49W (TC)
Fdpf20n50ft	1 0000	RFQ	6889	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		500 V	20A (TC)	10V	260MOHM @ 10A, 10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	± 30V	3390 pf @ 25 V	-	38,5W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3825)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²