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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | KSD986YS | 1 0000 | ![]() | 6085 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 1 W | TO-126-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 80 V | 1,5 A | 10µA (ICBO) | Npn - darlington | 1,5 V @ 1MA, 1A | 8000 @ 1A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3391A | - | ![]() | 8172 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 25 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | - | 250 @ 2MA, 4,5 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8926 | 0,9400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDS89 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD20N03SM9AR470 | 0,8500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | RFD20 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC327 | 0,0600 | ![]() | 3746 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 1,5 w | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 5 000 | 45 V | 800 mA | 100NA | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 260 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD437 | 0,2600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | BD437 | 36 W | TO-126-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 4 A | 100 µA | NPN | 600mV @ 200mA, 2A | 30 @ 10mA, 5V | 3 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCB20N60-F085 | - | ![]() | 8057 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, Superfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 20A (TC) | 198MOHM @ 20A, 10V | 5V @ 250µA | 102 NC @ 10 V | ± 30V | 3080 PF @ 25 V | - | 341W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS150A | 0,5200 | ![]() | 5761 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 14 | Canal n | 100 V | 31A (TC) | 10V | 40 mOhm @ 15,5a, 10v | 4V @ 250µA | 97 NC @ 10 V | ± 20V | 2270 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdfm2n111 | 1 0000 | ![]() | 2243 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | Microfet 3x3 mm | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 20 V | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V | 100MOHM @ 4A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 3,8 NC @ 4,5 V | ± 12V | 273 PF @ 10 V | Diode Schottky (isolé) | 1.7W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC212 | 1 0000 | ![]() | 8349 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 50 V | 300 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 600 mV @ 5mA, 100mA | 60 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD244A | - | ![]() | 2717 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 65 W | À 220 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-BD244A-600039 | 1 | 60 V | 6 A | 700 µA | Pnp | 1,5 V @ 1A, 6A | 15 @ 3A, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5550BU | 0,0200 | ![]() | 7394 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 13 374 | 140 V | 600 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC80740 | 0,0700 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 310 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 45 V | 800 mA | 100NA | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP55N06 | - | ![]() | 6365 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 55A (TC) | 10V | 22MOHM @ 27,5A, 10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ± 25V | 1510 PF @ 25 V | - | 114W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907A-D87Z | - | ![]() | 8654 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 60 V | 800 mA | 20NA (ICBO) | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdj127p | 0,5100 | ![]() | 43 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75-6 FLMP | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC75-6 FLMP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4.1a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 60 mohm @ 4.1a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 10 NC @ 4,5 V | ± 8v | 780 PF @ 10 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1674OBU | 0,0200 | ![]() | 146 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 250mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | - | 20V | 20 mA | NPN | 70 @ 1MA, 6V | 600 MHz | 3 dB ~ 5 dB à 100mHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
FD6M045N06 | 6.1600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Power-SPM ™ | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | EPM15 | FD6M045 | MOSFET (Oxyde Métallique) | - | EPM15 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 Canaux N (double) | 60V | 60A | 4,5 mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250µA | 87nc @ 10v | 3890pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBA144EDXV6T1G | 0,0900 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | NSBA144 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-NSBA144EDXV6T1G-600039 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 761 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75329P3 | - | ![]() | 9487 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 42A (TC) | 25MOHM @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 75 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75307P3 | 0,2000 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 15A (TC) | 10V | 90MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 20 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgs23n60ufdtu | 1 0000 | ![]() | 8772 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | SGS23N60 | Standard | 73 W | À 220f | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 300 V, 12A, 23OHM, 15V | 60 ns | - | 600 V | 23 A | 92 A | 2.6V @ 15V, 12A | 115 µJ (ON), 135µJ (OFF) | 49 NC | 17ns / 60ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSA733GTA | 0,0200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | KSA733 | 250 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 300 mV @ 10mA, 100mA | 40 @ 1MA, 6V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS9Z24 | 0,3900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 60 V | 7.5a (TC) | 10V | 280MOHM @ 3,8A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 29W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4011R | 0,0200 | ![]() | 9581 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY401 | 200 MW | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV @ 1MA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 200 MHz | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD3580 | 0,9600 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 80 V | 7.7a (TA) | 6v, 10v | 29MOHM @ 7.7A, 10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1760 pf @ 40 V | - | 3.8W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF90N08 | 2.3700 | ![]() | 340 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal n | 80 V | 56a (TC) | 10V | 16MOHM @ 28A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 25V | 3250 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjaf6810aydtbtu | 0,5100 | ![]() | 4819 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | 60 W | To-3pf | - | Rohs3 conforme | 2156-fjaf6810aydtbtu-fs | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 750 V | 10 a | 1 mA | NPN | 3V @ 1.5A, 6A | 5 @ 6a, 5v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB7N60TM-WS | 0,9800 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | - | Vendeur indéfini | Vendeur indéfini | 2156-FQB7N60TM-WS-600039 | 1 | Canal n | 600 V | 7.4a (TC) | 10V | 1OHM @ 3,7A, 10V | 5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1430 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 142W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8558SDC | - | ![]() | 2392 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | Canal n | 25 V | 38A (TA), 90A (TC) | 1,5 mohm @ 38a, 10v | 2.2v @ 1MA | 81 NC @ 10 V | ± 12V | 5118 PF @ 13 V | - | 3.3W (TA), 89W (TC) |
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