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Transistors (3825)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)
Ksb564ayta	0,0500	RFQ	13	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				800 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000															25 V	1 a					100NA (ICBO)	Pnp	500 MV à 100MA, 1A	120 @ 100mA, 1V	110 MHz
HRF3205	1.5800	RFQ	82	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	400	Canal n		55 V	100A (TC)		8MOHM @ 59A, 10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	± 20V	4000 pf @ 25 V	-	175W (TC)
Fqu4n50tu	0,7000	RFQ	27	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	5 040	Canal n		500 V	2.6a (TC)	10V	2,7 ohm @ 1,3a, 10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	460 pf @ 25 V	-	2,5W (TA), 45W (TC)
PZTA64	0,1500	RFQ	76	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa				1 W	SOT-223-4	télécharger					EAR99	8541.29.0075	1 994															30 V	1.2 A					100NA (ICBO)	PNP - Darlington	1,5 V @ 100µA, 100mA	20000 @ 100mA, 5V	125 MHz
FGI3040G2-F085	-	RFQ	5990	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, Ecospark®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		Logique		150 W	I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		300 V, 6,5A, 1kohm, 5v											1,9 µs	-	400 V	41 A	1,25 V @ 4V, 6A	-	21 NC	- / 4,8 µs
FDD14AN06LA0	2.1500	RFQ	85	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal n		60 V	9.5A (TA), 50A (TC)	5v, 10v	11,6MOHM @ 50A, 10V	3V à 250µA	32 NC @ 5 V	± 20V	2810 PF @ 25 V	-	125W (TC)
SSW2N60BTM	0 4600	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		600 V	2A (TC)	10V	5OHM @ 1A, 10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 30V	490 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 54W (TC)
Fqd7n20ltm	-	RFQ	2891	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Canal n		200 V	5.5A (TC)	5v, 10v	750mohm @ 2 75a, 10v	2V à 250µA	9 NC @ 5 V	± 20V	500 pf @ 25 V	-	2,5W (TA), 45W (TC)
Fdz661pz	0,3200	RFQ	80	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4-xfbga, wlcsp			MOSFET (Oxyde Métallique)		4-WLCSP (0,8x0,8)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	952	Canal p		20 V	2.6A (TA)	1,5 V, 4,5 V	140mohm @ 2a, 4,5 V	1,2 V à 250µA	8,8 NC @ 4,5 V	± 8v	555 pf @ 10 V	-	1.3W (TA)
SFP9Z24	0.1900	RFQ	9251	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1489	Canal p		60 V	9.7A (TC)	10V	280mohm @ 4.9a, 10v	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 30V	600 pf @ 25 V	-	49W (TC)
FJMA790	1 0000	RFQ	2286	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-VDFN	FJMA79			1,56 W	6 microfet (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000															35 V	2 A					100NA (ICBO)	Pnp	450 MV @ 50mA, 2A	100 @ 1,5a, 1,5 V	-
Ssi7n60btu	0,3900	RFQ	964	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		600 V	7a (TC)	10V	1,2 ohm @ 3,5a, 10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 30V	1800 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 147W (TC)
RFD14N05	-	RFQ	1030	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	75	Canal n		50 V	14A (TC)	10V	100 mohm @ 14a, 10v	4V @ 250µA	40 NC @ 20 V	± 20V	570 pf @ 25 V	-	48W (TC)
KSC945CGBU	0,0200	RFQ	257	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				250 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1															50 V	150 mA					100NA (ICBO)	NPN	300 mV @ 10mA, 100mA	200 @ 1MA, 6V	300 MHz
Irfp350a	-	RFQ	9980	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	36	Canal n		400 V	17A (TC)	10V	300 mOhm @ 8,5a, 10v	4V @ 250µA	131 NC @ 10 V	± 30V	2780 PF @ 25 V	-	202W (TC)
Fqp3n60	0,5900	RFQ	45	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000	Canal n		600 V	3A (TC)	10V	3,6 ohm @ 1,5a, 10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	450 pf @ 25 V	-	75W (TC)
Irfw730btmnl	0,5900	RFQ	49	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	800	Canal n		400 V	5.5A (TC)	10V	1OHM @ 2 75A, 10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 30V	1000 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 73W (TC)
FDI33N25TU	1 0000	RFQ	7880	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50	Canal n		250 V	33A (TC)	10V	94MOHM @ 16,5A, 10V	5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	± 30V	2135 PF @ 25 V	-	235W (TC)
NTP082N65S3F	-	RFQ	5306	Semi-conducteur de Fairchild	FRFET®, Superfet® II	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-NTP082N65S3F	EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		650 V	40A (TC)	10V	82MOHM @ 20A, 10V	5V @ 1MA	81 NC @ 10 V	± 30V	3410 PF @ 400 V	-	313W (TC)
KSA614Y	-	RFQ	5342	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	KSA614			25 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1															55 V	3 A					50 µA (ICBO)	Pnp	500 MV à 100MA, 1A	120 @ 500mA, 5V	-
SFM9110TF	0,4800	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223-4	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	4 000	Canal p		100 V	1a (ta)	10V	1,2 ohm @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	± 30V	335 PF @ 25 V	-	2.52W (TA)
IRFP150A	-	RFQ	9521	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pn	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	185	Canal n		100 V	43A (TC)		40MOHM @ 21,5A, 10V	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	± 20V	2270 pf @ 25 V	-	193W (TC)
HUF75631SK8	0,9500	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		100 V	5.5A (TA)	10V	39MOHM @ 5.5A, 10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	± 20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
FJN3309RTA	0,0200	RFQ	156	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	FJN330			300 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000															40 V	100 mA					100NA (ICBO)	NPN - Pré-biaisé	300 mV @ 1MA, 10mA	100 @ 1MA, 5V	250 MHz	4,7 kohms
FDS7064N7	1 0000	RFQ	8665	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-so	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal n		30 V	16.5A (TA)	4,5 V	7MOHM @ 16,5A, 4,5 V	2V à 250µA	48 NC @ 4,5 V	± 12V	3355 PF @ 15 V	-	3W (TA)
Fdmc8588dc	1 0000	RFQ	8146	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-PQFN (3.3x3.3)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Canal n		25 V	17A (TA), 40A (TC)	4,5 V, 10V	5MOHM @ 18A, 10V	1,8 V à 250µA	12 NC @ 4,5 V	± 12V	1695 PF @ 13 V	-	3W (TA), 41W (TC)
FDS6676S	0,6400	RFQ	47	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal n		30 V	14.5A (TA)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 14,5a, 10v	3V @ 1MA	60 NC @ 5 V	± 16V	4665 PF @ 15 V	-	1W (ta)
Isl9n306as3st	0,3700	RFQ	33	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	800	Canal n		30 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	6MOHM @ 75A, 10V	3V à 250µA	90 NC @ 10 V	± 20V	3400 PF @ 15 V	-	125W (TA)
Irfw630btm_fp001	0,4300	RFQ	800	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	800	Canal n		200 V	9A (TC)	10V	400mohm @ 4,5a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 30V	720 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 72W (TC)
MPS6513	1 0000	RFQ	6881	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000															30 V	200 mA					50NA (ICBO)	NPN	500 mV @ 5mA, 50mA	90 @ 2MA, 10V	-

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Unité de produit standard
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